RMB2S & RMB4S
威世通用半导体
微型玻璃钝化快速恢复
表面安装桥式整流器
~
~
特点
UL认证，文件编号E54214
节省印刷电路板空间
适合自动放置
快速恢复，低开关损耗
高浪涌电流能力
~
符合MSL等级1 ，符合per J -STD- 020 ， LF最大
250℃峰值
浸焊260 ° C， 40秒
按照RoHS 2002/95 / EC组件
和WEEE 2002/96 / EC
典型应用
在交流 - 直流桥式全波一般用途
整流电源，照明ballaster ，电池
充电器，家用电器，办公设备，并
电信应用。
机械数据
案例：
TO- 269AA （ MBS ）
环氧符合UL 94V- 0阻燃等级
终端：
雾锡镀线索，每焊
J- STD- 002和JESD22- B102
E3后缀为商业级，符合JESD 201级
1A晶须试验
极性：
作为标记体
~
TO- 269AA （ MBS ）
主要特征
I
F（ AV ）
V
RRM
I
FSM
t
rr
V
F
T
J
马克斯。
0.5 A
200 V, 400 V
30 A
150纳秒
1.25 V
150 °C
最大额定值
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
参数
器件标识代码
最大重复峰值反向电压
最大RMS电压
最大直流阻断电压
最大正向平均输出
整流电流在T
A
= 30 °C
上的玻璃环氧树脂P.C.B.
在铝基材
V
RRM
V
RMS
V
DC
I
F（ AV ）
I
FSM
I
2
t
T
J
, T
英镑
符号
RMB2S
2R
200
140
200
0.5
(1)
0.8
(2)
30
5.0
- 55至+ 150
RMB4S
4R
400
280
400
V
V
V
A
A
A
2
s
°C
单位
峰值正向浪涌电流8.3毫秒单一正弦半波
叠加在额定负荷
额定值融合（T < 8.3毫秒）
工作结存储温度范围
注意事项：
（1）在玻璃环氧树脂P.C.B.安装在0.05× 0.05" （ 1.3 ×1.3 MM）垫
（2）在铝基底P.C.B.与0.8" 0.8" X （20 ×20mm的）的区域安装在0.05× 0.05" （ 1.3× 1.3毫米）焊盘
文档编号： 88705
修订： 01 -FEB -08
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1
RMB2S & RMB4S
威世通用半导体
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
参数
最大正向电压
每个二极管压降
最大DC反向电流在额定DC
每阻塞二极管电压
每个二极管的最大反向恢复时间
典型结电容每二极管
测试条件
0.4 A
T
A
= 25 °C
T
A
= 125 °C
I
F
= 0.5 A，I
R
= 1.0 A,
I
rr
= 0.25 A
4.0 V， 1 MHz的
符号
V
F
I
R
t
rr
C
J
RMB2S
1.25
5.0
100
150
13
RMB4S
单位
V
A
ns
pF
热特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
参数
典型热阻
注意事项：
（1）在玻璃环氧树脂P.C.B.安装在0.05× 0.05" （ 1.3 ×1.3 MM）垫
（2）在铝基底P.C.B.与0.8" 0.8" X （20 ×20mm的）的区域安装在0.05× 0.05" （ 1.3× 1.3毫米）焊盘
符号
R
θJA
R
θJA
R
θJL
RMB2S
85
(1)
70
(2)
20
(1)
RMB4S
单位
° C / W
订购信息
（例）
首选的P / N
RMB4S-E3/45
RMB4S-E3/80
单位重量（g ）
0.22
0.22
首选包装代码
45
80
基地数量
100
3000
配送方式
管
直径13"纸胶带和卷轴
额定值和特性曲线
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
0.8
35
正向平均整流电流（ A）
0.7
铝基板
0.6
0.5
0.4
环氧玻璃P.C.B.
0.3
0.2
0.1
0
0
20
40
60
80
100
120
140
160
负载电阻或电感
峰值正向浪涌电流（ A）
30
25
20
T
A
= 40 °C
单一正弦半波
F = 60赫兹
15
10
5
0
1
10
100
F = 50赫兹
1.0循环
环境温度（ ℃）
数
循环的
图1.最大正向电流降额曲线
图2.最大非重复峰值正向浪涌
目前每二极管
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RMB2S & RMB4S
威世通用半导体
10
30
脉冲
宽度
= 300
s
1 ％占空比
T
J
= 25 °C
F = 1.0 MHz的
V
SIG
= 50 MVP -P
正向电流（A ）
1
T
J
= 150 °C
T
J
= 25 °C
结电容（pF ）
25
20
15
0.1
10
5
0.01
0.3
0
0.5
0.7
0.9
1.1
1.3
1.5
0.1
1
10
100
1000
正向
电压
(V)
反向
电压
(V)
图3.典型正向特性每二极管
图5.典型结电容每二极管
100
瞬时反向漏
电流（ μA ）
10
T
J
= 125 °C
1
0.1
T
J
= 25 °C
0.01
0
20
40
60
80
100
百分比额定峰值反向
电压
(%)
图4.典型的反向漏电特性每二极管
包装外形尺寸
以英寸（毫米）
0.029 (0.74)
0.017 (0.43)
TO- 269AA （ MBS ）
贴装焊盘布局
0.023 MIN 。
（ 0.58 MIN 。 ）
0.161 (4.10)
0.144 (3.65)
0.272 (6.90)
0.252 (6.40)
0.272 MAX 。
（ 6.91 MAX 。 ）
0.030 MIN 。
（ 0.76 MIN 。 ）
0.105 (2.67)
0.095 (2.41)
0.195 (4.95)
0.179 (4.55)
0
8°
0.205 (5.21)
0.195 (4.95)
0.049 (1.24)
0.039 (0.99)
0.062 (1.57)
0.058 (1.47)
0.105 (2.67)
0.095 (2.41)
0.106 (2.70)
0.090 (2.30)
0.008 (0.20)
0.004 (0.10)
0.114 (2.90)
0.110 (2.80)
0.058 (1.47)
0.054 (1.37)
0.114 (2.90)
0.094 (2.40)
0.0075 (0.19)
0.0065 (0.16)
0.038 (0.96)
0.019 (0.48)
0.016 (0.41)
0.006 (0.15)
0.018 (0.46)
0.014 (0.36)
文档编号： 88705
修订： 01 -FEB -08
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法律免责声明
日前，Vishay
放弃
所有产品规格及数据如有更改，恕不另行通知。
日前，Vishay Intertechnology，Inc.宣布，其附属公司，代理和员工以及代表及其或其各自的所有人
（统称为“Vishay ” ） ，对本文档中的任何错误，不准确或不完整不承担任何责任
或在任何其他公开内容有关的任何产品。
日前，Vishay不承担任何及由此产生的任何产品的使用或应用程序的所有责任本文中的任何或描述
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以其他方式修改Vishay的采购条款与条件，包括但不限于本文保修
其中，适用于这些产品。
没有许可证，明示或暗示，禁止反言或其他方式，向任何知识产权授予本
文档或任何Vishay的行为。
本文所展示的产品并非设计用于医疗，救生使用，或维持生命的应用程序，除非
另有明确指示。使用或销售Vishay产品的客户没有明确表示在这样的使用
应用这样做完全由自己承担风险，并同意全额赔偿日前，Vishay的产生或造成的任何损坏
从上述使用或销售。请Vishay授权人员联系，以获得有关书面条款和条件
产品专为此类应用。
产品名称及标记本文提到的可能是其各自所有者的商标。
文档编号： 91000
修订： 18 -JUL- 08
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RMB2S & RMB4S
威世通用半导体
微型玻璃钝化快速恢复
表面安装桥式整流器
~
~
特点
UL认证，文件编号E54214
节省印刷电路板空间
适合自动放置
快速恢复，低开关损耗
高浪涌电流能力
~
符合MSL等级1 ，符合per J -STD- 020 ， LF最大
250℃峰值
浸焊260 ° C， 40秒
按照RoHS 2002/95 / EC组件
和WEEE 2002/96 / EC
典型应用
在交流 - 直流桥式全波一般用途
整流电源，照明ballaster ，电池
充电器，家用电器，办公设备，并
电信应用。
机械数据
案例：
TO- 269AA （ MBS ）
环氧符合UL 94V- 0阻燃等级
终端：
雾锡镀线索，每焊
J- STD- 002和JESD22- B102
E3后缀为商业级，符合JESD 201级
1A晶须试验
极性：
作为标记体
~
TO- 269AA （ MBS ）
主要特征
I
F（ AV ）
V
RRM
I
FSM
t
rr
V
F
T
J
马克斯。
0.5 A
200 V, 400 V
30 A
150纳秒
1.25 V
150 °C
最大额定值
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
参数
器件标识代码
最大重复峰值反向电压
最大RMS电压
最大直流阻断电压
最大正向平均输出
整流电流在T
A
= 30 °C
上的玻璃环氧树脂P.C.B.
在铝基材
V
RRM
V
RMS
V
DC
I
F（ AV ）
I
FSM
I
2
t
T
J
, T
英镑
符号
RMB2S
2R
200
140
200
0.5
(1)
0.8
(2)
30
5.0
- 55至+ 150
RMB4S
4R
400
280
400
V
V
V
A
A
A
2
s
°C
单位
峰值正向浪涌电流8.3毫秒单一正弦半波
叠加在额定负荷
额定值融合（T < 8.3毫秒）
工作结存储温度范围
注意事项：
（1）在玻璃环氧树脂P.C.B.安装在0.05× 0.05" （ 1.3 ×1.3 MM）垫
（2）在铝基底P.C.B.与0.8" 0.8" X （20 ×20mm的）的区域安装在0.05× 0.05" （ 1.3× 1.3毫米）焊盘
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RMB2S & RMB4S
威世通用半导体
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
参数
最大正向电压
每个二极管压降
最大DC反向电流在额定DC
每阻塞二极管电压
每个二极管的最大反向恢复时间
典型结电容每二极管
测试条件
0.4 A
T
A
= 25 °C
T
A
= 125 °C
I
F
= 0.5 A，I
R
= 1.0 A,
I
rr
= 0.25 A
4.0 V， 1 MHz的
符号
V
F
I
R
t
rr
C
J
RMB2S
1.25
5.0
100
150
13
RMB4S
单位
V
A
ns
pF
热特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
参数
典型热阻
注意事项：
（1）在玻璃环氧树脂P.C.B.安装在0.05× 0.05" （ 1.3 ×1.3 MM）垫
（2）在铝基底P.C.B.与0.8" 0.8" X （20 ×20mm的）的区域安装在0.05× 0.05" （ 1.3× 1.3毫米）焊盘
符号
R
θJA
R
θJA
R
θJL
RMB2S
85
(1)
70
(2)
20
(1)
RMB4S
单位
° C / W
订购信息
（例）
首选的P / N
RMB4S-E3/45
RMB4S-E3/80
单位重量（g ）
0.22
0.22
首选包装代码
45
80
基地数量
100
3000
配送方式
管
直径13"纸胶带和卷轴
额定值和特性曲线
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
0.8
35
正向平均整流电流（ A）
0.7
铝基板
0.6
0.5
0.4
环氧玻璃P.C.B.
0.3
0.2
0.1
0
0
20
40
60
80
100
120
140
160
负载电阻或电感
峰值正向浪涌电流（ A）
30
25
20
T
A
= 40 °C
单一正弦半波
F = 60赫兹
15
10
5
0
1
10
100
F = 50赫兹
1.0循环
环境温度（ ℃）
数
循环的
图1.最大正向电流降额曲线
图2.最大非重复峰值正向浪涌
目前每二极管
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威世通用半导体
10
30
脉冲
宽度
= 300
s
1 ％占空比
T
J
= 25 °C
F = 1.0 MHz的
V
SIG
= 50 MVP -P
正向电流（A ）
1
T
J
= 150 °C
T
J
= 25 °C
结电容（pF ）
25
20
15
0.1
10
5
0.01
0.3
0
0.5
0.7
0.9
1.1
1.3
1.5
0.1
1
10
100
1000
正向
电压
(V)
反向
电压
(V)
图3.典型正向特性每二极管
图5.典型结电容每二极管
100
瞬时反向漏
电流（ μA ）
10
T
J
= 125 °C
1
0.1
T
J
= 25 °C
0.01
0
20
40
60
80
100
百分比额定峰值反向
电压
(%)
图4.典型的反向漏电特性每二极管
包装外形尺寸
以英寸（毫米）
0.029 (0.74)
0.017 (0.43)
TO- 269AA （ MBS ）
贴装焊盘布局
0.023 MIN 。
（ 0.58 MIN 。 ）
0.161 (4.10)
0.144 (3.65)
0.272 (6.90)
0.252 (6.40)
0.272 MAX 。
（ 6.91 MAX 。 ）
0.030 MIN 。
（ 0.76 MIN 。 ）
0.105 (2.67)
0.095 (2.41)
0.195 (4.95)
0.179 (4.55)
0
8°
0.205 (5.21)
0.195 (4.95)
0.049 (1.24)
0.039 (0.99)
0.062 (1.57)
0.058 (1.47)
0.105 (2.67)
0.095 (2.41)
0.106 (2.70)
0.090 (2.30)
0.008 (0.20)
0.004 (0.10)
0.114 (2.90)
0.110 (2.80)
0.058 (1.47)
0.054 (1.37)
0.114 (2.90)
0.094 (2.40)
0.0075 (0.19)
0.0065 (0.16)
0.038 (0.96)
0.019 (0.48)
0.016 (0.41)
0.006 (0.15)
0.018 (0.46)
0.014 (0.36)
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另有明确指示。使用或销售Vishay产品的客户没有明确表示在这样的使用
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