RMPA2451
2004年4月
RMPA2451
2.4-2.5 GHz的砷化镓MMIC功率放大器
概述
飞兆半导体的RMPA2451是部分
在一个表面相匹配的单片功率放大装
包在2.4 2.5在无线应用中使用
GHz的ISM频段。该放大器可以被偏置为
线性AB类或F级高效率的应用。
外部匹配元件需要优化
RF性能。该MMIC芯片设计采用了
0.25微米功率假晶高电子迁移率
（ PHEMT ）工艺。
特点
38 ％的功率附加效率
为29dBm的典型输出功率
小封装外形： 0.28" X 0.28" X 0.07"
低功耗模式： 0 dBm的
设备
绝对额定值
符号
VD1，VD2
VG1 ， VG2
VD -VG
P
IN
Id1
Id2
Ig
T
C
T
例
T
英镑
R
JC
参数
正漏极电压DC
负栅极的直流电压
同时漏极至栅极电压
RF输入功率（从50
源）
漏电流，第一阶段
漏电流，第二阶段
栅电流
通道温度
工作温度
存储温度范围
热电阻（通道到外壳）
民
0
-5
最大
+8
0
+10
+10
75
525
5
175
85
125
33
单位
V
V
V
DBM
mA
mA
mA
°C
°C
°C
° C / W
-40
-40
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RMPA2451版本B
RMPA2451
电气特性
1
参数
频带
收益
1
输出功率，
功率增加外汇基金fi效率
三阶互调。产品
2
漏电流（ID1 + ID2）
栅电流（ IG1 + IG2 ）
输入回波损耗（ 50W ）
低功耗模式，
噘
3
0
P1dB
1
民
2400
28.5
27
典型值
33
29
38
-35
430
5
2:1
最大
2500
单位
兆赫
dB
DBM
%
dBc的
mA
mA
dB
DBM
-27
注意事项：
1.生产测试，包括增益，输出功率AT1 - dB增益压缩（ P1dB的），并在Vd1的= Vd2的= 5.0输入回波损耗; VG1 ， VG2 = -0.5V （标称值） ，调整
VG1和VG2得到Idq1 = 60毫安， Idq2 = 340毫安和以F = 2.45GHz的，在25℃下。
2.双音三阶输出交调产物（ IM3 ）的测量为25dBm的总输出功率电平（音间隔为1MHz ） 。
3. VG1 ， VG2绑在一起。 VD = 5V ，直到IDQ总= 45 mA时，引脚= -10dBm 。
其它参数由设计验证测试（ DVT ）保证
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RMPA2451
应用信息
注意：这是一个ESD敏感器件。
以下描述的步骤，用于评估RMPA2451 ，部分匹配的PHEMT单片功率放大器
这已被设计为在2.4无线应用 - 2.5GHz的ISM频段，在一个表面安装封装。包
轮廓，随着销指定，被提供作为图1中的包装的产品的功能框图
提供为图2 。
但是应当指出的是， RMPA2451需要使用外部无源元件来形成的DC偏置和射频输出
匹配电路。的示意图，用于推荐的DC偏置/ RF匹配电路示于图3中，随着列表
相应的组件。图4示出评估板基于此原理图（ RMPA2451 - TB）的布局。
图5和图6示出了典型的器件性能。横跨得到此数据为各种操作参数
设计带宽在一个温度范围内进行。
图5示出了变化的增益和P1dB的与温度和工作频率。
图6显示了在不同的总输出功率电平测量的第三阶互调产物。
顶视图
0.200 SQ 。
6
5
4
底部视图
4
5
6
7
3
2
0.015
3
7
8
9
2
1
0.030
8
9
1
0.020
0.011
10 11 12
12 11 10
0.041
塑料盖
0.008
0.015
0.282
针
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
BASE
描述
VD2 + RF输出
VD2 + RF输出
VD2 + RF输出
GND
Vd1
GND
GND
在RF
GND
Vg1
Vg2
GND
GND
0.075 MAX
侧面部分
尺寸以英寸
图1.封装信息
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PIN ＃ 5
Vd1
销＃ 4 ， ＃ 6 ， ＃ 7 ， ＃ 9 ， ＃ 12
地
MMIC芯片
PIN ＃ 8
RF输入
引脚＃1，＃ 2，＃3
射频输出& Vd2的
地
（回到芯片）
针＃ 10
Vg1
PIN ＃ 11
Vg2
图2.功能框图
测试程序的评估板（ RMPA2451 - TB）
重要的是，有以下几点注意之前
测试;销标号在图2和图4所示。
V
gg1
和V
gg2
是负栅偏压
在评价试验板的销施加。
V
dd1
和V
dd2
是正漏极偏压电压
在评价试验板的销施加。
V
g1
和V
g2
应用负栅极偏置电压
在封装的管脚。
V
d1
和V
d2
应用正漏极偏置电压
在封装的管脚。
注意：栅极电压损失（ VG1 ， VG2 ）
WHILE漏极电压（ VD1 ， VD2 ）存在
可能损坏放大器。
程序按以下顺序必须遵循
正确测试放大器：
步骤1：
打开所述RF电源。
步骤2：
使用该评估板的GND端子
直流电源的接地。
步骤3：
申请的大致标称电压 - 3.0V至
双方V
gg1
和V
gg2
终端。
步骤4：
适用的+ 5.0V的额定电压为V
dd
终端。调整V
gg2
以提供第二阶段的静态
漏电流，我
dd2
， 340毫安。调整V
gg1
得到的第一
举办静态漏电流，I
d1
的60毫安。
步骤5：
在ISM频率范围内应用的RF信号
（2.4 - 2.5千兆赫） ，在-10 dBm的初始输入功率电平。
步骤6：
要执行互调产物的测量
ments ，用频率的第二RF信号发生器
在1 MHz差是必需的，以及一个适当的
功率合成器。测试配置应该允许这种
附加发生器，以提供相同的输入功率电平
作为第一个发电机到器件中。互
读数然后可以在所需要的总输出进行
功率电平。
步骤7：
以较低的静态漏电流工作，
加V的大小
gg1
和V
gg2
根据需要，
可选地，在较高的静态漏电流来操作，
V的量值
gg1
和V
gg2
应降低
因此。
步骤8：
当转动放大器断开时，电
顺序应该颠倒过来。
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