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RLP1N06CLE
数据表
1999年7月
网络文件编号
2839.4
1A , 55V , 0.750欧姆,电压钳位,
电流限制, N沟道功率
MOSFET
该RLP1N06CLE是一种智能化的单片电源电路
其中采用了横向双极性晶体管,电阻器,
齐纳二极管,以及一个功率MOS晶体管。趋势/涌流
这种装置的限制使得它能够被安全地在电路中使用的
其中,可以预料,一个短路负载条件可以是
遇到。漏极至源极电压钳位报价
电路中的电压的切换时,精度控制
感性负载。逻辑电平门允许此设备是完全
偏上,只有5V从门源。输入保护
提供了一种用于静电放电到2kV的。
以前发育类型TA09880 。
特点
1A , 55V
r
DS ( ON)
= 0.750
I
极限
在150
o
C = 1.1A至1.5A最大
内置电压钳位
内置电流限制
ESD保护, 2kV的最小
控制开关限制EMI和RFI
175
o
C测量结温
逻辑电平门
相关文献
- TB334 “指南焊锡表面贴装
组件到PC板“
订购信息
产品型号
RLP1N06CLE
TO-220AB
BRAND
L1N06CLE
符号
D
注:订货时,使用整个零件编号。
G
S
包装
JEDEC TO- 220AB
来源
漏极(法兰)
6-428
注意:这些器件对静电放电敏感;遵循正确的ESD处理程序。
http://www.intersil.com或407-727-9207
|
版权
Intersil公司1999
RLP1N06CLE
绝对最大额定值
T
C
= 25
o
C,除非另有规定编
RLP1N06CLE
55
55
2
自我限制
5.5
36
0.24
-55至175
300
260
单位
V
V
kV
V
W
W/
o
C
o
C
o
C
o
C
漏源极电压(注1 ) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .V
DSS
漏极至栅极电压(R
GS
= 20kΩ时,注1 ) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 V
DGR
静电电压在T
C
= 25
o
温度。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ESD
连续漏电流。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。我
D
门源电压(反向电压栅极偏置不允许) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .V
GS
最大功率耗散。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 P
D
功耗降额。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
工作和存储温度。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。牛逼
J,
T
英镑
最高温度焊接
信息在0.063in ( 1.6毫米)从案例10秒。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。牛逼
L
包体为10S ,见Techbrief 334 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。牛逼
PKG
注意:如果运行条件超过上述“绝对最大额定值” ,可能对器件造成永久性损坏。这是一个应力只评级和操作
器件在这些或以上的本规范的业务部门所标明的任何其他条件不暗示。
注意:
1. T
J
= 25
o
C至150
o
C.
电气连接特定的阳离子
参数
漏源击穿电压
门至门限电压
零栅极电压漏极电流
T
C
= 25
o
C,除非另有规定编
符号
BV
DSS
V
GS ( TH)
I
DSS
I
GSS
r
DS ( ON)
I
DS ( LIM )
t
(上)
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
t
f
t
(关闭)
R
θJC
R
θJA
ESD
TO-220AA
人体模型( 100pF的, 1.5kΩ上)
MIL- STD- 883B ( B2类)
测试条件
I
D
= 20mA时, V
GS
= 0V (图7)
V
GS
= V
DS
, I
D
= 250μA (图8)
V
DS
= 45V, V
GS
= 0V
V
GS
= 5V
I
D
= 1A ,V
GS
= 5V
(图6)
V
DS
= 15V, V
GS
= 5V
(图2)
TC = 25
o
C
TC = 150
o
C
TC = 25
o
C
T
C
= 150
o
C
TC = 25
o
C
T
C
= 150
o
C
TC = 25
o
C
T
C
= 150
o
C
55
1
-
-
-
-
-
-
1.8
0.9
-
-
1
-
1
-
-
-
2000
典型值
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
最大
70
2.5
5
20
5
20
0.750
1.500
3
1.5
6.5
1.5
5
7.5
5
12.5
4.17
62
-
单位
V
V
A
A
A
A
A
A
s
s
s
s
s
s
o
C / W
o
C / W
门源漏电流
漏极至源极导通电阻(注2 )
限流
开启时间
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
打开-O FF时间
热阻结到外壳
热阻结到环境
静电电压
V
DD
= 30V ,我
D
= 1A ,V
GS
= 5V ,R
GS
= 25
R
L
= 30
V
源极到漏极二极管特定网络阳离子
参数
源极到漏极二极管电压(注2 )
反向恢复时间
注意事项:
2.脉冲:脉冲宽度=最大为80μs ,占空比= 2 % 。
3.重复评价:脉冲宽度有限的最高结温。
符号
V
SD
t
rr
I
SD
= 1A
I
SD
= 1A
测试条件
-
-
典型值
-
-
最大
1.5
1
单位
V
ms
6-429
RLP1N06CLE
典型性能曲线
1.2
功耗乘法器
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0
0
25
125
50
75
100
T
C
,外壳温度(
o
C)
150
175
归一化漏电流
除非另有规定编
2.0
脉冲持续时间为80μs =
占空比= 0.5 % MAX
V
DS
= 10V, V
GS
= 5V
1.5
1.0
0.5
0
-50
-25
0
25
50
75
100
125
T
C
,外壳温度(
o
C)
150
175
图1.归功耗与案例
温度
图2.归一化电流限制VS案例
温度
10
I
DS
,漏源电流(A)
在这一领域
可能是有限的R
DS ( ON)
I
DS
,漏源电流(A)
T
J
=最大额定
T
C
= 25
o
C
100s
1ms
2.5
V
GS
= 7V
2.0
V
GS
= 6V
V
GS
= 5V
脉冲持续时间为80μs =
占空比= 0.5 % MAX
V
GS
= 4V
1.5
1
在这一领域
由本人水平有限
DS ( LIM )
10ms
DC
1.0
0.5
V
GS
= 3V
V
DSS
MAX = 55V
0.1
1
10
V
DS
,漏源极电压( V)
100
0
0
1
2
3
4
V
DS
,漏源极电压( V)
5
图3.正向偏置安全工作区
图4.饱和特性
I
DS ( ON)
,漏源电流(A)
3.0
V
DS
>>我
DS
个R
DS ( ON)
脉冲持续时间为80μs =
2.5占空比= 0.5 % MAX
2.0
1.5
1.0
0.5
0
-25
o
C
归一漏极至源极
抗性
3.0
V
GS
= 5V ,我
D
= 0.5A
脉冲持续时间为80μs =
2.5占空比= 0.5 % MAX
2.0
1.5
1.0
0.5
0
-50
25
o
C
150
o
C
0
1
2
3
4
5
V
GS
,门源电压( V)
6
-25
0
25
50
75
100 125
T
J
,结温(
o
C)
150
175
图5.传输特性
图6.归一漏极至源极ON
电阻与结温
6-430
RLP1N06CLE
典型性能曲线
归一化的栅极阈值电压
2.0
归一漏极至源极
击穿电压
V
GS
= V
DS
I
D
= 250A
1.6
除非另有规定编
(续)
2.0
I
D
= 20mA下
1.5
1.2
1.0
0.8
0.5
0.4
0
-50
-25
0
25
50
75
100
125
T
J
,结温(
o
C)
150
175
0
-50
-25
0
25
50
75
100 125
T
J
,结温(
o
C)
150
175
图7.归栅极阈值电压Vs
结温
图8.归漏源击穿
电压Vs结温
300
250
C,电容(pF )
200
C
OSS
150
100
50
C
RSS
0
0
5
15
20
10
V
DS
,漏源极电压( V)
25
0V
R
GS
DUT
V
GS
V
GS
V
GS
= 0V , F = 1MHz的
C
国际空间站
= C
GS
+ C
GD
C
RSS
= C
GD
C
OSS
C
DS
+ C
GD
R
L
V
DS
+
-
C
国际空间站
图9.电容VS漏源极电压
图10.开关测试电路
25
V
DS
,漏源极电压( V)
HSTR = 0
o
C / W
20
1
o
C / W
15
2
o
C / W
5
o
C / W
10
o
C / W
5
25
o
C / W
V
DS
,漏源极电压( V)
T
J
= 175
o
C
I
LIM
= 1.35A
R
θJC
= 4.17
o
C / W
80
占空比= 20 %
60
10%
5%
2%
自由的空气
θJA
= 80
o
C / W
40
50%
20
MAX脉冲宽度= 100毫秒
T
J
= 175
o
C,我
LIM
= 1.35A ,R
θJC
= 4.17
o
C / W
0
25
50
75
100
125
150
175
T
A
,环境温度(
o
C)
10
0
25
50
75
100
125
150
175
T
A
,环境温度(
o
C)
注:散热器热阻= 2
o
C / W
图11. DC操作电流限制
图12.最大V
DS
VS牛逼
A
限流
6-431
RLP1N06CLE
典型性能曲线
80
V
DS
,漏源极电压( V)
T
J
= 175
o
C
I
LIM
= 1.35A
R
θJC
= 4.17
o
C / W
除非另有规定编
(续)
80
V
DS
,漏源极电压( V)
T
J
= 175
o
C
I
LIM
= 1.35A
R
θJC
= 4.17
o
C / W
60
占空比= 20 %
40
10%
5%
2%
60
40
占空比= 20 %
20
50%
MAX脉冲宽度= 100毫秒
0
25
50
75
100
125
150
175
T
A
,环境温度(
o
C)
10%
5%
2%
20
50%
MAX脉冲宽度= 100毫秒
0
25
50
75
100
125
150
175
T
A
,环境温度(
o
C)
注:散热器热阻= 5
o
C / W
图13.最大V
DS
VS牛逼
A
限流
80
V
DS
,漏源极电压( V)
注:散热器热阻= 10
o
C / W
图14.最大V
DS
VS牛逼
A
限流
80
V
DS
,漏源极电压( V)
60
MAX脉冲宽度= 100毫秒
T
J
= 175
o
C
I
LIM
= 1.35A
R
θJC
= 4.17
o
C / W
5%
2%
1%
60
2%
40
MAX脉冲宽度= 100毫秒
T
J
= 175
o
C
I
LIM
= 1.35A
R
θJA
= 80
o
C / W
占空比= 1 %
40
10%
5%
20
10%
50%
0
25
50
75
100
125
150
175
T
A
,环境温度(
o
C)
20
占空比= 20 %
50%
0
25
50
75
100
125
150
175
T
A
,环境温度(
o
C)
注:散热器热阻= 25
o
C / W
图15.最大V
DS
VS牛逼
A
限流
10
R
θJC
=
注:无需外部散热器
图16.最大V
DS
VS牛逼
A
限流
10
R
θJC
=
4.17
o
C / W
8
TIME TO 175
o
C( S)
4.17
o
C / W
开始
125
o
C 100
o
C 75
o
C 50
o
TEMP = 25
o
C
8
TIME TO 175
o
C( S)
150
o
C
6
125
o
C
100
o
C
75
o
C
开始
50
o
TEMP = 25
o
C
150
o
C
6
4
4
2
2
0
0
5
10
15
20
V
DS
,漏源极电压( V)
25
0
0
5
10
15
20
V
DS
,漏源极电压( V)
25
注:散热器热阻= 2
o
C / W
散热器热容量= 4J /
o
C
图17. TIME TO 175
o
C IN限流
注:散热器热阻= 5
o
C / W
散热器热容量= 2J /
o
C
图18. TIME TO 175
o
C IN限流
6-432
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    电话:0755-82780082
    联系人:杨小姐
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