RLZ3.6B
二极管
电气特性
(Ta=25°C)
10
1
齐纳电流： IZ （MA ）
0.1
4.7
0.01
4.3
3.9
5.1
5.6
6.2 6.8
8.2
9.1 10
11 12 13
15
16
18
22
24
27
30
33
36
3.6
20
39
0.001
0
5
10
15
20
齐纳电压： VZ（ V）
VZ- IZ特性
25
30
35
40
600
10000
PRSM
t
功率耗散钯（ W）
400
300
200
100
0
0
25
50
75
100
125
150
环境温度： TA（ ℃ ）
PD-钽特性
0.1
0.08
30
25
反向浪涌最大
POWER： PRSM （ W）
500
1000
100
10
1
0.001
0.01
0.1
1
10
100
时间： T（毫秒）
PRSM - 时间特性
1000
Rth的第（j-一）
0.06
0.04
0.02
0
-0.02
-0.04
-0.06
-0.08
0
10
20
30
齐纳电压： VZ（ V）
γz - Vz的特性
40
0
-5
20
15
10
5
短暂
THAERMAL阻抗的Rth （ ℃ / W）
TEMP.COEFFICIENCE ： γz （ ％ / ℃ ）
TEMP.COEFFICIENCE ： γz （MV / ℃ ）
100
RTH （J -C ）
10
安装在环氧板
IM=10mA
IF=100mA
1
1ms
时间
300us
0.1
0.001
0.01
1
10
100
时间： T（ S）
RTH- T特性
0.1
1000
Rev.A的
3/4
RLZ3.6B
二极管
100
Ta=125℃
反向电流： IR （ NA）
Ta=75℃
1
Ta=-25℃
0.1
Ta=175℃
Ta=25℃
1000
f=1MHz
齐纳电流： IZ （MA ）
之间的电容
端子的CT （PF ）
10
1000
10000
Ta=175℃
Ta=125℃
100
10
1
0.1
0.01
Ta=75℃
100
Ta=25℃
0.01
Ta=-25℃
10
0
0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8 0.9
1
0.001
0
1
2
3
4
齐纳电压： VZ（ V）
VZ- IZ特性
5
0.001
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
反向电压VR （ V）
VR -IR特性
1
250
Ta=25℃
VR=1.0V
n=30pcs
240
电容
BETWEENTERMINALS的CT （PF ）
230
220
210
200
190
180
170
160
150
反向电压VR （ V）
VR -CT特征
4
Ta=25℃
IZ=20mA
n=30pcs
0.9
0.8
反向电流： IR （ NA）
0.7
0.6
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
0
AVE ： 0.0146V
齐纳电压： VZ（ V）
3.9
Ta=25℃
f=1MHz
VR=0V
n=10pcs
3.8
3.7
3.6
AVE ： 3.707V
3.5
VZ DISRESION地图
AVE ： 195.5pF
IR DISRESION地图
CT DISRESION地图
10000
动态阻抗： ZZ （ Ω ）
1000
100
10
0.1
1
齐纳电流（毫安）
ZZ- IZ特性
10
Rev.A的
4/4
附录
笔记
本文件的任何技术含量的网页不得以任何形式或通过任何传输
指无ROHM CO 。 ， LTD事先许可。
本文所描述的内容如有更改，恕不另行通知。规格为
本文档中介绍的产品仅供参考。在实际使用中，因此，请申请
该规范将单独提供。
此处包含的应用电路图和电路常数被示为标准的例子
在使用和操作。在设计电路时，请小心留意周边环境
并决定在集合中的电路常数。
任何数据，包括但不限于：应用电路图信息，在此描述
仅作为这样的装置的示意图，而不是作为规格为这样的设备。 ROHM
股份有限公司。公司不承担任何担保，任何使用这种设备应无任何侵权
第三方的知识产权或其他专有权利，并进一步将需承担任何责任
凡在任何此类侵权，或产生的事件的性质，或有或相关连接
在使用这样的装置的。
一旦出售任何这样的设备，比使用此类设备本身的买受人的权利等，转售或
以其他方式处置的同时，任何明示或暗示的权利或执业执照或商业
利用所拥有或控制的任何知识产权或其他专有权利
罗姆股份有限公司。被授予任何此类买家。
本文档中列出的产品有没有抗辐射设计。
本文件中所列出的产品被设计成与通常的电子设备或装置使用
（如视听设备，办公自动化设备，通信设备，电气
电器及电子玩具） 。
如果您打算使用这些产品的设备或设备要求非常高的水平
可靠性和使用，将直接危及人的生命发生故障（如医疗器械，
交通运输设备，航空器械，核反应控制器，燃料控制器等
安全设备） ，请务必提前与我们的销售代表咨询。
关于出口管制令日本
产品本文描述的品控对象附件出口贸易管制的1 （ 16项）
订单在日本。
在从日本出口，请确认它是否适用于"objective"标准或"informed" （由通产省第）
对"catch大规模杀伤性武器不扩散的所有控件的基础。
Appendix1-Rev1.1
RLZ4.3B
二极管
电气特性
(Ta=25°C)
10
1
齐纳电流： IZ （MA ）
0.1
4.7
0.01
4.3
3.9
5.1
5.6
6.2 6.8
8.2
9.1 10
11 12 13
15
16
18
22
24
27
30
33
36
3.6
20
39
0.001
0
5
10
15
20
齐纳电压： VZ（ V）
VZ- IZ特性
25
30
35
40
600
10000
PRSM
t
功率耗散钯（ W）
400
300
200
100
0
0
25
50
75
100
125
150
环境温度： TA（ ℃ ）
PD-钽特性
0.1
0.08
30
25
反向浪涌最大
POWER： PRSM （ W）
500
1000
100
10
1
0.001
0.01
0.1
1
10
100
时间： T（毫秒）
PRSM - 时间特性
1000
Rth的第（j-一）
0.06
0.04
0.02
0
-0.02
-0.04
-0.06
-0.08
0
10
20
30
齐纳电压： VZ（ V）
γz - Vz的特性
40
0
-5
20
15
10
5
短暂
THAERMAL阻抗的Rth （ ℃ / W）
TEMP.COEFFICIENCE ： γz （ ％ / ℃ ）
TEMP.COEFFICIENCE ： γz （MV / ℃ ）
100
RTH （J -C ）
10
安装在环氧板
IM=10mA
IF=100mA
1
1ms
时间
300us
0.1
0.001
0.01
1
10
100
时间： T（ S）
RTH- T特性
0.1
1000
Rev.A的
3/4
RLZ4.3B
二极管
100
Ta=75℃
10000
1000
Ta=175℃
Ta=125℃
Ta=75℃
Ta=25℃
Ta=-25℃
1000
f=1MHz
齐纳电流： IZ （MA ）
100
10
1
0.1
0.01
0.001
1
Ta=175℃
Ta=25℃
Ta=-25℃
之间的电容
端子的CT （PF ）
1
Ta=125℃
反向电流： IR （ NA）
10
100
0.1
10
0.01
0.001
1
2
3
4
齐纳电压： VZ（ V）
VZ- IZ特性
5
0.0001
0
0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8 0.9
反向电压VR （ V）
VR -IR特性
1
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
反向电压VR （ V）
VR -CT特征
4.5
Ta=25℃
IZ=20mA
n=30pcs
1
0.9
200
Ta=25℃
VR=1.0V
n=30pcs
190
Ta=25℃
f=1MHz
VR=0V
n=10pcs
AVE ： 175.1pF
电容
BETWEENTERMINALS的CT （PF ）
反向电流： IR （ NA）
齐纳电压： VZ（ V）
4.4
0.8
0.7
0.6
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
AVE ： 0.139nA
180
170
160
150
140
130
120
110
100
CT DISRESION地图
4.3
4.2
AVE ： 4.27V
4.1
4
VZ DISRESION地图
0
IR DISRESION地图
10000
动态阻抗： ZZ （ Ω ）
1000
100
10
0.1
1
齐纳电流（毫安）
ZZ- IZ特性
10
Rev.A的
4/4
附录
笔记
本文件的任何技术含量的网页不得以任何形式或通过任何传输
指无ROHM CO 。 ， LTD事先许可。
本文所描述的内容如有更改，恕不另行通知。规格为
本文档中介绍的产品仅供参考。在实际使用中，因此，请申请
该规范将单独提供。
此处包含的应用电路图和电路常数被示为标准的例子
在使用和操作。在设计电路时，请小心留意周边环境
并决定在集合中的电路常数。
任何数据，包括但不限于：应用电路图信息，在此描述
仅作为这样的装置的示意图，而不是作为规格为这样的设备。 ROHM
股份有限公司。公司不承担任何担保，任何使用这种设备应无任何侵权
第三方的知识产权或其他专有权利，并进一步将需承担任何责任
凡在任何此类侵权，或产生的事件的性质，或有或相关连接
在使用这样的装置的。
一旦出售任何这样的设备，比使用此类设备本身的买受人的权利等，转售或
以其他方式处置的同时，任何明示或暗示的权利或执业执照或商业
利用所拥有或控制的任何知识产权或其他专有权利
罗姆股份有限公司。被授予任何此类买家。
本文档中列出的产品有没有抗辐射设计。
本文件中所列出的产品被设计成与通常的电子设备或装置使用
（如视听设备，办公自动化设备，通信设备，电气
电器及电子玩具） 。
如果您打算使用这些产品的设备或设备要求非常高的水平
可靠性和使用，将直接危及人的生命发生故障（如医疗器械，
交通运输设备，航空器械，核反应控制器，燃料控制器等
安全设备） ，请务必提前与我们的销售代表咨询。
关于出口管制令日本
产品本文描述的品控对象附件出口贸易管制的1 （ 16项）
订单在日本。
在从日本出口，请确认它是否适用于"objective"标准或"informed" （由通产省第）
对"catch大规模杀伤性武器不扩散的所有控件的基础。
Appendix1-Rev1.1
RLZ5.1B
二极管
电气特性
(Ta=25°C)
10
1
齐纳电流： IZ （MA ）
0.1
4.7
0.01
4.3
3.9
5.1
5.6
6.2 6.8
8.2
9.1 10
11 12 13
15
16
18
22
24
27
30
33
36
3.6
20
39
0.001
0
5
10
15
20
齐纳电压： VZ（ V）
VZ- IZ特性
25
30
35
40
600
10000
PRSM
t
功率耗散钯（ W）
400
300
200
100
0
0
25
50
75
100
125
150
环境温度： TA（ ℃ ）
PD-钽特性
0.1
0.08
30
25
反向浪涌最大
POWER： PRSM （ W）
500
1000
100
10
1
0.001
0.01
0.1
1
10
100
时间： T（毫秒）
PRSM - 时间特性
1000
Rth的第（j-一）
0.06
0.04
0.02
0
-0.02
-0.04
-0.06
-0.08
0
10
20
30
齐纳电压： VZ（ V）
γz - Vz的特性
40
0
-5
20
15
10
5
短暂
THAERMAL阻抗的Rth （ ℃ / W）
TEMP.COEFFICIENCE ： γz （ ％ / ℃ ）
TEMP.COEFFICIENCE ： γz （MV / ℃ ）
100
RTH （J -C ）
10
安装在环氧板
IM=10mA
IF=100mA
1
1ms
时间
300us
0.1
0.001
0.01
1
10
100
时间： T（ S）
RTH- T特性
0.1
1000
Rev.A的
3/4
RLZ5.1B
二极管
100
10000
1000
Ta=175℃
1000
f=1MHz
齐纳电流： IZ （MA ）
Ta=125℃
1
Ta=75℃
Ta=175℃
Ta=25℃
Ta=-25℃
10
1
0.1
0.01
0.001
Ta=75℃
Ta=25℃
Ta=-25℃
之间的电容
端子的CT （PF ）
1.5
10
反向电流： IR （ NA）
100
Ta=125℃
100
0.1
10
0.01
0.001
1
2
3
4
5
齐纳电压： VZ（ V）
VZ- IZ特性
6
0.0001
0
0.5
1
反向电压VR （ V）
VR -IR特性
1
0
0.5
1
1.5
反向电压VR （ V）
VR -CT特征
5.2
5.1
5
AVE ： 5.08V
Ta=25℃
IZ=20mA
n=30pcs
1
0.9
反向电流： IR （ NA）
电容
BETWEENTERMINALS的CT （PF ）
200
Ta=25℃
VR=1.5V
n=30pcs
190
180
170
160
150
140
130
120
110
100
CT DISRESION地图
AVE ： 149.4pF
齐纳电压： VZ（ V）
0.8
0.7
0.6
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
0
AVE ： 0.136nA
Ta=25℃
f=1MHz
VR=0V
n=10pcs
4.9
4.8
4.7
VZ DISRESION地图
IR DISRESION地图
10000
动态阻抗： ZZ （ Ω ）
1000
100
10
1
0.1
1
齐纳电流（毫安）
ZZ- IZ特性
10
Rev.A的
4/4
附录
笔记
本文件的任何技术含量的网页不得以任何形式或通过任何传输
指无ROHM CO 。 ， LTD事先许可。
本文所描述的内容如有更改，恕不另行通知。规格为
本文档中介绍的产品仅供参考。在实际使用中，因此，请申请
该规范将单独提供。
此处包含的应用电路图和电路常数被示为标准的例子
在使用和操作。在设计电路时，请小心留意周边环境
并决定在集合中的电路常数。
任何数据，包括但不限于：应用电路图信息，在此描述
仅作为这样的装置的示意图，而不是作为规格为这样的设备。 ROHM
股份有限公司。公司不承担任何担保，任何使用这种设备应无任何侵权
第三方的知识产权或其他专有权利，并进一步将需承担任何责任
凡在任何此类侵权，或产生的事件的性质，或有或相关连接
在使用这样的装置的。
一旦出售任何这样的设备，比使用此类设备本身的买受人的权利等，转售或
以其他方式处置的同时，任何明示或暗示的权利或执业执照或商业
利用所拥有或控制的任何知识产权或其他专有权利
罗姆股份有限公司。被授予任何此类买家。
本文档中列出的产品有没有抗辐射设计。
本文件中所列出的产品被设计成与通常的电子设备或装置使用
（如视听设备，办公自动化设备，通信设备，电气
电器及电子玩具） 。
如果您打算使用这些产品的设备或设备要求非常高的水平
可靠性和使用，将直接危及人的生命发生故障（如医疗器械，
交通运输设备，航空器械，核反应控制器，燃料控制器等
安全设备） ，请务必提前与我们的销售代表咨询。
关于出口管制令日本
产品本文描述的品控对象附件出口贸易管制的1 （ 16项）
订单在日本。
在从日本出口，请确认它是否适用于"objective"标准或"informed" （由通产省第）
对"catch大规模杀伤性武器不扩散的所有控件的基础。
Appendix1-Rev1.1
RLZ5.6B
二极管
电气特性
(Ta=25°C)
10
1
齐纳电流： IZ （MA ）
0.1
4.7
0.01
4.3
3.9
5.1
5.6
6.2 6.8
8.2
9.1 10
11 12 13
15
16
18
22
24
27
30
33
36
3.6
20
39
0.001
0
5
10
15
20
齐纳电压： VZ（ V）
VZ- IZ特性
25
30
35
40
600
10000
PRSM
t
功率耗散钯（ W）
400
300
200
100
0
0
25
50
75
100
125
150
环境温度： TA（ ℃ ）
PD-钽特性
0.1
0.08
30
25
反向浪涌最大
POWER： PRSM （ W）
500
1000
100
10
1
0.001
0.01
0.1
1
10
100
时间： T（毫秒）
PRSM - 时间特性
1000
Rth的第（j-一）
0.06
0.04
0.02
0
-0.02
-0.04
-0.06
-0.08
0
10
20
30
齐纳电压： VZ（ V）
γz - Vz的特性
40
0
-5
20
15
10
5
短暂
THAERMAL阻抗的Rth （ ℃ / W）
TEMP.COEFFICIENCE ： γz （ ％ / ℃ ）
TEMP.COEFFICIENCE ： γz （MV / ℃ ）
100
RTH （J -C ）
10
安装在环氧板
IM=10mA
IF=100mA
1
1ms
时间
300us
0.1
0.001
0.01
1
10
100
时间： T（ S）
RTH- T特性
0.1
1000
Rev.A的
3/4
RLZ5.6B
二极管
100
10
1
0.1
0.01
Ta=125℃
Ta=75℃
Ta=175℃
Ta=25℃
Ta=-25℃
10000
1000
反向电流： IR （ NA）
Ta=175℃
Ta=125℃
Ta=75℃
Ta=25℃
Ta=-25℃
1000
f=1MHz
齐纳电流： IZ （MA ）
100
10
1
0.1
0.01
0.001
之间的电容
端子的CT （PF ）
100
10
0.001
2
3
4
5
6
齐纳电压： VZ（ V）
VZ- IZ特性
7
0.0001
0
0.5
1
1.5
2
2.5
反向电压VR （ V）
VR -IR特性
1
0
0.5
1
1.5
2
2.5
反向电压VR （ V）
VR -CT特征
5.8
5.7
5.6
5.5
5.4
AVE ： 5.61V
Ta=25℃
IZ=20mA
n=30pcs
1
0.9
反向电流： IR （ NA）
电容
BETWEENTERMINALS的CT （PF ）
200
Ta=25℃
VR=2.5V
n=30pcs
190
180
170
160
150
140
130
120
110
100
CT DISRESION地图
齐纳电压： VZ（ V）
0.8
0.7
0.6
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
0
AVE ： 0.099nA
Ta=25℃
f=1MHz
VR=0V
n=10pcs
AVE ： 125.6pF
5.3
VZ DISRESION地图
IR DISRESION地图
10000
动态阻抗： ZZ （ Ω ）
1000
100
10
1
0.1
1
齐纳电流（毫安）
ZZ- IZ特性
10
Rev.A的
4/4
附录
笔记
本文件的任何技术含量的网页不得以任何形式或通过任何传输
指无ROHM CO 。 ， LTD事先许可。
本文所描述的内容如有更改，恕不另行通知。规格为
本文档中介绍的产品仅供参考。在实际使用中，因此，请申请
该规范将单独提供。
此处包含的应用电路图和电路常数被示为标准的例子
在使用和操作。在设计电路时，请小心留意周边环境
并决定在集合中的电路常数。
任何数据，包括但不限于：应用电路图信息，在此描述
仅作为这样的装置的示意图，而不是作为规格为这样的设备。 ROHM
股份有限公司。公司不承担任何担保，任何使用这种设备应无任何侵权
第三方的知识产权或其他专有权利，并进一步将需承担任何责任
凡在任何此类侵权，或产生的事件的性质，或有或相关连接
在使用这样的装置的。
一旦出售任何这样的设备，比使用此类设备本身的买受人的权利等，转售或
以其他方式处置的同时，任何明示或暗示的权利或执业执照或商业
利用所拥有或控制的任何知识产权或其他专有权利
罗姆股份有限公司。被授予任何此类买家。
本文档中列出的产品有没有抗辐射设计。
本文件中所列出的产品被设计成与通常的电子设备或装置使用
（如视听设备，办公自动化设备，通信设备，电气
电器及电子玩具） 。
如果您打算使用这些产品的设备或设备要求非常高的水平
可靠性和使用，将直接危及人的生命发生故障（如医疗器械，
交通运输设备，航空器械，核反应控制器，燃料控制器等
安全设备） ，请务必提前与我们的销售代表咨询。
关于出口管制令日本
产品本文描述的品控对象附件出口贸易管制的1 （ 16项）
订单在日本。
在从日本出口，请确认它是否适用于"objective"标准或"informed" （由通产省第）
对"catch大规模杀伤性武器不扩散的所有控件的基础。
Appendix1-Rev1.1
RLZ6.2B
二极管
电气特性
(Ta=25°C)
10
1
齐纳电流： IZ （MA ）
0.1
4.7
0.01
4.3
3.9
5.1
5.6
6.2 6.8
8.2
9.1 10
11 12 13
15
16
18
22
24
27
30
33
36
3.6
20
39
0.001
0
5
10
15
20
齐纳电压： VZ（ V）
VZ- IZ特性
25
30
35
40
600
10000
PRSM
t
功率耗散钯（ W）
400
300
200
100
0
0
25
50
75
100
125
150
环境温度： TA（ ℃ ）
PD-钽特性
0.1
0.08
30
25
反向浪涌最大
POWER： PRSM （ W）
500
1000
100
10
1
0.001
0.01
0.1
1
10
100
时间： T（毫秒）
PRSM - 时间特性
1000
Rth的第（j-一）
0.06
0.04
0.02
0
-0.02
-0.04
-0.06
-0.08
0
10
20
30
齐纳电压： VZ（ V）
γz - Vz的特性
40
0
-5
20
15
10
5
短暂
THAERMAL阻抗的Rth （ ℃ / W）
TEMP.COEFFICIENCE ： γz （ ％ / ℃ ）
TEMP.COEFFICIENCE ： γz （MV / ℃ ）
100
RTH （J -C ）
10
安装在环氧板
IM=10mA
IF=100mA
1
1ms
时间
300us
0.1
0.001
0.01
1
10
100
时间： T（ S）
RTH- T特性
0.1
1000
Rev.A的
3/4
RLZ6.2B
二极管
100
TA = 75 ℃的Ta = 125 ℃
反向电流： IR （ NA）
10000
1000
Ta=175℃
Ta=125℃
1000
f=1MHz
齐纳电流： IZ （MA ）
Ta=25℃
1
100
10
1
0.1
0.01
0.001
Ta=-25℃
Ta=75℃
Ta=25℃
之间的电容
端子的CT （PF ）
3
10
100
Ta=-25℃
0.1
Ta=175℃
0.01
10
0.001
4
5
6
齐纳电压： VZ（ V）
VZ- IZ特性
7
0.0001
0
1
2
反向电压VR （ V）
VR -IR特性
1
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
反向电压VR （ V）
VR -CT特征
6.5
6.4
6.3
6.2
6.1
AVE ： 6.207V
Ta=25℃
IZ=20mA
n=30pcs
1
0.9
反向电流： IR （ NA）
电容
BETWEENTERMINALS的CT （PF ）
150
Ta=25℃
VR=3.0V
n=30pcs
140
130
120
110
100
90
80
70
60
50
CT DISRESION地图
AVE ： 102.0pF
齐纳电压： VZ（ V）
0.8
0.7
0.6
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
0
AVE ： 0.146nA
Ta=25℃
f=1MHz
VR=0V
n=10pcs
6
VZ DISRESION地图
IR DISRESION地图
1000
动态阻抗： ZZ （ Ω ）
100
10
1
0.1
0.1
1
齐纳电流（毫安）
ZZ- IZ特性
10
Rev.A的
4/4
附录
笔记
本文件的任何技术含量的网页不得以任何形式或通过任何传输
指无ROHM CO 。 ， LTD事先许可。
本文所描述的内容如有更改，恕不另行通知。规格为
本文档中介绍的产品仅供参考。在实际使用中，因此，请申请
该规范将单独提供。
此处包含的应用电路图和电路常数被示为标准的例子
在使用和操作。在设计电路时，请小心留意周边环境
并决定在集合中的电路常数。
任何数据，包括但不限于：应用电路图信息，在此描述
仅作为这样的装置的示意图，而不是作为规格为这样的设备。 ROHM
股份有限公司。公司不承担任何担保，任何使用这种设备应无任何侵权
第三方的知识产权或其他专有权利，并进一步将需承担任何责任
凡在任何此类侵权，或产生的事件的性质，或有或相关连接
在使用这样的装置的。
一旦出售任何这样的设备，比使用此类设备本身的买受人的权利等，转售或
以其他方式处置的同时，任何明示或暗示的权利或执业执照或商业
利用所拥有或控制的任何知识产权或其他专有权利
罗姆股份有限公司。被授予任何此类买家。
本文档中列出的产品有没有抗辐射设计。
本文件中所列出的产品被设计成与通常的电子设备或装置使用
（如视听设备，办公自动化设备，通信设备，电气
电器及电子玩具） 。
如果您打算使用这些产品的设备或设备要求非常高的水平
可靠性和使用，将直接危及人的生命发生故障（如医疗器械，
交通运输设备，航空器械，核反应控制器，燃料控制器等
安全设备） ，请务必提前与我们的销售代表咨询。
关于出口管制令日本
产品本文描述的品控对象附件出口贸易管制的1 （ 16项）
订单在日本。
在从日本出口，请确认它是否适用于"objective"标准或"informed" （由通产省第）
对"catch大规模杀伤性武器不扩散的所有控件的基础。
Appendix1-Rev1.1
RLZ6.8B
二极管
电气特性
(Ta=25°C)
10
1
齐纳电流： IZ （MA ）
0.1
4.7
0.01
4.3
3.9
5.1
5.6
6.2 6.8
8.2
9.1 10
11 12 13
15
16
18
22
24
27
30
33
36
3.6
20
39
0.001
0
5
10
15
20
齐纳电压： VZ（ V）
VZ- IZ特性
25
30
35
40
600
10000
PRSM
t
功率耗散钯（ W）
400
300
200
100
0
0
25
50
75
100
125
150
环境温度： TA（ ℃ ）
PD-钽特性
0.1
0.08
30
25
反向浪涌最大
POWER： PRSM （ W）
500
1000
100
10
1
0.001
0.01
0.1
1
10
100
时间： T（毫秒）
PRSM - 时间特性
1000
Rth的第（j-一）
0.06
0.04
0.02
0
-0.02
-0.04
-0.06
-0.08
0
10
20
30
齐纳电压： VZ（ V）
γz - Vz的特性
40
0
-5
20
15
10
5
短暂
THAERMAL阻抗的Rth （ ℃ / W）
TEMP.COEFFICIENCE ： γz （ ％ / ℃ ）
TEMP.COEFFICIENCE ： γz （MV / ℃ ）
100
RTH （J -C ）
10
安装在环氧板
IM=10mA
IF=100mA
1
1ms
时间
300us
0.1
0.001
0.01
1
10
100
时间： T（ S）
RTH- T特性
0.1
1000
Rev.A的
3/4
RLZ6.8B
二极管
10000
1000
100
Ta=175℃
Ta=125℃
Ta=75℃
Ta=25℃
1000
f=1MHz
反向电流： IR （ NA）
齐纳电流： IZ （MA ）
Ta=25℃
1
Ta=-25℃
Ta=75℃
Ta=125℃
Ta=175℃
100
10
1
0.1
0.01
0.001
之间的电容
端子的CT （PF ）
4
10
100
0.1
Ta=-25℃
10
0.01
0.001
5
6
7
8
齐纳电压： VZ（ V）
VZ- IZ特性
9
0.0001
0
1
2
3
反向电压VR （ V）
VR -IR特性
1
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
反向电压VR （ V）
VR -CT特征
7
Ta=25℃
IZ=5mA
n=30pcs
1
0.9
150
电容
BETWEENTERMINALS的CT （PF ）
Ta=25℃
VR=3.5V
n=30pcs
140
130
120
110
100
90
80
70
60
50
CT DISRESION地图
AVE ： 90.30pF
反向电流： IR （ NA）
齐纳电压： VZ（ V）
6.9
0.8
0.7
0.6
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
0
AVE ： 0.144nA
Ta=25℃
f=1MHz
VR=0V
n=10pcs
6.8
6.7
6.6
AVE ： 6.71V
6.5
VZ DISRESION地图
IR DISRESION地图
1000
动态阻抗： ZZ （ Ω ）
100
10
1
0.1
0.1
1
齐纳电流（毫安）
ZZ- IZ特性
10
Rev.A的
4/4
附录
笔记
本文件的任何技术含量的网页不得以任何形式或通过任何传输
指无ROHM CO 。 ， LTD事先许可。
本文所描述的内容如有更改，恕不另行通知。规格为
本文档中介绍的产品仅供参考。在实际使用中，因此，请申请
该规范将单独提供。
此处包含的应用电路图和电路常数被示为标准的例子
在使用和操作。在设计电路时，请小心留意周边环境
并决定在集合中的电路常数。
任何数据，包括但不限于：应用电路图信息，在此描述
仅作为这样的装置的示意图，而不是作为规格为这样的设备。 ROHM
股份有限公司。公司不承担任何担保，任何使用这种设备应无任何侵权
第三方的知识产权或其他专有权利，并进一步将需承担任何责任
凡在任何此类侵权，或产生的事件的性质，或有或相关连接
在使用这样的装置的。
一旦出售任何这样的设备，比使用此类设备本身的买受人的权利等，转售或
以其他方式处置的同时，任何明示或暗示的权利或执业执照或商业
利用所拥有或控制的任何知识产权或其他专有权利
罗姆股份有限公司。被授予任何此类买家。
本文档中列出的产品有没有抗辐射设计。
本文件中所列出的产品被设计成与通常的电子设备或装置使用
（如视听设备，办公自动化设备，通信设备，电气
电器及电子玩具） 。
如果您打算使用这些产品的设备或设备要求非常高的水平
可靠性和使用，将直接危及人的生命发生故障（如医疗器械，
交通运输设备，航空器械，核反应控制器，燃料控制器等
安全设备） ，请务必提前与我们的销售代表咨询。
关于出口管制令日本
产品本文描述的品控对象附件出口贸易管制的1 （ 16项）
订单在日本。
在从日本出口，请确认它是否适用于"objective"标准或"informed" （由通产省第）
对"catch大规模杀伤性武器不扩散的所有控件的基础。
Appendix1-Rev1.1
RLZ7.5B
二极管
电气特性
(Ta=25°C)
10
1
齐纳电流： IZ （MA ）
0.1
4.7
0.01
4.3
3.9
5.1
5.6
6.2 6.8
8.2
9.1 10
11 12 13
15
16
18
22
24
27
30
33
36
3.6
20
39
0.001
0
5
10
15
20
齐纳电压： VZ（ V）
VZ- IZ特性
25
30
35
40
600
10000
PRSM
t
功率耗散钯（ W）
400
300
200
100
0
0
25
50
75
100
125
150
环境温度： TA（ ℃ ）
PD-钽特性
0.1
0.08
30
25
反向浪涌最大
POWER： PRSM （ W）
500
1000
100
10
1
0.001
0.01
0.1
1
10
100
时间： T（毫秒）
PRSM - 时间特性
1000
Rth的第（j-一）
0.06
0.04
0.02
0
-0.02
-0.04
-0.06
-0.08
0
10
20
30
齐纳电压： VZ（ V）
γz - Vz的特性
40
0
-5
20
15
10
5
短暂
THAERMAL阻抗的Rth （ ℃ / W）
TEMP.COEFFICIENCE ： γz （ ％ / ℃ ）
TEMP.COEFFICIENCE ： γz （MV / ℃ ）
100
RTH （J -C ）
10
安装在环氧板
IM=10mA
IF=100mA
1
1ms
时间
300us
0.1
0.001
0.01
1
10
100
时间： T（ S）
RTH- T特性
0.1
1000
Rev.A的
3/4
RLZ7.5B
二极管
100
Ta=25℃
Ta=125℃
10000
1000
100
10
1
0.1
0.01
0.001
0.0001
5
6
7
齐纳电压： VZ（ V）
VZ- IZ特性
8
0
1
2
Ta=175℃
Ta=125℃
Ta=75℃
Ta=25℃
Ta=-25℃
1000
f=1MHz
反向电流： IR （ NA）
齐纳电流： IZ （MA ）
Ta=-25℃
之间的电容
端子的CT （PF ）
10
1
Ta=75℃
100
0.1
0.01
0.001
10
Ta=175℃
3
4
1
0
1
2
3
4
反向电压VR （ V）
VR -CT特征
反向电压VR （ V）
VR -IR特性
7.5
Ta=25℃
IZ=20mA
n=30pcs
1
0.9
反向电流： IR （ NA）
电容
BETWEENTERMINALS的CT （PF ）
150
Ta=25℃
VR=4.0V
n=30pcs
140
130
120
110
100
90
80
70
60
50
CT DISRESION地图
AVE ： 103.3pF
齐纳电压： VZ（ V）
7.4
0.8
0.7
0.6
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
0
AVE ： 0.150nA
Ta=25℃
f=1MHz
VR=0V
n=10pcs
7.3
7.2
7.1
AVE ： 7.254V
7
VZ DISRESION地图
IR DISRESION地图
1000
动态阻抗： ZZ （ Ω ）
100
10
1
0.1
1
齐纳电流（毫安）
ZZ- IZ特性
10
Rev.A的
4/4
附录
笔记
本文件的任何技术含量的网页不得以任何形式或通过任何传输
指无ROHM CO 。 ， LTD事先许可。
本文所描述的内容如有更改，恕不另行通知。规格为
本文档中介绍的产品仅供参考。在实际使用中，因此，请申请
该规范将单独提供。
此处包含的应用电路图和电路常数被示为标准的例子
在使用和操作。在设计电路时，请小心留意周边环境
并决定在集合中的电路常数。
任何数据，包括但不限于：应用电路图信息，在此描述
仅作为这样的装置的示意图，而不是作为规格为这样的设备。 ROHM
股份有限公司。公司不承担任何担保，任何使用这种设备应无任何侵权
第三方的知识产权或其他专有权利，并进一步将需承担任何责任
凡在任何此类侵权，或产生的事件的性质，或有或相关连接
在使用这样的装置的。
一旦出售任何这样的设备，比使用此类设备本身的买受人的权利等，转售或
以其他方式处置的同时，任何明示或暗示的权利或执业执照或商业
利用所拥有或控制的任何知识产权或其他专有权利
罗姆股份有限公司。被授予任何此类买家。
本文档中列出的产品有没有抗辐射设计。
本文件中所列出的产品被设计成与通常的电子设备或装置使用
（如视听设备，办公自动化设备，通信设备，电气
电器及电子玩具） 。
如果您打算使用这些产品的设备或设备要求非常高的水平
可靠性和使用，将直接危及人的生命发生故障（如医疗器械，
交通运输设备，航空器械，核反应控制器，燃料控制器等
安全设备） ，请务必提前与我们的销售代表咨询。
关于出口管制令日本
产品本文描述的品控对象附件出口贸易管制的1 （ 16项）
订单在日本。
在从日本出口，请确认它是否适用于"objective"标准或"informed" （由通产省第）
对"catch大规模杀伤性武器不扩散的所有控件的基础。
Appendix1-Rev1.1
RLZ8.2B
二极管
电气特性
(Ta=25°C)
10
1
齐纳电流： IZ （MA ）
0.1
4.7
0.01
4.3
3.9
5.1
5.6
6.2 6.8
8.2
9.1 10
11 12 13
15
16
18
22
24
27
30
33
36
3.6
20
39
0.001
0
5
10
15
20
齐纳电压： VZ（ V）
VZ- IZ特性
25
30
35
40
600
10000
PRSM
t
功率耗散钯（ W）
400
300
200
100
0
0
25
50
75
100
125
150
环境温度： TA（ ℃ ）
PD-钽特性
0.1
0.08
30
25
反向浪涌最大
POWER： PRSM （ W）
500
1000
100
10
1
0.001
0.01
0.1
1
10
100
时间： T（毫秒）
PRSM - 时间特性
1000
Rth的第（j-一）
0.06
0.04
0.02
0
-0.02
-0.04
-0.06
-0.08
0
10
20
30
齐纳电压： VZ（ V）
γz - Vz的特性
40
0
-5
20
15
10
5
短暂
THAERMAL阻抗的Rth （ ℃ / W）
TEMP.COEFFICIENCE ： γz （ ％ / ℃ ）
TEMP.COEFFICIENCE ： γz （MV / ℃ ）
100
RTH （J -C ）
10
安装在环氧板
IM=10mA
IF=100mA
1
1ms
时间
300us
0.1
0.001
0.01
1
10
100
时间： T（ S）
RTH- T特性
0.1
1000
Rev.A的
3/4
RLZ8.2B
二极管
100
Ta=25℃
Ta=75℃
Ta=125℃
10000
1000
反向电流： IR （ NA）
100
10
1
0.1
0.01
0.001
0.0001
Ta=175℃
Ta=125℃
Ta=75℃
Ta=25℃
Ta=-25℃
1000
齐纳电流： IZ （MA ）
之间的电容
端子的CT （PF ）
10
Ta=-25℃
f=1MHz
1
100
0.1
10
0.01
Ta=175℃
0.001
7
7.5
8
8.5
9
1
0
1
2
3
4
5
齐纳电压： VZ（ V）
VZ- IZ特性
0
1
2
3
4
5
反向电压VR （ V）
VR -IR特性
反向电压VR （ V）
VR -CT特征
8.3
齐纳电压： VZ（ V）
1
Ta=25℃
IZ=20mA
n=30pcs
0.9
反向电流： IR （ NA）
0.8
0.7
0.6
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
0
VZ DISRESION地图
AVE ： 0.081nA
Ta=25℃
VR=5.0V
n=30pcs
100
90
电容
BETWEENTERMINALS的CT （PF ）
80
70
60
50
40
30
20
10
0
IR DISRESION地图
CT DISRESION地图
AVE ： 65.4pF
Ta=25℃
f=1MHz
VR=0V
n=10pcs
8.2
8.1
8
7.9
AVE ： 8.036V
7.8
100
动态阻抗： ZZ （ Ω ）
10
1
0.1
1
齐纳电流（毫安）
ZZ- IZ特性
10
Rev.A的
4/4
附录
笔记
本文件的任何技术含量的网页不得以任何形式或通过任何传输
指无ROHM CO 。 ， LTD事先许可。
本文所描述的内容如有更改，恕不另行通知。规格为
本文档中介绍的产品仅供参考。在实际使用中，因此，请申请
该规范将单独提供。
此处包含的应用电路图和电路常数被示为标准的例子
在使用和操作。在设计电路时，请小心留意周边环境
并决定在集合中的电路常数。
任何数据，包括但不限于：应用电路图信息，在此描述
仅作为这样的装置的示意图，而不是作为规格为这样的设备。 ROHM
股份有限公司。公司不承担任何担保，任何使用这种设备应无任何侵权
第三方的知识产权或其他专有权利，并进一步将需承担任何责任
凡在任何此类侵权，或产生的事件的性质，或有或相关连接
在使用这样的装置的。
一旦出售任何这样的设备，比使用此类设备本身的买受人的权利等，转售或
以其他方式处置的同时，任何明示或暗示的权利或执业执照或商业
利用所拥有或控制的任何知识产权或其他专有权利
罗姆股份有限公司。被授予任何此类买家。
本文档中列出的产品有没有抗辐射设计。
本文件中所列出的产品被设计成与通常的电子设备或装置使用
（如视听设备，办公自动化设备，通信设备，电气
电器及电子玩具） 。
如果您打算使用这些产品的设备或设备要求非常高的水平
可靠性和使用，将直接危及人的生命发生故障（如医疗器械，
交通运输设备，航空器械，核反应控制器，燃料控制器等
安全设备） ，请务必提前与我们的销售代表咨询。
关于出口管制令日本
产品本文描述的品控对象附件出口贸易管制的1 （ 16项）
订单在日本。
在从日本出口，请确认它是否适用于"objective"标准或"informed" （由通产省第）
对"catch大规模杀伤性武器不扩散的所有控件的基础。
Appendix1-Rev1.1
RLZ10B
二极管
电气特性
(Ta=25°C)
10
1
齐纳电流： IZ （MA ）
0.1
4.7
0.01
4.3
3.9
5.1
5.6
6.2 6.8
8.2
9.1 10
11 12 13
15
16
18
22
24
27
30
33
36
3.6
20
39
0.001
0
5
10
15
20
齐纳电压： VZ（ V）
VZ- IZ特性
25
30
35
40
600
10000
PRSM
t
功率耗散钯（ W）
400
300
200
100
0
0
25
50
75
100
125
150
环境温度： TA（ ℃ ）
PD-钽特性
0.1
0.08
30
25
反向浪涌最大
POWER： PRSM （ W）
500
1000
100
10
1
0.001
0.01
0.1
1
10
100
时间： T（毫秒）
PRSM - 时间特性
1000
Rth的第（j-一）
0.06
0.04
0.02
0
-0.02
-0.04
-0.06
-0.08
0
10
20
30
齐纳电压： VZ（ V）
γz - Vz的特性
40
0
-5
20
15
10
5
短暂
THAERMAL阻抗的Rth （ ℃ / W）
TEMP.COEFFICIENCE ： γz （ ％ / ℃ ）
TEMP.COEFFICIENCE ： γz （MV / ℃ ）
100
RTH （J -C ）
10
安装在环氧板
IM=10mA
IF=100mA
1
1ms
时间
300us
0.1
0.001
0.01
1
10
100
时间： T（ S）
RTH- T特性
0.1
1000
Rev.A的
3/4
RLZ10B
二极管
100
10000
1000
Ta=75℃
Ta=25℃
反向电流： IR （ NA）
齐纳电流： IZ （MA ）
10
Ta=175℃
1000
f=1MHz
Ta=125℃
Ta=-25℃
1
100
10
1
0.1
之间的电容
端子的CT （PF ）
7
Ta=125℃
Ta=75℃
Ta=25℃
Ta=-25℃
0.01
0.001
100
Ta=175℃
0.1
10
0.01
0.001
8
8.5
9
9.5 10 10.5 11
齐纳电压： VZ（ V）
VZ- IZ特性
11.5
12
1
0
1
2
3
4
5
6
0
1
2
3
4
5
6
7
反向电压VR （ V）
VR -IR特性
反向电压VR （ V）
VR -CT特征
10
反向电流： IR （ NA）
1
电容
BETWEENTERMINALS的CT （PF ）
Ta=25℃
IZ=20mA
n=30pcs
100
Ta=25℃
VR=7.0V
n=30pcs
0.9
0.8
0.7
0.6
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
0
AVE ： 0.124nA
90
80
70
60
50
40
30
20
10
0
CT DISRESION地图
AVE ： 63.6pF
齐纳电压： VZ（ V）
9.9
9.8
9.7
9.6
AVE ： 9.785V
Ta=25℃
f=1MHz
VR=0V
n=10pcs
9.5
VZ DISRESION地图
IR DISRESION地图
1000
动态阻抗： ZZ （ Ω ）
100
10
1
0.1
1
齐纳电流（毫安）
ZZ- IZ特性
10
Rev.A的
4/4
附录
笔记
本文件的任何技术含量的网页不得以任何形式或通过任何传输
指无ROHM CO 。 ， LTD事先许可。
本文所描述的内容如有更改，恕不另行通知。规格为
本文档中介绍的产品仅供参考。在实际使用中，因此，请申请
该规范将单独提供。
此处包含的应用电路图和电路常数被示为标准的例子
在使用和操作。在设计电路时，请小心留意周边环境
并决定在集合中的电路常数。
任何数据，包括但不限于：应用电路图信息，在此描述
仅作为这样的装置的示意图，而不是作为规格为这样的设备。 ROHM
股份有限公司。公司不承担任何担保，任何使用这种设备应无任何侵权
第三方的知识产权或其他专有权利，并进一步将需承担任何责任
凡在任何此类侵权，或产生的事件的性质，或有或相关连接
在使用这样的装置的。
一旦出售任何这样的设备，比使用此类设备本身的买受人的权利等，转售或
以其他方式处置的同时，任何明示或暗示的权利或执业执照或商业
利用所拥有或控制的任何知识产权或其他专有权利
罗姆股份有限公司。被授予任何此类买家。
本文档中列出的产品有没有抗辐射设计。
本文件中所列出的产品被设计成与通常的电子设备或装置使用
（如视听设备，办公自动化设备，通信设备，电气
电器及电子玩具） 。
如果您打算使用这些产品的设备或设备要求非常高的水平
可靠性和使用，将直接危及人的生命发生故障（如医疗器械，
交通运输设备，航空器械，核反应控制器，燃料控制器等
安全设备） ，请务必提前与我们的销售代表咨询。
关于出口管制令日本
产品本文描述的品控对象附件出口贸易管制的1 （ 16项）
订单在日本。
在从日本出口，请确认它是否适用于"objective"标准或"informed" （由通产省第）
对"catch大规模杀伤性武器不扩散的所有控件的基础。
Appendix1-Rev1.1
RLZ11B
二极管
电气特性
(Ta=25°C)
10
1
齐纳电流： IZ （MA ）
0.1
4.7
0.01
4.3
3.9
5.1
5.6
6.2 6.8
8.2
9.1 10
11 12 13
15
16
18
22
24
27
30
33
36
3.6
20
39
0.001
0
5
10
15
20
齐纳电压： VZ（ V）
VZ- IZ特性
25
30
35
40
600
10000
PRSM
t
功率耗散钯（ W）
400
300
200
100
0
0
25
50
75
100
125
150
环境温度： TA（ ℃ ）
PD-钽特性
0.1
0.08
30
25
反向浪涌最大
POWER： PRSM （ W）
500
1000
100
10
1
0.001
0.01
0.1
1
10
100
时间： T（毫秒）
PRSM - 时间特性
1000
Rth的第（j-一）
0.06
0.04
0.02
0
-0.02
-0.04
-0.06
-0.08
0
10
20
30
齐纳电压： VZ（ V）
γz - Vz的特性
40
0
-5
20
15
10
5
短暂
THAERMAL阻抗的Rth （ ℃ / W）
TEMP.COEFFICIENCE ： γz （ ％ / ℃ ）
TEMP.COEFFICIENCE ： γz （MV / ℃ ）
100
RTH （J -C ）
10
安装在环氧板
IM=10mA
IF=100mA
1
1ms
时间
300us
0.1
0.001
0.01
1
10
100
时间： T（ S）
RTH- T特性
0.1
1000
Rev.A的
3/4
RLZ11B
二极管
100
Ta=25℃
Ta=125℃
Ta=-25℃
1
Ta=75℃
10000
1000
反向电流： IR （ NA）
Ta=175℃
Ta=125℃
Ta=75℃
Ta=25℃
Ta=-25℃
1000
f=1MHz
之间的电容
端子的CT （PF ）
齐纳电流： IZ （MA ）
10
100
10
1
0.1
0.01
0.001
0.0001
100
0.1
10
0.01
Ta=175℃
0.001
9
10
11
齐纳电压： VZ（ V）
VZ- IZ特性
12
1
0
1
2
3
4
5
6
7
8
0
2
4
6
8
反向电压VR （ V）
VR -IR特性
反向电压VR （ V）
VR -CT特征
10.9
反向电流： IR （ NA）
齐纳电压： VZ（ V）
1
电容
BETWEENTERMINALS的CT （PF ）
100
Ta=25℃
VR=8.0V
n=30pcs
10.8
10.7
10.6
10.5
AVE ： 10.699V
Ta=25℃
IZ=10mA
n=30pcs
0.9
0.8
0.7
0.6
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
0
AVE ： 0.136nA
90
80
70
60
50
40
30
20
10
0
CT DISRESION地图
AVE ： 55.2pF
Ta=25℃
f=1MHz
VR=0V
n=10pcs
10.4
VZ DISRESION地图
IR DISRESION地图
100
动态阻抗： ZZ （ Ω ）
10
1
0.1
1
齐纳电流（毫安）
ZZ- IZ特性
10
Rev.A的
4/4
附录
笔记
本文件的任何技术含量的网页不得以任何形式或通过任何传输
指无ROHM CO 。 ， LTD事先许可。
本文所描述的内容如有更改，恕不另行通知。规格为
本文档中介绍的产品仅供参考。在实际使用中，因此，请申请
该规范将单独提供。
此处包含的应用电路图和电路常数被示为标准的例子
在使用和操作。在设计电路时，请小心留意周边环境
并决定在集合中的电路常数。
任何数据，包括但不限于：应用电路图信息，在此描述
仅作为这样的装置的示意图，而不是作为规格为这样的设备。 ROHM
股份有限公司。公司不承担任何担保，任何使用这种设备应无任何侵权
第三方的知识产权或其他专有权利，并进一步将需承担任何责任
凡在任何此类侵权，或产生的事件的性质，或有或相关连接
在使用这样的装置的。
一旦出售任何这样的设备，比使用此类设备本身的买受人的权利等，转售或
以其他方式处置的同时，任何明示或暗示的权利或执业执照或商业
利用所拥有或控制的任何知识产权或其他专有权利
罗姆股份有限公司。被授予任何此类买家。
本文档中列出的产品有没有抗辐射设计。
本文件中所列出的产品被设计成与通常的电子设备或装置使用
（如视听设备，办公自动化设备，通信设备，电气
电器及电子玩具） 。
如果您打算使用这些产品的设备或设备要求非常高的水平
可靠性和使用，将直接危及人的生命发生故障（如医疗器械，
交通运输设备，航空器械，核反应控制器，燃料控制器等
安全设备） ，请务必提前与我们的销售代表咨询。
关于出口管制令日本
产品本文描述的品控对象附件出口贸易管制的1 （ 16项）
订单在日本。
在从日本出口，请确认它是否适用于"objective"标准或"informed" （由通产省第）
对"catch大规模杀伤性武器不扩散的所有控件的基础。
Appendix1-Rev1.1
QQ：2880707522 复制
