RMPA39100
2004年6月
RMPA39100
37-40 GHz的1瓦功率放大器MMIC
概述
仙童半导体公司的RMPA39100是高
效率功率放大器设计用于点对点
并指出多点无线电，以及各种通讯
阳离子的应用程序。该RMPA39100是一个3级的GaAs
MMIC放大器采用先进的0.15微米栅长
功率PHEMT工艺，并且可以结合使用
与其他驱动器或功率放大器，以达到所需
总功率输出。
特点
18分贝小信号增益（典型值）。
30dBm的饱和功率输出（典型值）。
电路包含单个源通孔
芯片尺寸4.28毫米X 3.19毫米X 50微米
设备
绝对额定值
符号
Vd
Vg
VDG
I
D
P
IN
T
C
T
英镑
R
JC
参数
正直流电压（ + 5V典型值）
负的直流电压
同时（ VD- VG）
正向直流电流
RF输入功率（从50
源）
工作基板温度
存储温度范围
热电阻（通道到背面）
评级
+6
-2
+8
1392
18
-30至+85
-55到+125
9
单位
V
V
V
mA
DBM
°C
°C
° C / W
2004仙童半导体公司
RMPA39100版本C
RMPA39100
电气特性
（在25℃） ， 50
系统， VD = + 5V ，静态电流（ IDQ ） =千毫安
参数
频带
门电源电压（ VG）
1
增益小信号（引脚=为0dBm ）
增益变化与频率的关系
功率输出P1dB压缩
电源输出饱和（引脚= + 14.5dBm ）
漏电流在引脚= 0dBm的
漏电流在P1dB压缩
漏电流在PSAT
功率增加外汇基金fi效率（ PAE ）的P1dB为
OIP3 （ 17dBm的/音） （ 10MHz的音九月）
输入回波损耗（销=为0dBm ）
输出回波损耗（销=为0dBm ）
注意：
1.典型的范围内负栅极电压为-0.5 0.0V ，设置典型的IDQ千毫安。
民
37
16
典型值
-0.2
18
±1.5
29
30
1000
1160
1200
17
35
10
7
最大
40
单位
GHz的
V
dB
dB
DBM
DBM
mA
mA
mA
%
DBM
dB
dB
28
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RMPA39100版本C
RMPA39100
应用信息
注意：这是一个ESD敏感器件。
芯片载体材料应选择为具有扩张和高导热的砷化镓兼容的热膨胀系数
传导率，例如铜钼或铜钨。芯片载体应进行机械加工，平收，镀
金在镍和应能经受325 ℃下进行15分钟。
模具附件电力设备应利用黄金/天（ 80/20 ）共晶合金钎料，并应避免氢气
环境PHEMT器件。需要注意的是在芯片的背面是镀金的，并用作RF和DC接地。
这些GaAs器件应小心处理，并储存在干燥的氮气环境中，以防止污染
粘接表面。这些都是ESD敏感设备，应使用适当的预防措施包括使用处理
手腕带接地。所有的芯片粘接和导线/带式连接的设备必须良好接地，以防止静电放电
通过该装置。
推荐使用引线键合采用3mils宽0.5密耳厚的金丝带的长度越短的实际，允许
适当的缓解压力。在RF输入和输出债券应一般为12密耳长对应于典型的2密耳间隙
在芯片和衬底材料之间。
漏极供电
（ VDA & VDB ）
MMIC芯片
在RF
RF OUT
地
（回到芯片）
门供应
（ VGA & VGB ）
图1.功能框图
0.1256"
(3.190mm)
0.1178"
(2.994mm)
0.0699"
(1.777mm)
0.0628"
(1.597mm)
0.0558"
(1.417mm)
0.0078"
(.2mm)
0.0
0.0
0.0078"
(.2mm)
0.0356"
(.9mm)
0.0745"
(1.893mm)
0.1159"
(2.944mm)
0.168"
(4.279mm)
0.1595"
(4.052mm)
图2.芯片布局和债券焊盘位置
（芯片尺寸4.28毫米X 3.19毫米X 50微米。回到芯片是射频和直流接地）
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RMPA39100版本C
RMPA39100
Vg的（负）
10000pF
VD （正）
10000pF
芯片附着
80Au/20Sn
2密耳峡
100pF
100pF
5密耳厚
矾土
50
5密耳厚
矾土
50
RF输入
RF输出
L < 0.015"
（4处）
100pF
100pF
10000pF
10000pF
Vg的（负）
VD （正）
注意：
使用0.003"由0.0005"金丝带的结合。 RF输入和输出债券应小于0.015"长与应力缓和。
VD应该从1电源两侧有偏差，如图所示。 vg中可以从一侧或两侧被偏置为1供给。
图4.推荐大会和键合图
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RMPA39100版本C
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