RLD65PZB5
激光二极管
DVD-记录，高功率红光激光二极管
RLD65PZB5
该RLD65PZB5是红色的高输出半导体激光器开发，因为它对应的高速需求
光拾取的DVD记录。
应用
DVD±R
DVD± RW
DVD-RAM的
外形尺寸
（单位：毫米）
90°±2°
0.4±0.1
1
等效电路图
1.0±0.1
φ2.0±0.2
3
2
0.5max.
特点
1 ）绝对最大光
输出功率：脉冲240MW
2 ）高速响应：
2ns的（常规的比率为50％）
3 ）对于场模式长宽比： 1.7
4)
φ5.6mm
小型封装（光学
高度1.35毫米）
φ4.4+0
φ3.6
(3)
L.D.
玻璃橱窗
5.6
+0
0.025
φ1.6
φ1min.
(1)
激光芯片
(2)
1.2±0.1 2.3±0.5
(1.27)
0.5min.
子安装
高功率型
3φ0.45
绝对最大额定值
(Tc=25°C)
参数
产量
激光反向电压
工作温度
储存温度
符号
P
O
V
R
顶部
TSTG
范围
脉冲240
2
10
to
+70
（脉冲）
40
to
+85
单位
mW
V
°C
°C
脉冲条件：脉冲宽度< 80ns的税50 ％
6.5±0.5
光学距离
1.35±0.08
φ1.2max.
1/2
RLD65PZB5
激光二极管
电气和光学特性
(Tc=25°C)
参数
阈值电流
工作电流
工作电压
效率差
电流监视器
平行发散角
垂直发散角
平行偏差角
垂直角度偏差
发射点精度
峰值发射波长
散光
符号
I
th
1
I
op
1
V
op
1
η
1
I
m
1
θ
//
1
分钟。
0.7
8
15
2.0
3.0
80
650
典型值。
60
150
2.7
1.0
10
17
0
0
0
658
马克斯。
75
200
3.2
1.3
13
19
+2.0
+3.0
+80
662
6
m
nm
m
CW ：P
O
=80mW
CW ：P
O
=80mW
度
CW ：P
O
=100mW
单位
mA
mA
V
CW
CW ：P
O
=80mW
CW ：P
O
=80mW
条件
CW ：
毫瓦/ MA为30mW / （ I（ 80mW的）
I(50mW))
mA
θ
⊥
1
φ
//
1
φ
⊥
1
？ XYZ ？
1
λ
1
As
2
θ
//
和
θ
⊥
被定义为在其内的强度为峰值的50％的角度。
电学和光学特性的曲线
1.0
光功率：P
O
（ mW）的
200
强度
150
Tc=25°C
40°C
50°C
60°C
70°C
80°C
6
5
4
3
θ
⊥
θ
//
0.5
100
2
50
1
0
0
脉冲
100ns
Duty50%
0
100
200
300
0
60
40
20
0
20
40
60
工作电流：我
F
（MA ）
角（
度）
图1光纤输出
- 工作电流
图2远场图形
2/2
附录
笔记
本文件的任何技术含量的网页不得以任何形式或通过任何传输
指无ROHM CO 。 ， LTD事先许可。
本文所描述的内容如有更改，恕不另行通知。规格为
本文档中介绍的产品仅供参考。在实际使用中，因此，请申请
该规范将单独提供。
此处包含的应用电路图和电路常数被示为标准的例子
在使用和操作。在设计电路时，请小心留意周边环境
并决定在集合中的电路常数。
任何数据，包括但不限于：应用电路图信息，在此描述
仅作为这样的装置的示意图，而不是作为规格为这样的设备。 ROHM
股份有限公司。公司不承担任何担保，任何使用这种设备应无任何侵权
第三方的知识产权或其他专有权利，并进一步将需承担任何责任
凡在任何此类侵权，或产生的事件的性质，或有或相关连接
在使用这样的装置的。
一旦出售任何这样的设备，比使用此类设备本身的买受人的权利等，转售或
以其他方式处置的同时，任何明示或暗示的权利或执业执照或商业
利用所拥有或控制的任何知识产权或其他专有权利
罗姆股份有限公司。被授予任何此类买家。
本文档中列出的产品中使用硅作为基本材料。
本文档中列出的产品有没有抗辐射设计。
本文件中所列出的产品被设计成与通常的电子设备或装置使用
（如视听设备，办公自动化设备，通信设备，电气
电器及电子玩具） 。
如果您打算使用这些产品的设备或设备要求非常高的水平
可靠性和使用，将直接危及人的生命发生故障（如医疗器械，
交通运输设备，航空器械，核反应控制器，燃料控制器等
安全设备） ，请务必提前与我们的销售代表咨询。
关于出口管制令日本
产品本文描述的品控对象附件出口贸易管制的1 （ 16项）
订单在日本。
在从日本出口，请确认它是否适用于"objective"标准或"informed" （由通产省第）
对"catch大规模杀伤性武器不扩散的所有控件的基础。
Appendix1-Rev1.0
RLD65PZB5
激光二极管
DVD-记录，高功率红光激光二极管
RLD65PZB5
该RLD65PZB5是红色的高输出半导体激光器开发，因为它对应的高速需求
光拾取的DVD记录。
应用
DVD±R
DVD± RW
DVD-RAM的
外形尺寸
（单位：毫米）
90°±2°
0.4±0.1
1
等效电路图
1.0±0.1
φ2.0±0.2
3
2
0.5max.
特点
1 ）绝对最大光
输出功率：脉冲240MW
2 ）高速响应：
2ns的（常规的比率为50％）
3 ）对于场模式长宽比： 1.7
4)
φ5.6mm
小型封装（光学
高度1.35毫米）
φ4.4+0
φ3.6
(3)
L.D.
玻璃橱窗
5.6
+0
0.025
φ1.6
φ1min.
(1)
激光芯片
(2)
1.2±0.1 2.3±0.5
(1.27)
0.5min.
子安装
高功率型
3φ0.45
绝对最大额定值
(Tc=25°C)
参数
产量
激光反向电压
工作温度
储存温度
符号
P
O
V
R
顶部
TSTG
范围
脉冲240
2
10
to
+70
（脉冲）
40
to
+85
单位
mW
V
°C
°C
脉冲条件：脉冲宽度< 80ns的税50 ％
6.5±0.5
光学距离
1.35±0.08
φ1.2max.
1/2
RLD65PZB5
激光二极管
电气和光学特性
(Tc=25°C)
参数
阈值电流
工作电流
工作电压
效率差
电流监视器
平行发散角
垂直发散角
平行偏差角
垂直角度偏差
发射点精度
峰值发射波长
散光
符号
I
th
1
I
op
1
V
op
1
η
1
I
m
1
θ
//
1
分钟。
0.7
8
15
2.0
3.0
80
650
典型值。
60
150
2.7
1.0
10
17
0
0
0
658
马克斯。
75
200
3.2
1.3
13
19
+2.0
+3.0
+80
662
6
m
nm
m
CW ：P
O
=80mW
CW ：P
O
=80mW
度
CW ：P
O
=100mW
单位
mA
mA
V
CW
CW ：P
O
=80mW
CW ：P
O
=80mW
条件
CW ：
毫瓦/ MA为30mW / （ I（ 80mW的）
I(50mW))
mA
θ
⊥
1
φ
//
1
φ
⊥
1
？ XYZ ？
1
λ
1
As
2
θ
//
和
θ
⊥
被定义为在其内的强度为峰值的50％的角度。
电学和光学特性的曲线
1.0
光功率：P
O
（ mW）的
200
强度
150
Tc=25°C
40°C
50°C
60°C
70°C
80°C
6
5
4
3
θ
⊥
θ
//
0.5
100
2
50
1
0
0
脉冲
100ns
Duty50%
0
100
200
300
0
60
40
20
0
20
40
60
工作电流：我
F
（MA ）
角（
度）
图1光纤输出
- 工作电流
图2远场图形
2/2
附录
笔记
本文件的任何技术含量的网页不得以任何形式或通过任何传输
指无ROHM CO 。 ， LTD事先许可。
本文所描述的内容如有更改，恕不另行通知。规格为
本文档中介绍的产品仅供参考。在实际使用中，因此，请申请
该规范将单独提供。
此处包含的应用电路图和电路常数被示为标准的例子
在使用和操作。在设计电路时，请小心留意周边环境
并决定在集合中的电路常数。
任何数据，包括但不限于：应用电路图信息，在此描述
仅作为这样的装置的示意图，而不是作为规格为这样的设备。 ROHM
股份有限公司。公司不承担任何担保，任何使用这种设备应无任何侵权
第三方的知识产权或其他专有权利，并进一步将需承担任何责任
凡在任何此类侵权，或产生的事件的性质，或有或相关连接
在使用这样的装置的。
一旦出售任何这样的设备，比使用此类设备本身的买受人的权利等，转售或
以其他方式处置的同时，任何明示或暗示的权利或执业执照或商业
利用所拥有或控制的任何知识产权或其他专有权利
罗姆股份有限公司。被授予任何此类买家。
本文档中列出的产品中使用硅作为基本材料。
本文档中列出的产品有没有抗辐射设计。
本文件中所列出的产品被设计成与通常的电子设备或装置使用
（如视听设备，办公自动化设备，通信设备，电气
电器及电子玩具） 。
如果您打算使用这些产品的设备或设备要求非常高的水平
可靠性和使用，将直接危及人的生命发生故障（如医疗器械，
交通运输设备，航空器械，核反应控制器，燃料控制器等
安全设备） ，请务必提前与我们的销售代表咨询。
关于出口管制令日本
产品本文描述的品控对象附件出口贸易管制的1 （ 16项）
订单在日本。
在从日本出口，请确认它是否适用于"objective"标准或"informed" （由通产省第）
对"catch大规模杀伤性武器不扩散的所有控件的基础。
Appendix1-Rev1.0
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