BL
特点
低成本
低漏
银河电子
RM2Z(Z)---RM2C(Z)
电压范围： 200 --- 1000 V
电流： 1.2 A
塑料硅整流
DO - 15L
扩散结
低正向压降
高电流能力
与氟利昂，酒精，异丙醇容易清洗
和类似的溶剂
塑料材料进行U / L承认94V - 0
机械数据
案例： JEDEC DO - 15L ，模压塑料
终端：轴向引线，每焊
MIL-STD - 202方法208
极性：颜色频带为负极
重量： 0.017盎司， 0.48克
安装位置：任意
最大额定值和电气特性
25评分
环境温度，除非另有规定。
单相半波， 60赫兹，电阻或电感性负载。对于容性负载， 20％减免。
RM2Z
最大的经常峰值反向电压
最大RMS电压
最大直流阻断电压
最大平均FORW ARD整流电流
9.5毫米引线长度，
山顶FORW ARD浪涌电流
8.3ms单半正弦波-W AVE
叠加在额定负荷
@T
j
=125
@T
A
=75
RM2
400
280
400
RM2A
600
420
600
1.2
RM2B
800
560
800
RM2C
1000
700
1000
单位
V
V
V
A
V
RRM
V
RMS
V
DC
I
（AV）
200
140
200
I
FSM
100
A
最大瞬时FORW ARD电压
在1.2 A
最大反向电流
在额定阻断电压DC
典型结电容
典型热阻
@T
A
=25
@T
A
=100
(Note1)
(Note2)
V
F
I
R
C
J
R
θ
jA
T
j
T
英镑
0.91
10.0
50
30
50
-
55
---- + 150
-
55
---- + 150
V
A
pF
／
Ｗ
工作结温范围
存储温度范围
2.热阻f光盘结到环境。
注： 1，测得1.0MHz和应用4.0V DC转ERSE V oltage 。
www.galaxycn.com
文档编号0260030
BL
银河电子
1.
整流二极管
V
RM
(V)
包
产品型号
I
F（ AV）
(A)
I
FSM
(A)
50Hz
（）是与
半周期正弦波
单发
散热器
1000V
Tj
(°C)
TSTG
(°C)
V
F
(V)
最大
1.2
0.97
0.92
0.91
0.92
0.95
0.95
1.0
1.05
I
R
(A)
I
F
(A)
1.0
1.0
1.5
1.5
1.5
2.5
3.0
2.0
7.5
V
R
= V
RM
最大
5
20
10
10
10
10
10
10
50
I
R
(H)
(A)
V
R
= V
RM
最大
50
100
50
50
50
100
50
50
200
Ta
(°C)
100
100
100
100
100
150
100
100
100 （TJ）
RTH （ J- ）
RTH （J -C ）
（ ° C / W）
15
17
15
12
12
10
8
5.0
1.5
块
(g)
0.4
0.3
0.4
49
0.6
0.61
1.0
1.2
4.05
6.45
51
54
50
图。
号
页面，
特征
曲线示
RM 1C
EM 1C
RM 11C
轴向
1000
0.8
1.0
1.2
1.2
1.2
2.0
1.7 (3.0)
4.0
40
35
100
100
80
150
150
100
200
-40到+150
-40到+150
-40到+150
-40到+150
-40到+150
-40到+150
-40到+150
-40到+150
-40到+150
49
48
RM 2C
RO 2C
RM 3C
RM 4C
RBV-40C
RBV-150C
桥
*
15
*
：开发中
s
外形尺寸
0.78
±0.05
阻燃性： UL94V- 0或同等学历（单位：毫米）
0.78
±0.05
0.98
±0.05
1.2
±0.05
阴极标记
1.4
±0.1
阴极标记
阴极标记
62.5
±0.7
62.3
±0.7
5.0
±0.2
7.2
±0.2
阴极标记
阴极标记
62.5
±0.7
62.5
±0.7
50.0
±0.1
2.7
±0.2
4.0
±0.2
7.2
±0.2
4.0
±0.2
9.1
±0.2
8.0
±0.2
5.2
±0.2
6.5
±0.2
25
±0.2
12.5
±0.2
C3
11
±0.2
15
±0.2
4.6
±0.2
3.2
±0.2
3.6
±0.2
C3
(4) 9.5
±0.2
3.8
±0.2
(4.5)
2.7
±0.1
11
±0.2
20
±0.2
3.8
±0.2
1
–0.1
7.5
±0.1
7.5
±0.1
7.5
±0.1
+0.2
+0.2
1
–0.1
2
–0.1
0.7
–0.1
+0.2
(17.5)
+0.2
5
2.7
±0.1
10
±0.1
7.5
±0.1
7.5
±0.1
2.5
±0.1
0.7
–0.1
3.2
±0.2
+0.2
30
±0.2
15
±0.2
4.6
±0.2
3.6
±0.2
17
RM2 - RM2Z
PRV ： 200 - 1000伏
IO： 1.2安培
产品特点：
*
*
*
*
*
高电流能力
高浪涌电流能力
高可靠性
低反向电流
低正向压降
硅整流二极管
D2A
0.161 (4.1)
0.154 (3.9)
1.00 (25.4)
分钟。
0.284 (7.2)
0.268 (6.8)
机械数据：
*案例： D2A模压塑料
*环氧： UL94V -O率阻燃
*铅：轴向引线每MIL -STD- 202焊接的，
方法208保证
*极性：颜色频带端为负极
*安装位置：任意
*重量： 0.645克
0.040 (1.02)
0.0385 (0.98)
1.00 (25.4)
分钟。
尺寸以英寸（毫米）
等级25
°
C环境温度，除非指定otherw伊势。
单相半瓦特大街， 60赫兹，电阻或电感性负载。
对于容性负载，减免电流20 ％ 。
最大额定值和电气特性
等级
最大重复峰值反向电压
最大RMS电压
最大直流阻断电压
最大平均正向电流
0.375"设计（9.5mm ）引线长度大= 70
°
C
峰值正向浪涌电流
8.3ms单半正弦波叠加
在额定负荷（ JEDEC的方法）
最大正向电压在我
F
= 1.5安培。
反向电流最大DC
在额定阻断电压DC
TA = 25
°
C
TA = 100
°
C
符号
V
RRM
V
RMS
V
DC
I
F
RM2Z
200
140
200
RM2
400
280
400
RM2A
600
420
600
1.2
RM2B
800
560
800
RM2C
1000
700
1000
单位
伏
伏
伏
安培。
I
FSM
V
F
I
R
I
R（高）
C
J
R
θ
JA
T
J
T
英镑
100
0.91
10
50
30
50
- 65 + 175
- 65 + 175
安培。
伏
A
A
pF
°
C / W
°
C
°
C
典型结电容（注1）
典型热阻（注2 ）
结温范围
存储温度范围
注意事项：
（ 1 ）测得1.0 MHz和应用4.0V的反向电压
DC
（ 2 ）从结点到环境的热阻为0.375"设计（9.5mm ）引线长度，PC板装。
更新： 1998年5月27日
RM2 - RM2Z
PRV ： 200 - 1000伏
IO： 1.2安培
产品特点：
*
*
*
*
*
*
高电流能力
高浪涌电流能力
高可靠性
低反向电流
低正向压降
无铅/符合RoHS免费
硅整流二极管
D2A
0.161 (4.1)
0.154 (3.9)
1.00 (25.4)
分钟。
0.284 (7.2)
0.268 (6.8)
机械数据：
*案例： D2A模压塑料
*环氧： UL94V -O率阻燃
*铅：轴向引线每MIL -STD- 202焊接的，
方法208保证
*极性：颜色频带端为负极
*安装位置：任意
*重量： 0.645克
0.040 (1.02)
0.0385 (0.98)
1.00 (25.4)
分钟。
尺寸以英寸（毫米）
等级25
°
C环境温度，除非另有规定。
单相半波， 60赫兹，电阻或电感性负载。
对于容性负载，减免电流20 ％ 。
最大额定值和电气特性
等级
最大重复峰值反向电压
最大RMS电压
最大直流阻断电压
最大平均正向电流
0.375"设计（9.5mm ）引线长度大= 70
°C
峰值正向浪涌电流
8.3ms单半正弦波叠加
在额定负荷（ JEDEC的方法）
最大正向电压在我
F
= 1.5安培。
反向电流最大DC
在额定阻断电压DC
典型热阻（注2 ）
结温范围
存储温度范围
TA = 25
°C
TA = 100
°C
符号
V
RRM
V
RMS
V
DC
I
F
RM2Z
200
140
200
RM2
400
280
400
RM2A
600
420
600
1.2
RM2B
800
560
800
RM2C
1000
700
1000
单位
V
V
V
A
I
FSM
V
F
I
R
I
R（高）
C
J
R
θ
JA
T
J
T
英镑
100
0.91
10
50
30
50
- 65 + 175
- 65 + 175
A
V
A
A
pF
° C / W
°C
°C
典型结电容（注1）
注意事项：
（ 1 ）测得1.0 MHz和应用4.0V的反向电压
DC
（ 2 ）从结点到环境的热阻为0.375"设计（9.5mm ）引线长度，PC板装。
第1页2
启示录02 ： 2005年3月25日
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