RMWB11001
2004年6月
RMWB11001
11 GHz的缓冲放大器MMIC
概述
该RMWB11001是一个2级的GaAs MMIC放大器
设计为10.5 11.7 GHz的缓冲放大器的使用
点对点和点对多点无线电设备，以及各种
通信应用。与其他一起
飞兆半导体的RF放大器，乘法器和混频器构成其一部分
一个完整的38GHz的发送/接收芯片组。该
RMWB11001利用我们的0.25微米功率PHEMT工艺
并具有足够的通用性，以满足各种介质的
功率放大器的应用。
特点
4密耳底
小信号增益21分贝（典型值）。
饱和功率输出19dBm （典型值）。
电压检测器来监测噘
芯片尺寸2.0毫米X 1.3毫米
设备
绝对额定值
符号
Vd
Vg
VDG
I
D
P
IN
T
C
T
英镑
R
JC
参数
正直流电压（ + 4V典型）
负的直流电压
同时（ VD- VG）
正向直流电流
RF输入功率（从50
源）
工作基板温度
存储温度范围
热电阻（通道到背面）
评级
+6
-2
8
104
+8
-30至+85
-55到+125
180
单位
V
V
V
mA
DBM
°C
°C
° C / W
2004仙童半导体公司
RMWB11001版本C
RMWB11001
电气特性
（在25℃） ， 50
系统， VD = + 4V ，静态电流（ IDQ ） = 36毫安
参数
频带
门电源电压
1
（ VG ）
增益小信号（引脚= -10dBm ）
增益变化与频率的关系
电源输出饱和： （引脚= 2dBm的）
漏电流在PSAT （引脚= 2dBm的）
功率增加外汇基金fi效率（ PAE ） ：在PSAT
输入回波损耗（销= -10dBm ）
输出回波损耗（销= -10dBm ）
噪声系数
检测电压（噘= + 18dBm的）
注意：
1:
典型的范围栅极电压为-0.8至0.2V设置36毫安典型的IDQ 。
民
10.5
18
17
典型值
-0.5
21
最大
11.7
单位
GHz的
V
dB
dB
DBM
mA
%
dB
dB
dB
V
0.5
19
55
35
13
18
4
0.5
功能框图
1
漏极供电漏极供电
Vd1
Vd2
MMIC芯片
在RF
RF OUT
地
（返回芯片）
门供应
Vg
输出功率
检测电压Vdet中
注意：
1:
检测器提供约。 0.5V DC到3K
负载电阻为> + 18dBm的输出功率。如果不期望的输出功率电平的检测，不使连接到
检测焊盘。
2004仙童半导体公司
RMWB11001版本C
RMWB11001
图1.芯片布局和债券焊盘位置
0.0 0.11
1.3
0.577
2.0
1.3
1.145
0.873
0.873
0.720
0.720
0.567
0.567
0.106
0.0
0.0
0.5
0.65
1.828
2.0
0.0
芯片尺寸为2.0mm X 1.3毫米X 100微米。回到芯片是射频和直流接地。
图2.推荐应用电路原理图
漏极供电
VD = + 4 V
L =债券网
电感
L
10,000pF
100pF
L 100pF的
L
L
在RF
RF OUT
MMIC芯片
L
地
（返回芯片）
L
100pF
L
100pF
3 k
记
：检测器提供约。
0.5V DC到的3kΩ负载电阻
为> + 18 dBm的输出功率。如果
输出功率电平的检测是
不要期望，不要让
连接器的债券
垫。
门
供应
Vg
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10,000pF输出功率
检测电压
VDET
RMWB11001版本C
RMWB11001
图3.推荐的组装图
Vd
（正）
10,000pF
100pF
100pF
为5mil厚
矾土
50
5密耳厚
矾土
50
芯片附着
80Au/20Sn
RF
输入
RF
产量
100pF
2密耳峡
10,000pF
Vg的（负）
100pF
3K
L< 0.015 “
（4处）
VDET （正）
注意事项：
使用0.003"由0.0005"金丝带bonding.RF输入和输出债券应小于0.015"长与应力缓和。检测器提供约。 0.5V DC到
3 k
负载电阻为> + 18 dBm的输出功率。如果不希望的输出功率电平的检测不使连接到检测器结合焊盘。
应用信息
注意：这是一个ESD敏感器件。
芯片载体材料应选择为具有砷化镓
扩展和高兼容的热膨胀系数
热传导率，例如铜钼或铜
钨。芯片载体应进行机械加工，平收，
镀金在镍和应能够
经受325 ℃下进行15分钟。
模具附件应利用黄金/天（ 80/20 ）共晶合金
焊接，并应避免氢气环境PHEMT
设备。需要注意的是在芯片的背面被镀金
并且被用作RF和DC接地。
这些GaAs器件应小心处理，并
保存在干燥的氮气环境中，以防止污染
的接合面。这些都是静电敏感器件和
应该用适当的预防措施，包括处理
使用手腕带接地。所有的芯片粘接和电线/色带
债券设备必须良好接地，以防止静电
排出通过该装置。
推荐使用引线键合使用3密耳宽0.5密耳
厚金丝带的长度越短的实际，允许
为适当缓解压力。在RF输入和输出键
应通常0.012"长对应于典型的2
在芯片和衬底材料之间密耳间隙。
推荐程序偏置和操作
小心：栅极电压（VG ），而亏损
漏极电压（VD ）存在可能损害
功放芯片。
步骤如下顺序必须遵循
正确测试放大器：
步骤1：
关闭RF输入功率。
步骤2：
连接直流电源理由的理由
在芯片载体。慢慢地施加负栅偏压
-1.5V的电源电压Vg的。
步骤3：
慢慢地运用积极的漏极偏置电源电压
+ 4V至Vd的。
步骤4：
调整栅极偏置电压来设置静态
当前的IDQ = 36毫安。
步骤5：
偏压的条件成立后，RF输入
信号现在可以在适当的应用
频带。
步骤6：
跟随关断顺序：
（一）关闭RF输入功率，
（二）调低或关闭漏极电压（VD ） ，
（ⅲ ）将向下并关闭栅极偏置电压（ Vg的） 。
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RMWB11001版本C
RMWB11001
性能数据
RMWB11001 ， 11GHz的缓冲放大器，典型表现
晶圆上测量， VD = 4V ， IDQ = 36毫安
25
S21
20
S21 （ dB）的
15
S11
10
S22
5
0
9.5
-20
-25
12
-15
-5
S11 ，S22 （ dB）的
-10
S21 （ dB）的
0
30
20
10
0
-10
-20
-30
-40
-15
-50
-60
0
5
10
15
20
25
频率（GHz ）
30
35
10
10.5
11
频率（GHz ）
11.5
-20
40
S11
S22
-5
-10
S21
5
S11 ，S22 （ dB）的
0
RMWB11001 ， 11GHz的缓冲放大器，
典型性能， VD = 4V ， IDQ = 36毫安
芯片粘结成50Ω测试夹具
10
RMWB11001 ， 11GHz的缓冲放大器，
典型性能， VD = 4V ， IDQ = 36毫安
芯片粘结成50Ω测试夹具
25
输出功率（dBm ） ，增益（dB ）
检测器的直流电压（V）
1
0.9
20
0.8
0.7
0.6
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
4
0
10.5
RMWB11001 ， 11GHz的缓冲放大器，
典型性能， VD = 4V ， IDQ = 36毫安
检测电压转换成的3kΩ负载噘= + 18dBm的
15
噘嘴@ 10.5GHz
增益@ 10.5GHz
噘嘴@ 11.1GHz
增益@ 11.1GHz
噘嘴@ 11.7GHz
增益@ 11.7GHz
-12
-8
-4
输入功率（dBm ）
0
10
5
-16
10.7
10.9
11.1
11.3
频率（GHz ）
11.5
11.7
20
19
18
17
16
15
10.75
输出功率3分贝压缩（ DBM）
RMWB11001 ，典型性能随温度的变化，
VD = 4V ， IDQ = 36毫安，芯片粘结成50Ω测试夹具
21
增益3分贝压缩（分贝）
RMWB11001 ，典型性能随温度的变化，
VD = 4V ， IDQ = 36毫安，芯片粘结成50Ω测试夹具
19
18
17
16
11
11.25
11.5
频率（GHz ）
11.75
12
15
10.75
11
11.25
11.5
频率（GHz ）
11.75
12
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