【数据表4.5V驱动N沟道MOSFETRMW180N03结构硅N沟道MOSFET尺寸（单位：毫米）PS】,IC型号RMW180N03,RMW180N03 PDF资料,RMW180N03经销商,ic,电子元器件-51电子网

数据表

4.5V驱动N沟道MOSFET

RMW180N03

结构

硅N沟道MOSFET

尺寸

（单位：毫米）

PSOP8

0.5

5.0

6.0

(8)

(7)

(6)

(5)

■特点

1 ）高功率封装（ PSOP8 ）。

2 ）高速开关，低导通电阻。

3 ）低电压驱动（ 4.5V驱动器）。

0~0.1

0.5

1PIN MARK

(1) (2)

(3)

(4)

0.4

0.22

0.9

1.27

5.0

应用

开关

包装规格

包

TYPE

CODE

基本订购单位（件）

RMW180N03

TAPING

2500

内部电路

(8)

(7)

(6)

(5)

绝对最大额定值

（ TA = 25°C ）

符号

参数

漏源电压

栅源电压

漏电流

源出电流

（体二极管）

功耗

通道温度

储存温度范围

* 1 Pw10s ，职务cycle1 ％

* 2安装在40毫米× 40毫米CU板

范围

2.5

3.0

150

单位

(1)

(2)

(3)

(4)

(5)

(6)

(7)

(8)

来源

门

漏

(1)

(2)

(3)

(4)

DSS

连续

脉冲

连续

脉冲

GSS

总胆固醇

TSTG

ESD保护二极管

体二极管

热阻

参数

渠道环境

*安装在40毫米× 40毫米CU板

符号

RTH （ CH -A ）

范围

41.7

单位

/ W

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2011.03 - Rev.A的

RMW180N03

电气特性

（ TA = 25°C ）

参数

栅源漏

零栅极电压漏极电流

栅极阈值电压

静态漏源导通状态

阻力

正向转移导纳

输入电容

输出电容

反向传输电容

导通延迟时间

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

总栅极电荷

栅极 - 源电荷

栅极 - 漏极电荷

*脉冲

符号

GSS

DSS

GS （ TH）

DS （ ON）

升

国际空间站

OSS

RSS

D（上）

D（关闭）

分钟。

1.0

典型值。

4.0

5.5

1250

400

145

4.4

4.7

马克斯。

2.5

5.6

7.7

单位

条件

=20V, V

=0V

= 1mA时， V

=0V

=30V, V

=0V

= 10V ，我

=1mA

= 18A ，V

=10V

= 18A ，V

=4.5V

= 18A ，V

=10V

=15V

=0V

f=1MHz

= 9A ，V

15V

=10V

=1.67

=10

= 18A ，V

15V

=10V

数据表

漏源击穿电压V

（ BR ） DSS

Body

二极管的特性

（源极 - 漏极时）（Ta = 25C ）

参数

正向电压

*脉冲

符号

分钟。

典型值。

马克斯。

1.2

单位

条件

= 2.5A ，V

=0V

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RMW180N03

ⅵELECTRICAL

特性曲线

(Ta=25C)

图1典型的输出特性（ Ⅰ ）

漏电流：我

[A]

0.2

0.4

0.6

0.8

漏源电压： V

[V]

= 2.5V

= 2.8V

= 10V

= 4.5V

= 4.0V

= 3.5V

Ta=25°C

脉冲

图2典型的输出特性（ Ⅱ ）

= 3.0V

漏电流：我

[A]

漏源电压： V

[V]

= 2.5V

= 4.0V

= 3.5V

= 2.8V

= 10.0V

= 4.5V

= 3.0V

Ta=25°C

脉冲

数据表

图3典型的传输特性

100

= 10V

脉冲

漏电流：我

[A]

Ta=125°C

Ta=75°C

Ta=25°C

Ta=-25°C

静态漏源导通状态

电阻值：R

(

)[m]

100

图4静态漏源导通状态

电阻与漏电流（ Ⅰ ）

Ta=25°C

脉冲

= 4.5V

= 10V

0.1

0.01

0.001

0.1

100

栅源电压： V

[V]

图5静态漏源导通状态

电阻与漏电流（ Ⅰ ）

100

静态漏源导通状态

电阻值：R

(

)[m]

= 10V

脉冲

100

= 4.5V

脉冲

漏电流：I

[A]

图6静态漏源导通状态

电阻与漏电流（ Ⅰ ）

静态漏源导通状态

电阻值：R

(

)[m]

Ta=125°C

Ta=75°C

Ta=25°C

Ta=-25°C

Ta=125°C

Ta=75°C

Ta=25°C

Ta=-25°C

0.1

100

漏电流：I

[A]

0.1

100

漏电流：I

[A]

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图7正向转移导纳

与漏电流

100

正向转移导纳： | YFS | [S ]

= 10V

脉冲

图8反向漏电流

与水稻源极 - 漏极电压

100

=0V

脉冲

源电流：是[ A]

数据表

Ta=125°C

Ta=75°C

Ta=25°C

Ta=-25°C

Ta=125°C

Ta=75°C

Ta=25°C

Ta=-25°C

0.1

0.01

0.1

100

0.5

1.5

漏电流：I

[A]

图9静态漏源导通状态

电阻与栅源电压

= 18.0A

静态漏源导通状态

电阻值：R

(

)[m]

= 9.0A

切换时间： T [ NS ]

1000

Ta=25°C

脉冲

10000

源极 - 漏极电压： V

[V]

图10开关特性

D（关闭）

Ta=25°C

=15V

=10V

=10Ω

脉冲

100

D（上）

0.01

0.1

100

漏电流：I

[A]

栅源电压： V

[V]

图11动态输入特性

10000

图12典型电容

与漏源电压

栅源电压： V

[V]

国际空间站

电容： C [ pF的]

1000

Ta=25°C

= 15V

= 18A

=10Ω

脉冲

OSS

100

RSS

Ta=25°C

f=1MHz

=0V

0.01

0.1

100

总栅极电荷：的Qg [ NC ]

漏源电压： V

[V]

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数据表

图13最大安全运行的Aera

1000

操作在此区域由限定

DS （ ON）

=10V)

漏电流：我

(A)

100

=100u

图14归瞬态热电阻与脉冲宽度

NORMARIZED瞬态热

电阻： R（T ）

0.1

=1ms

= 10ms的

0.01

0.1

= 25°C

单脉冲

安装在铜板

0.1

直流操作

= 25°C

单脉冲： 1台

第r （ CH-A ）（吨）= R（ t）的×的Rth （声道-a）的

RTH （ CH-A ） = 41.7

° C / W

<Mounted在铜board>

0.001

0.01

0.1

100

1000

0.01

0.001

100

0.0001

漏源电压： V

[V]

脉冲宽度： Pw的（ S）

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PSOP8

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