RMWB24001
2004年6月
RMWB24001
24 GHz的缓冲放大器MMIC
概述
该RMWB24001是一个3级的GaAs MMIC放大器
设计为17至24 GHz的缓冲放大器，用于在使用中
点对点和点对多点无线电设备，以及各种
通信应用。与其他一起
放大器，乘法器和混频器它形成了一个完整的一部分
23日和26 GHz的发射/接收芯片组。该RMWB24001
利用我们的0.25微米功率PHEMT工艺，是
充分多功能服务于各种媒体的力量
放大器应用。
特点
4密耳底
小信号增益25分贝（典型值）。
饱和功率17dBm的输出（典型值）。
电压检测器来监测噘
芯片尺寸2.5毫米X 1.5毫米X 100微米
设备
绝对额定值
符号
Vd
Vg
VDG
I
D
P
IN
T
C
T
英镑
R
JC
参数
正直流电压（ + 4V典型）
负的直流电压
同时（ VD- VG）
正向直流电流
RF输入功率（从50
源）
工作基板温度
存储温度范围
热电阻（通道到背面）
评级
+6
-2
8
110
+11
-30至+85
-55到+125
148
单位
V
V
V
mA
DBM
°C
°C
° C / W
2004仙童半导体公司
RMWB24001 Rev. D的
RMWB24001
电气特性
（在25℃） ， 50
系统， VD = + 4V ，静态电流IDQ = 70毫安
参数
频带
门电源电压
1
（ VG ）
增益（小信号引脚= 10dBm的）
增益变化与频率的关系
电源输出饱和： （引脚= + 5dBm的）
漏电流在PSAT
功率增加外汇基金fi效率（ PAE ） ：在PSAT
输入回波损耗（销= -10dBm ）
输出回波损耗（销= -10dBm ）
直流电压检测器在噘= 17dBm的
注意：
1:
典型的范围栅极电压为-0.5 0V设置70毫安典型的IDQ 。
民
17
13
14
典型值
-0.2
15
2.0
17
80
15
12
12
1.0
最大
24
18
19
单位
GHz的
V
dB
dB
DBM
mA
%
dB
dB
V
应用信息
注意：这是一个ESD敏感器件。
芯片载体材料应选择为具有扩张和高导热的砷化镓兼容的热膨胀系数
传导率，例如铜钼或铜钨。芯片载体应进行机械加工，平收，镀
金在镍和应能经受325 ℃下进行15分钟。
模具附件应利用黄金/天（ 80/20 ）共晶合金钎料，并应避免氢气环境PHEMT
设备。需要注意的是在芯片的背面是镀金的，并用作RF和DC接地。
这些GaAs器件应小心处理，并储存在干燥的氮气环境中，以防止污染
粘接表面。这些都是ESD敏感设备，应使用适当的预防措施包括使用处理
手腕带接地。所有的芯片粘接和导线/带式连接的设备必须良好接地，以防止静电放电
通过该装置。
推荐使用引线键合使用3密耳宽， 0.5毫米厚的金丝带的长度越短的实际，允许
适当的缓解压力。在RF输入和输出键应该是通常0.012"长对应于典型的2密耳间隙
在芯片和衬底材料之间。
漏
供应
Vd1
MMIC芯片
在RF
RF OUT
漏
供应
VD2维生素D3
输出功率
检测电压
VDET
门供应
地
Vg
（返回芯片）
图1.功能框图
1
注意：
1:
探测器提供>0V DC到3K
负载电阻为> + 17dBm的输出功率。如果没有所需的输出功率电平检测，不要让连接器
焊盘。
2004仙童半导体公司
RMWB24001 Rev. D的
RMWB24001
0.00 0.11
1.50
1.38
0.48
1.77
2.02
2.38 2.50
1.38
0.975
0.82
0.715
0.56
0.405
0.665
0.12
0.00
0.00 0.11
1.14
2.38 2.50
单位：毫米
图2.芯片布局和债券焊盘位置
芯片尺寸为2.50毫米X 1.50毫米X 100微米。回到芯片是射频和直流接地。
输出功率
检测电压V
DET
漏极供电
V
d
=4 V
连接线
100 pF的
100 pF的
连接线
万pF的
3 k
100 pF的
MMIC芯片
在RF
RF OUT
100 pF的
地
（返回芯片）
连接线
万pF的
门供应V
g
注意：
探测器提供> 0.1 V DC转化为> +17 dBm的输出功率3 kΩ的负载电阻。如果不期望的输出功率电平的检测，执行
无法连接到探测器焊盘。
图3.推荐应用电路原理图
2004仙童半导体公司
RMWB24001 Rev. D的
RMWB24001
漏极供电
V
d
= 4 V
万pF的
芯片附着
80金/ 20锡
100 pF的
100 pF的
输出功率
检测电压V
DET
3 k
100 pF的
5密耳厚
矾土
50欧姆
为5mil厚
矾土
50欧姆
RF输出
RF输入
100pF
L< 0.015"
（4处）
2密耳峡
10,000pF
门供应V
g
注意：
使用0.003"由0.0005"金丝带的结合。 RF输入和输出债券应小于0.015"长与应力缓和。
图4.推荐的组装图
2004仙童半导体公司
RMWB24001 Rev. D的
RMWB24001
推荐程序偏置和操作
小心：栅极电压（VG ），而亏损
漏极电压（VD ）存在可能损害
功放芯片。
步骤如下顺序必须遵循
正确测试放大器：
步骤1：
关闭RF输入功率。
步骤2：
连接直流电源理由的理由
在芯片载体。慢慢地施加负栅偏压电源
电压-1.5V至Vg的。
步骤3：
慢慢地运用积极的漏极偏置电源电压
+ 4V至Vd的。
步骤4：
调整栅极偏置电压来设置静态
当前的IDQ = 70毫安。
步骤5：
偏压的条件成立后，RF输入
信号现在可以在适当的频率被应用
乐队。
步骤6：
跟随关断顺序：
（一）关闭RF输入功率，
（二）调低或关闭漏极电压（VD ） ，
（ⅲ ）将向下并关闭栅极偏置电压（ Vg的） 。
典型特征
RMWB24001 24 GHz的BA ，噘VS引脚性能
晶圆上测量， VD = 4 V， IDQ = 70毫安
20
18
16
输出功率（dBm ） ，增益（dB ）
14
12
24 GHz的
10
21 GHz的
8
17 GHz的
6
4
2
0
-16
-14
-12
-10
-8
-6
-4
-2
0
2
4
6
8
10
输入功率（dBm ）
2004仙童半导体公司
RMWB24001 Rev. D的
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