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RLD65MPT4
激光二极管
低功率红光激光二极管
RLD65MPT4
玻璃无结构的红色激光。
低Ith的由多量子阱的适用性做出&良好的温度特性。
应用
DVD-ROM的
组合驱动器
传感器
尺寸
(单位:毫米)
Figure1
0.4
±
0.1
90
±
2
1.0
±
0.1
φ
3.6
±
0.1
1
3
2
φ
2.0
±
0.2
1.2
±
0.1
2.3
±
0.5
特点
1 )的最大等级为10mW的对应
的DVD- RAM中读出。
2 )应变多量子优化以及实现
的降低阈值电流,并能有效
温度特性。
3 )低阈值电流: 25毫安(T
C
=25°C).
激光芯片
5.6
+
0
0.025
φ1.6
±
0.1
0.5分钟。
3
φ
0.45
±
0.1
Oprical距离
1.35
±
0.08
超越
0.5max
3
Figure2
L.D
1
2
P
.D.
绝对最大额定值
(Tc=25°C)
参数
产量
反向
电压
RASER
PIN光电二极管
符号
P
O
V
R
V
R( PIN)
TOPR
TSTG
范围
10
2
30
10
to
+70
40
to
+85
单位
mW
V
V
°C
°C
工作温度
储存温度
6.5
±
0.5
φ1.2max
φ
4.4
+
0
1/2
RLD65MPT4
激光二极管
电气和光学特性
(Tc=25°C)
参数
阈值电流
工作电流
工作电压
效率差
电流监视器
平行发散角
垂直发散角
平行偏差角
垂直角度偏差
发射点精度
峰值发射波长
散光
符号
I
th
I
op
V
op
η
I
m
θ
//
分钟。
0.2
0.07
7
20
2
3
80
645
典型值。
25
35
2.3
0.4
0.12
8
27
0
0
0
655
马克斯。
60
70
2.6
0.8
0.35
10
35
+2
+3
+80
664
10
单位
mA
mA
V
毫瓦/ MA
mA
m
nm
m
P
O
=5mW
P
O
=5mW
P
O
=5mW
P
O
=5mW
P
O
=5mW
P
O
=5mW
P
O
=5mW
P
O
=5mW
P
O
=5mW
条件
θ
φ
//
φ
X
Y
Z
λ
θ
//
θ
被定义为在其内的强度为峰值的50%的角度。
电学和光学特性的曲线
10
Tc=25°C
40°C
50°C
60°C
70°C
80°C
1.0
10
光强:P
O
( mW)的
40
60
θ
9
8
7
6
5
4
3
2
1
光功率:P
O
( mW)的
8
6
强度
θ
//
0.5
4
2
0
0
20
40
60
80
100
0
60
40
20
0
20
0
0
0.1
0.2
0.3
工作电流:眼压
(MA )
角(
度)
监视电流:我
m
(MA )
图1光纤输出
- 工作电流
图2远场图形
图3电流监控器
与光输出
2/2
附录
笔记
本文件的任何技术含量的网页不得以任何形式或通过任何传输
指无ROHM CO 。 , LTD事先许可。
本文所描述的内容如有更改,恕不另行通知。规格为
本文档中介绍的产品仅供参考。在实际使用中,因此,请申请
该规范将单独提供。
此处包含的应用电路图和电路常数被示为标准的例子
在使用和操作。在设计电路时,请小心留意周边环境
并决定在集合中的电路常数。
任何数据,包括但不限于:应用电路图信息,在此描述
仅作为这样的装置的示意图,而不是作为规格为这样的设备。 ROHM
股份有限公司。公司不承担任何担保,任何使用这种设备应无任何侵权
第三方的知识产权或其他专有权利,并进一步将需承担任何责任
凡在任何此类侵权,或产生的事件的性质,或有或相关连接
在使用这样的装置的。
一旦出售任何这样的设备,比使用此类设备本身的买受人的权利等,转售或
以其他方式处置的同时,任何明示或暗示的权利或执业执照或商业
利用所拥有或控制的任何知识产权或其他专有权利
罗姆股份有限公司。被授予任何此类买家。
本文档中列出的产品有没有抗辐射设计。
本文件中所列出的产品被设计成与通常的电子设备或装置使用
(如视听设备,办公自动化设备,通信设备,电气
电器及电子玩具) 。
如果您打算使用这些产品的设备或设备要求非常高的水平
可靠性和使用,将直接危及人的生命发生故障(如医疗器械,
交通运输设备,航空器械,核反应控制器,燃料控制器等
安全设备) ,请务必提前与我们的销售代表咨询。
关于出口管制令日本
产品本文描述的品控对象附件出口贸易管制的1 ( 16项)
订单在日本。
在从日本出口,请确认它是否适用于"objective"标准或"informed" (由通产省第)
对"catch大规模杀伤性武器不扩散的所有控件的基础。
Appendix1-Rev1.1
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