RN1101F~RN1106F
东芝晶体管NPN硅外延式（ PCT程序）
RN1101F,RN1102F,RN1103F
RN1104F,RN1105F,RN1106F
开关，逆变电路，接口电路
和驱动器电路应用
以毫米单位
l
利用内置的偏置电阻
l
简化电路设计
l
减少部件数量和制造工艺的数量
l
补充RN2101F RN2106F
等效电路和偏置电阻值的
型号
RN1101F
RN1102F
RN1103F
RN1104F
RN1105F
RN1106F
R1 （ kΩ的）
4.7
10
22
47
2.2
4.7
R2值（kΩ ）
4.7
10
22
47
47
47
JEDEC
EIAJ
东芝
―
―
2-2H1A
最大额定值
（ TA = 25°C ）
特征
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
集电极耗散功率
结温
存储温度范围
RN1101F~1106F
RN1101F~1106F
RN1101F~1104F
RN1105F ， 1106F
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
P
C
T
j
T
英镑
等级
50
50
10
5
100
100
150
55~150
重量： 2.3毫克
单位
V
V
V
mA
mW
°C
°C
000707EAA2
·
东芝正在不断努力提高其产品的质量和可靠性。不过，在半导体器件一般
可能发生故障或失效，由于其固有的电灵敏度和容易受到物理应力。它的责任
买方，利用东芝产品时，要符合安全的制造安全的设计对整个系统的标准，并
为避免出现此类东芝产品的故障或失效可能导致人的生命，人身伤害或损失
财产损失。
在开发设计时，请确保东芝产品在规定的工作范围用作规定
最近东芝的产品规格。另外，请记住载于“处理的注意事项和条件
导半导体设备“或”东芝半导体可靠性手册“等。
·
本文档中列出的东芝产品在一般电子应用（计算机，个人打算使用
设备，办公设备，测量设备，工业机器人，家用电器等） 。这些东芝的产品
既不打算也不为保证使用中的设备要求非常高的品质和/或可靠性或故障，或
这些故障可能会导致人的生命或身体伤害（ “意外用法” ）的损失。意想不到的用途包括原子能
控制仪表，飞机或太空船仪器，运输仪器，交通信号仪器仪表，燃烧控制
仪器，医疗仪器，各类安全装置等。东芝产品的非预期使用本文件所列
应在客户自己的风险进行。
2001-02-08
1/7
RN1101F~RN1106F
电气特性
（ TA = 25°C ）
特征
集电极截止
当前
RN1101F
~1106F
RN1101F
RN1102F
发射极截止电流
RN1103F
RN1104F
RN1105F
RN1106F
RN1101F
RN1102F
直流电流增益
RN1103F
RN1104F
RN1105F
RN1106F
集电极 - 发射极
饱和电压
RN1101F
~1106F
RN1101F
RN1102F
输入电压（ ON）的
RN1103F
RN1104F
RN1105F
RN1106F
RN1101F
~1104F
RN1105F,
1106F
跃迁频率
集电极输出
电容
RN1101F
~1106F
RN1101F
~1106F
RN1101F
RN1102F
输入电阻
RN1103F
RN1104F
RN1105F
RN1106F
RN1101F
~1104F
电阻率
RN1105F
RN1106F
R1/R2
―
―
R1
―
―
V
我（上）
―
V
CE
= 0.2V ，我
C
= 5毫安
V
CE （SAT）
―
I
C
= 5毫安，我
B
= 0.25毫安
h
FE
―
V
CE
= 5V ，我
C
= 10毫安
I
EBO
―
V
EB
= 10V ，我
C
= 0
符号
I
CBO
I
首席执行官
TEST
电路
―
测试条件
V
CB
= 50V ，我
E
= 0
V
CE
= 50V ，我
B
= 0
民
―
―
0.82
0.38
0.17
0.082
V
EB
= 5V ，我
C
= 0
0.078
0.074
30
50
70
80
80
80
―
1.1
1.2
1.3
1.5
0.6
0.7
1.0
V
我（关闭）
―
V
CE
= 5V ，我
C
= 0.1毫安
0.5
f
T
C
ob
―
―
V
CE
= 10V ，我
C
= 5毫安
V
CB
= 10V ，我
E
= 0,
F = 1MH
z
―
―
3.29
7
15.4
32.9
1.54
3.29
0.9
0.0421
0.09
―
250
3
4.7
10
22
47
2.2
4.7
1.0
0.0468
0.1
0.8
―
6
6.11
13
28.6
61.1
2.86
6.11
1.1
0.0515
0.11
000707EAA2
典型值。
―
―
―
―
―
―
―
―
―
―
―
―
―
―
0.1
―
―
―
―
―
―
―
最大
100
500
1.52
0.71
0.33
0.15
0.145
0.138
―
―
―
―
―
―
0.3
2.0
2.4
3.0
5.0
1.1
1.3
1.5
单位
nA
mA
―
V
V
输入电压（OFF）的
V
MH
z
pF
k
·
此处包含的信息仅显示为对我们产品的应用指南。无责任承担
东芝公司知识产权的任何侵犯第三方或其他权利，可能导致其
使用。无许可证下的任何知识产权或东芝或其他权利授予暗示或其他方式
其他人。
·
此处所包含的信息如有更改，恕不另行通知。
2001-02-08
2/7
RN1101FRN1106F
东芝三极管
硅NPN外延型（厘过程）
RN1101F,RN1102F,RN1103F
RN1104F,RN1105F,RN1106F
开关，逆变电路，接口电路
和驱动器电路应用
以毫米单位
利用内置的偏置电阻
简化电路设计
减少部件数量和制造工艺的数量
补充RN2101F RN2106F
等效电路和偏置电阻值的
型号
RN1101F
RN1102F
RN1103F
RN1104F
RN1105F
RN1106F
R1 （ kΩ的）
4.7
10
22
47
2.2
4.7
R2值（kΩ ）
4.7
10
22
47
47
47
JEDEC
EIAJ
东芝
―
―
2-2H1A
绝对最大额定值
（ TA = 25°C ）
特征
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
集电极耗散功率
结温
存储温度范围
RN1101F~1106F
RN1101F~1106F
RN1101F~1104F
RN1105F ， 1106F
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
P
C
T
j
T
英镑
等级
50
50
10
5
100
100
150
55~150
重量： 2.3毫克
单位
V
V
V
mA
mW
°C
°C
注：在重负载下连续使用（如高温/电流/电压和应用
在温度等显著变化）可能会导致此产品在可靠性，降低显著甚至
如果操作条件（即工作温度/电流/电压等）内的绝对最大
收视率。
请在审查东芝半导体可靠性手册设计适当的可靠性
（ “注意事项” / “降额的概念和方法” ）和个人数据的可靠性（即可靠性试验
报告与估计的故障率，等）。
1
2007-11-01
RN1101F~RN1106F
东芝晶体管NPN硅外延式（ PCT程序）
RN1101F,RN1102F,RN1103F
RN1104F,RN1105F,RN1106F
开关，逆变电路，接口电路
和驱动器电路应用
以毫米单位
l
利用内置的偏置电阻
l
简化电路设计
l
减少部件数量和制造工艺的数量
l
补充RN2101F RN2106F
等效电路和偏置电阻值的
型号
RN1101F
RN1102F
RN1103F
RN1104F
RN1105F
RN1106F
R1 （ kΩ的）
4.7
10
22
47
2.2
4.7
R2值（kΩ ）
4.7
10
22
47
47
47
JEDEC
EIAJ
东芝
―
―
2-2H1A
最大额定值
（ TA = 25°C ）
特征
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
集电极耗散功率
结温
存储温度范围
RN1101F~1106F
RN1101F~1106F
RN1101F~1104F
RN1105F ， 1106F
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
P
C
T
j
T
英镑
等级
50
50
10
5
100
100
150
55~150
重量： 2.3毫克
单位
V
V
V
mA
mW
°C
°C
000707EAA2
·
东芝正在不断努力提高其产品的质量和可靠性。不过，在半导体器件一般
可能发生故障或失效，由于其固有的电灵敏度和容易受到物理应力。它的责任
买方，利用东芝产品时，要符合安全的制造安全的设计对整个系统的标准，并
为避免出现此类东芝产品的故障或失效可能导致人的生命，人身伤害或损失
财产损失。
在开发设计时，请确保东芝产品在规定的工作范围用作规定
最近东芝的产品规格。另外，请记住载于“处理的注意事项和条件
导半导体设备“或”东芝半导体可靠性手册“等。
·
本文档中列出的东芝产品在一般电子应用（计算机，个人打算使用
设备，办公设备，测量设备，工业机器人，家用电器等） 。这些东芝的产品
既不打算也不为保证使用中的设备要求非常高的品质和/或可靠性或故障，或
这些故障可能会导致人的生命或身体伤害（ “意外用法” ）的损失。意想不到的用途包括原子能
控制仪表，飞机或太空船仪器，运输仪器，交通信号仪器仪表，燃烧控制
仪器，医疗仪器，各类安全装置等。东芝产品的非预期使用本文件所列
应在客户自己的风险进行。
2001-02-08
1/7
RN1101F~RN1106F
电气特性
（ TA = 25°C ）
特征
集电极截止
当前
RN1101F
~1106F
RN1101F
RN1102F
发射极截止电流
RN1103F
RN1104F
RN1105F
RN1106F
RN1101F
RN1102F
直流电流增益
RN1103F
RN1104F
RN1105F
RN1106F
集电极 - 发射极
饱和电压
RN1101F
~1106F
RN1101F
RN1102F
输入电压（ ON）的
RN1103F
RN1104F
RN1105F
RN1106F
RN1101F
~1104F
RN1105F,
1106F
跃迁频率
集电极输出
电容
RN1101F
~1106F
RN1101F
~1106F
RN1101F
RN1102F
输入电阻
RN1103F
RN1104F
RN1105F
RN1106F
RN1101F
~1104F
电阻率
RN1105F
RN1106F
R1/R2
―
―
R1
―
―
V
我（上）
―
V
CE
= 0.2V ，我
C
= 5毫安
V
CE （SAT）
―
I
C
= 5毫安，我
B
= 0.25毫安
h
FE
―
V
CE
= 5V ，我
C
= 10毫安
I
EBO
―
V
EB
= 10V ，我
C
= 0
符号
I
CBO
I
首席执行官
TEST
电路
―
测试条件
V
CB
= 50V ，我
E
= 0
V
CE
= 50V ，我
B
= 0
民
―
―
0.82
0.38
0.17
0.082
V
EB
= 5V ，我
C
= 0
0.078
0.074
30
50
70
80
80
80
―
1.1
1.2
1.3
1.5
0.6
0.7
1.0
V
我（关闭）
―
V
CE
= 5V ，我
C
= 0.1毫安
0.5
f
T
C
ob
―
―
V
CE
= 10V ，我
C
= 5毫安
V
CB
= 10V ，我
E
= 0,
F = 1MH
z
―
―
3.29
7
15.4
32.9
1.54
3.29
0.9
0.0421
0.09
―
250
3
4.7
10
22
47
2.2
4.7
1.0
0.0468
0.1
0.8
―
6
6.11
13
28.6
61.1
2.86
6.11
1.1
0.0515
0.11
000707EAA2
典型值。
―
―
―
―
―
―
―
―
―
―
―
―
―
―
0.1
―
―
―
―
―
―
―
最大
100
500
1.52
0.71
0.33
0.15
0.145
0.138
―
―
―
―
―
―
0.3
2.0
2.4
3.0
5.0
1.1
1.3
1.5
单位
nA
mA
―
V
V
输入电压（OFF）的
V
MH
z
pF
k
·
此处包含的信息仅显示为对我们产品的应用指南。无责任承担
东芝公司知识产权的任何侵犯第三方或其他权利，可能导致其
使用。无许可证下的任何知识产权或东芝或其他权利授予暗示或其他方式
其他人。
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