初步
RMPA1966我罗 WCDMA波段II电源放大器器模块
2007年4月
RMPA1966
我罗
WCDMA波段II电源放大器器模块
特点
■
40％的WCDMA英法fi效率为+ 28.5dBm噘
■
20％的WCDMA英法fi效率（ 58毫安总电流）
■
■
■
■
tm
概述
该RMPA1966电源放大器器模块（ PAM ）是
飞兆半导体的50个最新创新
匹配，表面
安装模块针对UMTS / WCDMA / HSDPA
应用程序。接听电话的超低直流电源
消耗和延长电池寿命的便携式
电子，该RMPA1966采用新型专利
电路，大大减少放大器呃电流低
介质的RF输出功率电平（ < + 16dBm时），其中，所述
手机最常运行。一个简单的两种状态VMODE
控制所有需要降低工作电流
通过在16dBm的输出功率的60％以上，并
静态电流（ Iccq ）高达70 ％相比，
传统的节能方法。无需额外的电路，
诸如直流 - 直流转换器，便可实现本
显着改善扩增fi er EF网络效率。此外，
4 ×4× 1.0毫米LCC封装引脚兼容和
插入式替换上一代的4 x 4mm的的PAM
广泛应用的今天，最大限度地减少了设计时间申请
这种性能增强技术。多级
的GaAs单片微波集成电路（ MMIC）是
采用飞兆半导体的RF的的InGaP异质结制备
双极型晶体管（ HBT）的过程。
■
■
■
+ 16dBm的噘
低静态电流（ Iccq ） ： 25毫安低功耗
模式
符合UMTS / WCDMA的性能要求
满足HSDPA的性能要求
具有低功耗，单正电源供电，
关断模式
3.4V Vcc的典型操作
低Vref的（ 2.85V ）与先进的手机兼容
芯片组
紧凑的无铅兼容LCC封装 -
（ 4.0× 4.0× 1.0毫米标称）
工业标准引脚
内部匹配50
和DC封锁RF
输入/输出
功能框图
（ TOP VIEW ）
MMIC
Vcc1
1
在RF
GND
VMODE
VREF
10
Vcc2
输入
MATCH
产量
MATCH
BIAS /模式开关
2
3
4
5
9
GND
8
RF OUT
7
GND
6
GND
11 （上包底桨地）
2007仙童半导体公司
RMPA1966我罗版本C
www.fairchildsemi.com
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RMPA1966我罗 WCDMA波段II电源放大器器模块
绝对最大额定值
(1)
符号
VCC1 ， VCC2
VREF
VMODE
针
TSTG
电源电压
参考电压
功率控制电压
RF输入功率
储存温度
参数
价值
5.0
2.6 3.5
3.5
+10
-55到+150
单位
V
V
V
DBM
°C
注意：
1.有一个参数没有造成永久性损坏定为极限。其它参数设置为典型值。
电气特性
(2)
符号
f
参数
工作频率
分钟。
1850
典型值。
马克斯。
1910
单位
兆赫
评论
CDMA / WCDMA运营
Gp
功率增益
28
20
Po
线性输出功率
28.5
16
PAED
PAED （数字） @ + 28.5dBm
PAED （数字） @ + 16dBm的
ITOT
高功率总电流
低功耗的总电流
WCDMA
相邻信道泄漏比
ACLR1
± 5.00MHz偏移
-40
-40
ACLR2
± 10.00MHz偏移
-55
-55
一般特性
VSWR
NF
RX NO
2fo
3fo-5fo
S
输入阻抗
噪声系数
接收频带噪声功率
谐波抑制
谐波抑制
杂散输出
(3)(4)
dB
dB
DBM
DBM
宝= + 28.5dBm ; VMODE = 0V
宝= + 16dBm的; VMODE
≥
2.0V
Vmode=0V
VMODE
≥
2.0V
Vmode=0V
VMODE
≥
2.0V
宝= + 28.5dBm ， VMODE = 0V
宝= + 16dBm时， VMODE
≥
2.0V
WCDMA 3GPP调制
3.2 03-00 DPCCH 1 DCDCH
40
20
520
58
%
%
mA
mA
dBc的
dBc的
dBc的
dBc的
宝= + 28.5dBm ; VMODE = 0V
宝= + 16dBm的; VMODE
≥
2.0V
宝= + 28.5dBm ; VMODE = 0V
宝= + 16dBm的; VMODE
≥
2.0V
2.0:1
4
-139
-40
-55
2.5:1
dB
dBm / Hz计
dBc的
dBc的
-60
10:1
dBc的
Po
≤
+28.5dBm;
1930年至1990MHZ
Po
≤
+28.5dBm
Po
≤
+28.5dBm
负载VSWR
≤
5.0:1
没有永久的伤害。
°C
VMODE
≥
2.0V
Po
≤
+28.5dBm
没有应用的RF信号
坚固耐用W /负载不匹配
(4)
Tc
情况下的工作温度
-30
85
DC特性
ICCQ
IREF
IC卡（关闭）
静态电流
参考电流
关断电流
25
5.0
1
5
mA
mA
A
注意事项：
2.所有参数满足在Tc = + 25 ° C， VCC = + 3.4V ， VREF = 2.85V和负载VSWR
≤
1.2 ：1，除非另有说明。
3.所有的相位角。
4.通过设计保证。
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推荐工作条件
符号
f
VCC1 ， VCC2
VREF
电源电压
参考电压
（操作）
（ SHUTDOWN ）
偏置控制电压
（低功耗）
（高功率）
线性输出功率
（高功率）
（低功耗）
情况下的工作温度
-30
参数
工作频率
分钟。
1850
3.0
2.7
0
1.8
0
典型值。
3.4
2.85
马克斯。
1910
4.2
3.1
0.5
3.0
0.5
+28.5
单位
兆赫
V
V
V
V
V
DBM
DBM
°C
VMODE
2.0
噘
+16
+85
Tc
DC开启顺序
1 ） VCC1 =电源Vcc2 = 3.4V （典型值）
2 ） VREF = 2.85V （典型值）
3 ）高功率： VMODE = 0V （噘> 16dBm的）
低功耗： VMODE = 2V （噘< 16dBm的）
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RMPA1966我罗 WCDMA波段II电源放大器器模块
评估板布局
1
5
6
3
6
5
2
1966
XYTT
Z
4
7
5
材料清单
数量
1
2
5
REF
3
3
2
1
1
的A / R
的A / R
ITEM NO 。
1
2
3
4
5
5 （ ALT ）
6
7
7 （ ALT ）
8
9
产品型号
G657553-1 V2
#142-0701-841
#2340-5211TN
GRM39X7R102K50V
ECJ-1VB1H102K
C3216X5R1A335M
GRM39Y5V104Z16V
ECJ-1VB1C104K
SN63
SN96
PC板
描述
SMA连接器
码头
大会RMPA1966
1000pF的电容（ 0603 ）
1000pF的电容（ 0603 ）
3.3μF电容（ 1206 ）
0.1μF电容（ 0603 ）
0.1μF电容（ 0603 ）
锡膏
锡膏
供应商
飞兆半导体
约翰逊
3M
飞兆半导体
村田
松下
TDK
村田
松下
铟泰公司
铟泰公司
评估板电路图
3.3
F
Vcc1
SMA1
在RF
50欧姆TRL
1000 pF的
1
2
4
1000 pF的
10
3.3
F
Vcc2
50欧姆TRL
1966
XYTT
8
SMA2
RF OUT
Z
VMODE
VREF
1000 pF的
5
11
3,6, 7,9
0.1
F
（包基地）
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RMPA1966我罗 WCDMA波段II电源放大器器模块
包装外形
I / O 1指示灯
顶视图
1
2
10
9
1966
XYTT
(4.00mm
+.100
） SQUARE
–.050
3
4
5
8
6
最高1.1mm 。
前视图
0.25毫米TYP 。
3.50毫米TYP 。
SEE细节
.40mm
0.30毫米TYP 。
0.85毫米TYP 。
11
2
1
1.08mm
1.84mm
底部视图
.18mm
细节A. TYP 。
3.65mm
.10mm
.10mm
.40mm
.45mm
信号说明
针＃
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
信号名称
Vcc1
在RF
GND
VMODE
VREF
GND
GND
RF OUT
GND
Vcc2
GND
描述
电源电压为输入级
RF输入信号
地
高功率/低功率模式控制
参考电压
地
地
RF输出信号
地
电源电压输出级
桨地面
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5
Z
T
T
XY
9 6 6
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Z
7
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RMPA1966
我罗
WCDMA波段II电源放大器ER模块， 1850-1910兆赫
2006年6月
RMPA1966
我罗
WCDMA波段II电源放大器ER模块， 1850-1910兆赫
特点
■
40％的WCDMA英法fi效率为+ 28.5dBm噘
■
20％的WCDMA英法fi效率（ 58毫安总电流）
■
■
■
■
概述
该RMPA1966电源放大器器模块（ PAM ）是
飞兆半导体的50个最新创新
匹配，表面
安装模块针对UMTS / WCDMA / HSDPA
应用程序。接听电话的超低直流电源
消耗和延长电池寿命的便携式
电子，该RMPA1966采用新型专利
电路，大大减少放大器呃电流低
介质的RF输出功率电平（ < + 16dBm时），其中，所述
手机最常运行。一个简单的两种状态VMODE
控制所有需要降低工作电流
通过在16dBm的输出功率的60％以上，并
静态电流（ Iccq ）高达70 ％相比，
传统的节能方法。无需额外的电路，
诸如直流 - 直流转换器，便可实现本
显着改善扩增fi er EF网络效率。此外，
4 ×4× 1.0毫米LCC封装引脚兼容和
插入式替换上一代的4 ×4mm的的PAM
广泛应用的今天，最大限度地减少了设计时间申请
这种性能增强技术。多级
的GaAs单片微波集成电路（ MMIC）是
采用飞兆半导体的RF的的InGaP异质结制备
双极型晶体管（ HBT）的过程。
■
■
■
+ 16dBm的噘
低静态电流（ Iccq ） ： 18毫安低功耗
模式
符合UMTS / WCDMA的性能要求
满足HSDPA的性能要求
具有低功耗，单正电源供电，
关断模式
3.4V Vcc的典型操作
低Vref的（ 2.85V ）与先进的手机兼容
芯片组
紧凑的无铅兼容LCC封装 -
（ 4.0× 4.0× 1.0毫米标称）
工业标准引脚
内部匹配50
和DC封锁RF
输入/输出
功能框图
（ TOP VIEW ）
MMIC
Vcc1
1
在RF
GND
VMODE
VREF
10
Vcc2
输入
MATCH
产量
MATCH
BIAS /模式开关
2
3
4
5
9
GND
8
RF OUT
7
GND
6
GND
11 （上包底桨地）
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我罗
版本B
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RMPA1966
我罗
WCDMA波段II电源放大器ER模块， 1850-1910兆赫
绝对最大额定值
1
符号
VCC1 ， VCC2
VREF
VMODE
针
TSTG
电源电压
参考电压
功率控制电压
RF输入功率
储存温度
参数
价值
5.0
2.6 3.5
3.5
+10
-55到+150
单位
V
V
V
DBM
°C
注意：
1.有一个参数没有造成永久性损坏定为极限。其它参数设置为典型值。
电气特性
1
符号
参数
民
1850
28
20
28.5
16
40
20
520
58
典型值
最大
1910
单位
兆赫
dB
dB
DBM
DBM
%
%
mA
mA
评论
f
工作频率
CDMA / WCDMA运营
Gp
功率增益
Po
PAED
线性输出功率
PAED （数字） @ + 28.5dBm
PAED （数字） @ + 16dBm的
ITOT
高功率总电流
低功耗的总电流
WCDMA
相邻信道泄漏比
ACLR1
ACLR2
± 5.00MHz偏移
± 10.00MHz偏移
-40
-40
-55
-55
2.0:1
4
-139
-40
-55
-60
10:1
85
18
4.5
1
2.5:1
dBc的
dBc的
dBc的
dBc的
宝= + 28.5dBm ; VMODE = 0V
宝= + 16dBm的; VMODE
≥
2.0V
Vmode=0V
VMODE
≥
2.0V
Vmode=0V
VMODE
≥
2.0V
宝= + 28.5dBm ， VMODE = 0V
宝= + 16dBm时， VMODE
≥
2.0V
WCDMA 3GPP调制
3.2 03-00 DPCCH 1 DCDCH
宝= + 28.5dBm ; VMODE = 0V
宝= + 16dBm的; VMODE
≥
2.0V
宝= + 28.5dBm ; VMODE = 0V
宝= + 16dBm的; VMODE
≥
2.0V
一般特性
驻波比输入阻抗
NF
噪声系数
RX NO
接收频带噪声功率
2fo
3fo-5fo
S
谐波抑制
谐波抑制
杂散输出
2,3
不匹配
3
-30
dB
dBm / Hz计
dBc的
dBc的
dBc的
°C
mA
mA
A
Po
≤
+28.5dBm;
1930年至1990MHZ
Po
≤
+28.5dBm
Po
≤
+28.5dBm
负载VSWR
≤
5.0:1
没有永久的伤害。
坚固耐用W /负载
Tc
情况下的工作温度
DC特性
ICCQ
静态电流
IREF
参考电流
ICC（关）关断电流
5
VMODE
≥
2.0V
Po
≤
+28.5dBm
没有应用的RF信号
注意事项：
1.所有参数满足在Tc = + 25 ° C， VCC = + 3.4V ， VREF = 2.85V和负载VSWR
≤
1.2 ：1，除非另有说明。
2.所有的相位角。
3.通过设计保证。
RMPA1966
我罗
版本B
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RMPA1966
我罗
WCDMA波段II电源放大器ER模块， 1850-1910兆赫
推荐工作条件
符号
f
VCC1 ， VCC2
VREF
电源电压
参考电压
（操作）
（ SHUTDOWN ）
偏置控制电压
（低功耗）
（高功率）
线性输出功率
（高功率）
（低功耗）
情况下的工作温度
-30
参数
工作频率
民
1850
3.0
2.7
0
1.8
0
典型值
3.4
2.85
最大
1910
4.2
3.1
0.5
3.0
0.5
+28.5
单位
兆赫
V
V
V
V
V
DBM
DBM
°C
VMODE
2.0
噘
+16
+85
Tc
DC开启顺序
1 ） VCC1 =电源Vcc2 = 3.4V （典型值）
2 ） VREF = 2.85V （典型值）
3 ）高功率： VMODE = 0V （噘> 16dBm的）
低功耗： VMODE = 2V （噘< 16dBm的）
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RMPA1966
我罗
WCDMA波段II电源放大器ER模块， 1850-1910兆赫
评估板布局
1
5
6
3
6
5
2
1966
XYTT
Z
4
7
5
材料清单
数量
1
2
5
REF
3
3
2
1
1
的A / R
的A / R
ITEM NO 。
1
2
3
4
5
5 （ ALT ）
6
7
7 （ ALT ）
8
9
产品型号
G657553-1 V2
#142-0701-841
#2340-5211TN
GRM39X7R102K50V
ECJ-1VB1H102K
C3216X5R1A335M
GRM39Y5V104Z16V
ECJ-1VB1C104K
SN63
SN96
PC板
描述
SMA连接器
码头
大会RMPA1966
1000pF的电容（ 0603 ）
1000pF的电容（ 0603 ）
3.3μF电容（ 1206 ）
0.1μF电容（ 0603 ）
0.1μF电容（ 0603 ）
锡膏
锡膏
供应商
飞兆半导体
约翰逊
3M
飞兆半导体
村田
松下
TDK
村田
松下
铟泰公司
铟泰公司
评估板电路图
3.3
F
Vcc1
SMA1
在RF
50欧姆TRL
1000 pF的
1
2
4
1000 pF的
10
3.3
F
Vcc2
50欧姆TRL
1966
XYTT
8
SMA2
RF OUT
Z
VMODE
VREF
1000 pF的
5
11
3,6, 7,9
0.1
F
（包基地）
RMPA1966
我罗
版本B
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RMPA1966
我罗
WCDMA波段II电源放大器ER模块， 1850-1910兆赫
包装外形
I / O 1指示灯
顶视图
1
2
10
9
1966
XYTT
(4.00mm
+.100
） SQUARE
–.050
3
4
5
8
6
最高1.1mm 。
前视图
0.25毫米TYP 。
3.50毫米TYP 。
SEE细节
.40mm
0.30毫米TYP 。
0.85毫米TYP 。
11
2
1
1.08mm
1.84mm
底部视图
.18mm
细节A. TYP 。
3.65mm
.10mm
.10mm
.40mm
.45mm
信号说明
针＃
1
2
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4
5
6
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信号名称
Vcc1
在RF
GND
VMODE
VREF
GND
GND
RF OUT
GND
Vcc2
GND
描述
电源电压为输入级
RF输入信号
地
高功率/低功率模式控制
参考电压
地
地
RF输出信号
地
电源电压输出级
桨地面
RMPA1966
我罗
版本B
5
Z
T
T
XY
9 6 6
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QQ：2880707522 复制
