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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符R型号页 > 首字符R的型号第7页 > RK7002A
RK7002A
晶体管
开关（ 60V ， 300毫安）
RK7002A
！特点
1）低导通电阻。
2 ）高ESD
3 ）高速开关。
4）低电压驱动（ 4V） 。
5 ）易于设计的驱动电路。
6 ）易于并行使用。
!
外形尺寸
（单位：毫米）
0.95 0.95
0.15
(3)
(2) (1)
0.4
1.3
2.4
0.95
!
结构
硅N沟道
MOSFET晶体管
0.45
0~0.1
0.2Min.
每根导线具有相同的尺寸
1.9
2.9
ROHM ： SST3
EIAJ ： SOT -23
缩写符号： RKS
（ 1 ）资料来源
（ 2 ）门
（ 3 ）排水
!
等效电路
(3)
(2)
-GATE
保护
二极管。
(1)
保护二极管已建成的
栅极和防止静电的来源
电时，该产品在使用中。
使用保护电路，当固定电压
超标。
!
绝对最大额定值
(Ta=25°C)
参数
漏源电压
栅源电压
漏电流
连续
脉冲
连续
反向漏电流
脉冲
符号
V
DSS
V
GSS
I
D
I
DP
1
I
DR
I
DRP
1
P
D
2
总胆固醇
TSTG
范围
60
±20
300
1.2
300
1.2
200
150
55~+
150
单位
V
V
mA
A
mA
A
mW
°C
°C
总功耗
通道温度
储存温度
1
PW≤10μs ，值班cycle≤1 ％
2
当使用1 × 0.75 × 0.062英寸的玻璃环氧树脂板。
RK7002A
晶体管
!
电气特性
(Ta=25°C)
参数
栅极漏电流
漏源击穿电压
排水截止电流
栅极阈值电压
符号
I
GSS
V
（ BR ） DSS
I
DSS
V
GS （ TH）
分钟。
60
1
200
典型值。
0.7
1.1
33
14
9
6
5
13
80
3
0.6
0.5
马克斯。
±10
1
2.5
1.0
1.5
6
单位
A
V
A
V
mS
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
测试条件
V
GS
=±20V,
V
DS
=0V
I
D
=10A,
V
GS
=0V
V
DS
=60V,
V
GS
=0V
V
DS
=10V,
I
D
=1mA
I
D
=300mA,
V
GS
=10V
I
D
=300mA,
V
GS
=4V
V
DS
=10V,
I
D
=300mA
V
DS
=10V
V
GS
=0V
f=1MHz
I
D
=150mA,
V
DD
30V
V
GS
=10V
R
L
=200
R
GS
=10
V
DD
30V
V
GS
=10V
I
D
=200mA
漏源通态电阻R
DS （ ON）
1
正向转移导纳
输入电容
输出电容
反向传输电容
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
1
P
W
≤300s,
占空比= 1 ％
2
脉冲
升
fs
l
1
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D（上）
2
t
r
2
t
D（关闭）
2
t
f
2
Q
g
2
Q
gs
2
Q
gd
2
!
包装规格
包
CODE
TYPE
RK7002A
基本订购单位（件）
TAPING
T116
3000
!
电气特性曲线
栅极阈值电压： V
GS （ TH）
(V)
1.2
10V
6V
1.0
8V
4V
1
V
DS
=
10V
脉冲
2.5
V
DS
=
10V
I
D
=1mA
脉冲
0.8
0.6
0.4
VGS=3V
0.2
0.0
0.0
Ta=25°C
脉冲
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
漏源电压： V
DS
(V)
3.5V
漏电流：我
D
(A)
漏电流：我
D
(A)
2.0
0.1
Ta=25°C
25°C
75°C
125°C
0.01
1.5
1.0
0.5
0.001
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
0.0
50 25
0
25
50
75
100 125 150
栅源电压： V
GS
(V)
通道温度：总胆固醇
(°C)
图1典型的输出特性
图2典型的传输特性
图3栅极阈值电压
与通道温度
RK7002A
晶体管
10
静态漏源
通态电阻，R
DS （ ON）
()
静态漏源
通态电阻，R
DS （ ON）
()
V
GS
=
10V
脉冲
10
Ta=125°C
75°C
25°C
25°C
1.0
Ta=125°C
75°C
25°C
25°C
1.0
静态漏源
通态电阻，R
DS （ ON）
()
V
GS
=
4V
脉冲
7
6
5
4
I
D
=300mA
Ta=25°C
脉冲
3
150mA
2
1
0
0.1
0.01
0.1
漏电流：我
D
(A)
1.0
0.1
0.01
0.1
漏电流：我
D
(A)
1.0
0
5
10
15
20
栅源电压： V
GS
(V)
图4静态漏源导通状态
电阻与漏极电流（
Ι
)
图5静态漏源导通状态
电阻与漏极电流（
ΙΙ
)
图6静态漏源导通状态
电阻与栅源电压
2.0
反向漏电流：我
DR
(A)
静态漏源
通态电阻，R
DS （ ON）
()
反向漏电流：我
DR
(A)
V
GS
=10V
脉冲
1
V
GS
=
0V
脉冲
10
Ta=25°C
脉冲
V
GS
=10V
1.5
1
0.1
Ta=125°C
75°C
25°C
25°C
0.01
1.0
I
D
=300mA
0.1
0V
0.5
150mA
0.01
0.0
50 25
0
25
50
75
100 125 150
0.001
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
0.001
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
通道温度：总胆固醇（C ）
源极 - 漏极电压： V
SD
(V)
源极 - 漏极电压： V
SD
(V)
图7静态漏源导通状态
电阻与通道温度
图8反向漏电流 -
源极 - 漏极电压（
Ι
)
图9反向漏电流随
源极 - 漏极电压（
ΙΙ
)
正向转移导纳： | Y
fs
|
(S)
1
100
1000
电容：C
（PF ）
0.1
Ta=25°C
25°C
Ta=75°C
125°C
C
国际空间站
切换时间：吨
（纳秒）
t
f
100
t
D（关闭）
Ta=25°C
V
DD
=30V
V
GS
=10V
R
G
=10
脉冲
10
C
RSS
C
OSS
0.01
10
t
D（上）
t
r
0.001
0.001
V
GS
=10V
脉冲
0.01
0.1
1
漏电流：我
D
(A)
Ta=25°C
f=1MHz
V
GS
=0V
1
0.01
0.1
1
10
100
1
1
10
100
1000
漏源电压： V
DS
(V)
漏电流：我
D
(A)
图10正向转移导纳
与漏电流
图11典型电容
与漏源电压
图12开关特性
（参见图13和14，用于
测量电路
和由此产生的波形）
RK7002A
晶体管
!
开关特性测量电路
脉冲宽度
50%
10%
10%
90%
50%
V
GS
I
D
D.U.T.
R
L
V
DS
V
GS
V
DS
R
G
10%
90%
90%
t
D（关闭）
t
f
t
关闭
V
DD
t
D（上）
t
on
t
r
图13开关时间测量电路
图14开关时间波形
附录
笔记
本文件的任何技术含量的网页不得以任何形式或通过任何传输
指无ROHM CO 。 ， LTD事先许可。
本文所描述的内容如有更改，恕不另行通知。规格为
本文档中介绍的产品仅供参考。在实际使用中，因此，请申请
该规范将单独提供。
此处包含的应用电路图和电路常数被示为标准的例子
在使用和操作。在设计电路时，请小心留意周边环境
并决定在集合中的电路常数。
任何数据，包括但不限于：应用电路图信息，在此描述
仅作为这样的装置的示意图，而不是作为规格为这样的设备。 ROHM
股份有限公司。公司不承担任何担保，任何使用这种设备应无任何侵权
第三方的知识产权或其他专有权利，并进一步将需承担任何责任
凡在任何此类侵权，或产生的事件的性质，或有或相关连接
在使用这样的装置的。
一旦出售任何这样的设备，比使用此类设备本身的买受人的权利等，转售或
以其他方式处置的同时，任何明示或暗示的权利或执业执照或商业
利用所拥有或控制的任何知识产权或其他专有权利
罗姆股份有限公司。被授予任何此类买家。
本文档中列出的产品中使用硅作为基本材料。
本文档中列出的产品有没有抗辐射设计。
本文件中所列出的产品被设计成与通常的电子设备或装置使用
（如视听设备，办公自动化设备，通信设备，电气
电器及电子玩具） 。
如果您打算使用这些产品的设备或设备要求非常高的水平
可靠性和使用，将直接危及人的生命发生故障（如医疗器械，
交通运输设备，航空器械，核反应控制器，燃料控制器等
安全设备） ，请务必提前与我们的销售代表咨询。
关于出口管制令日本
产品本文描述的品控对象附件出口贸易管制的1 （ 16项）
订单在日本。
在从日本出口，请确认它是否适用于"objective"标准或"informed" （由通产省第）
对"catch大规模杀伤性武器不扩散的所有控件的基础。
Appendix1-Rev1.0
RK7002A
晶体管
开关（ 60V ， 300毫安）
RK7002A
！特点
1）低导通电阻。
2 ）高ESD
3 ）高速开关。
4）低电压驱动（ 4V） 。
5 ）易于设计的驱动电路。
6 ）易于并行使用。
!
外形尺寸
（单位：毫米）
0.95 0.95
0.15
(3)
(2) (1)
0.4
1.3
2.4
0.95
!
结构
硅N沟道
MOSFET晶体管
0.45
0~0.1
0.2Min.
每根导线具有相同的尺寸
1.9
2.9
ROHM ： SST3
EIAJ ： SOT -23
缩写符号： RKS
（ 1 ）资料来源
（ 2 ）门
（ 3 ）排水
!
等效电路
(3)
(2)
-GATE
保护
二极管。
(1)
保护二极管已建成的
栅极和防止静电的来源
电时，该产品在使用中。
使用保护电路，当固定电压
超标。
!
绝对最大额定值
(Ta=25°C)
参数
漏源电压
栅源电压
漏电流
连续
脉冲
连续
反向漏电流
脉冲
符号
V
DSS
V
GSS
I
D
I
DP
1
I
DR
I
DRP
1
P
D
2
总胆固醇
TSTG
范围
60
±20
300
1.2
300
1.2
200
150
55~+
150
单位
V
V
mA
A
mA
A
mW
°C
°C
总功耗
通道温度
储存温度
1
PW≤10μs ，值班cycle≤1 ％
2
当使用1 × 0.75 × 0.062英寸的玻璃环氧树脂板。
RK7002A
晶体管
!
电气特性
(Ta=25°C)
参数
栅极漏电流
漏源击穿电压
排水截止电流
栅极阈值电压
符号
I
GSS
V
（ BR ） DSS
I
DSS
V
GS （ TH）
分钟。
60
1
200
典型值。
0.7
1.1
33
14
9
6
5
13
80
3
0.6
0.5
马克斯。
±10
1
2.5
1.0
1.5
6
单位
A
V
A
V
mS
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
测试条件
V
GS
=±20V,
V
DS
=0V
I
D
=10A,
V
GS
=0V
V
DS
=60V,
V
GS
=0V
V
DS
=10V,
I
D
=1mA
I
D
=300mA,
V
GS
=10V
I
D
=300mA,
V
GS
=4V
V
DS
=10V,
I
D
=300mA
V
DS
=10V
V
GS
=0V
f=1MHz
I
D
=150mA,
V
DD
30V
V
GS
=10V
R
L
=200
R
GS
=10
V
DD
30V
V
GS
=10V
I
D
=200mA
漏源通态电阻R
DS （ ON）
1
正向转移导纳
输入电容
输出电容
反向传输电容
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
1
P
W
≤300s,
占空比= 1 ％
2
脉冲
升
fs
l
1
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D（上）
2
t
r
2
t
D（关闭）
2
t
f
2
Q
g
2
Q
gs
2
Q
gd
2
!
包装规格
包
CODE
TYPE
RK7002A
基本订购单位（件）
TAPING
T116
3000
!
电气特性曲线
栅极阈值电压： V
GS （ TH）
(V)
1.2
10V
6V
1.0
8V
4V
1
V
DS
=
10V
脉冲
2.5
V
DS
=
10V
I
D
=1mA
脉冲
0.8
0.6
0.4
VGS=3V
0.2
0.0
0.0
Ta=25°C
脉冲
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
漏源电压： V
DS
(V)
3.5V
漏电流：我
D
(A)
漏电流：我
D
(A)
2.0
0.1
Ta=25°C
25°C
75°C
125°C
0.01
1.5
1.0
0.5
0.001
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
0.0
50 25
0
25
50
75
100 125 150
栅源电压： V
GS
(V)
通道温度：总胆固醇
(°C)
图1典型的输出特性
图2典型的传输特性
图3栅极阈值电压
与通道温度
RK7002A
晶体管
10
静态漏源
通态电阻，R
DS （ ON）
()
静态漏源
通态电阻，R
DS （ ON）
()
V
GS
=
10V
脉冲
10
Ta=125°C
75°C
25°C
25°C
1.0
Ta=125°C
75°C
25°C
25°C
1.0
静态漏源
通态电阻，R
DS （ ON）
()
V
GS
=
4V
脉冲
7
6
5
4
I
D
=300mA
Ta=25°C
脉冲
3
150mA
2
1
0
0.1
0.01
0.1
漏电流：我
D
(A)
1.0
0.1
0.01
0.1
漏电流：我
D
(A)
1.0
0
5
10
15
20
栅源电压： V
GS
(V)
图4静态漏源导通状态
电阻与漏极电流（
Ι
)
图5静态漏源导通状态
电阻与漏极电流（
ΙΙ
)
图6静态漏源导通状态
电阻与栅源电压
2.0
反向漏电流：我
DR
(A)
静态漏源
通态电阻，R
DS （ ON）
()
反向漏电流：我
DR
(A)
V
GS
=10V
脉冲
1
V
GS
=
0V
脉冲
10
Ta=25°C
脉冲
V
GS
=10V
1.5
1
0.1
Ta=125°C
75°C
25°C
25°C
0.01
1.0
I
D
=300mA
0.1
0V
0.5
150mA
0.01
0.0
50 25
0
25
50
75
100 125 150
0.001
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
0.001
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
通道温度：总胆固醇（C ）
源极 - 漏极电压： V
SD
(V)
源极 - 漏极电压： V
SD
(V)
图7静态漏源导通状态
电阻与通道温度
图8反向漏电流 -
源极 - 漏极电压（
Ι
)
图9反向漏电流随
源极 - 漏极电压（
ΙΙ
)
正向转移导纳： | Y
fs
|
(S)
1
100
1000
电容：C
（PF ）
0.1
Ta=25°C
25°C
Ta=75°C
125°C
C
国际空间站
切换时间：吨
（纳秒）
t
f
100
t
D（关闭）
Ta=25°C
V
DD
=30V
V
GS
=10V
R
G
=10
脉冲
10
C
RSS
C
OSS
0.01
10
t
D（上）
t
r
0.001
0.001
V
GS
=10V
脉冲
0.01
0.1
1
漏电流：我
D
(A)
Ta=25°C
f=1MHz
V
GS
=0V
1
0.01
0.1
1
10
100
1
1
10
100
1000
漏源电压： V
DS
(V)
漏电流：我
D
(A)
图10正向转移导纳
与漏电流
图11典型电容
与漏源电压
图12开关特性
（参见图13和14，用于
测量电路
和由此产生的波形）
RK7002A
晶体管
!
开关特性测量电路
脉冲宽度
50%
10%
10%
90%
50%
V
GS
I
D
D.U.T.
R
L
V
DS
V
GS
V
DS
R
G
10%
90%
90%
t
D（关闭）
t
f
t
关闭
V
DD
t
D（上）
t
on
t
r
图13开关时间测量电路
图14开关时间波形
附录
笔记
本文件的任何技术含量的网页不得以任何形式或通过任何传输
指无ROHM CO 。 ， LTD事先许可。
本文所描述的内容如有更改，恕不另行通知。规格为
本文档中介绍的产品仅供参考。在实际使用中，因此，请申请
该规范将单独提供。
此处包含的应用电路图和电路常数被示为标准的例子
在使用和操作。在设计电路时，请小心留意周边环境
并决定在集合中的电路常数。
任何数据，包括但不限于：应用电路图信息，在此描述
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如果您打算使用这些产品的设备或设备要求非常高的水平
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关于出口管制令日本
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