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初步
数据表
RJP63K2DPK-M0
硅N沟道IGBT
高速电源开关
特点
沟槽栅和薄晶圆技术（ G6H - II系列）
低集电极到发射极饱和电压： V
CE （ SAT ）
= 1.9 V （典型值）
高速开关：吨
r
= 60纳秒（典型值） ，T
f
= 200纳秒（典型值） 。
低漏电流：I
CES
= 1
A
最大
R07DS0469EJ0200
Rev.2.00
2011年6月15日
概要
瑞萨封装代码： PRSS0004ZH -A
（包名称： TO- 3PSG ）
C
4
G
1.门
2.收集
3.辐射源
4.收集器（法兰）
E
1
2
3
绝对最大额定值
（ TA = 25°C ）
项
集电极到发射极电压
门到发射极电压
集电极电流
集电极电流峰值
集电极耗散
结到外壳热阻
结温
储存温度
注意事项： 1， PW
10
s,
占空比
1%
2. TC = 25℃
符号
V
CES
V
GES
Ic
集成电路（峰值）
Note1
P
注2
θJ -C
Tj
TSTG
评级
630
±30
35
200
60
2.08
150
-55到+150
单位
V
V
A
A
W
° C / W
°C
°C
R07DS0469EJ0200 Rev.2.00
2011年6月15日
第1页6
RJP63K2DPK-M0
初步
电气特性
（ TA = 25°C ）
项
零栅极电压集电极电流
门极 - 发射极漏电流
门到发射极截止电压
集电极到发射极饱和电压
输入电容
输出电容
尊传输电容
总栅极电荷
门极 - 发射极充
门到集充电
开关时间
符号
I
CES
I
GES
V
GE （关闭）
V
CE （ SAT ）
资本投资者入境计划
卓越中心
CRES
Qg
QGE
QGC
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
民
—
—
2.5
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
典型值
—
—
—
1.9
620
26
11
20
3
7
0.02
0.06
0.05
0.2
最大
1
±100
5
2.4
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
单位
A
nA
V
V
pF
pF
pF
nC
nC
nC
s
s
s
s
测试条件
V
CE
= 630 V, V
GE
= 0
V
GE
= ±30 V, V
CE
= 0
V
CE
= 10 V，I
C
= 1毫安
I
C
= 35 A，V
GE
= 15 V
Note3
V
CE
= 25 V
V
GE
= 0
F = 1 MHz的
V
GE
= 15 V
V
CE
= 300 V
I
C
= 35 A
I
C
= 35 A
R
L
= 8.5
V
GE
= 15 V
R
G
= 5
注： 3.脉冲测试。
R07DS0469EJ0200 Rev.2.00
2011年6月15日
第2 6
RJP63K2DPK-M0
初步
主要特点
最高安全工作区
1000
10
典型的输出特性
100
TA = 25
°
C
脉冲测试
10 V
15 V
9V
8.5 V
8V
7.5 V
7V
100
集电极电流I
C
(A)
集电极电流I
C
(A)
PW
μ
s
80
=
10
10
0
μ
s
60
1
40
6.5 V
6V
0.1
TA = 25
°
C
1次脉冲
0.01
0.1
1
10
100
1000
20
0
0
2
4
6
V
GE
= 5.5 V
8
10
集电极到发射极电压V
CE
(V)
集电极到发射极电压V
CE
(V)
典型的传输特性
50
集电极到发射极饱和电压
主场迎战门到发射极电压（典型值）
集电极到发射极饱和电压
V
CE （ SAT ）
(V)
10
TA = 25
°
C
脉冲测试
I
C
= 35 A
6
80 A
120 A
集电极电流I
C
(A)
V
CE
= 10 V
脉冲测试
40
8
30
20
4
10
0
0
TC = 75℃
25°C
25°C
2
0
0
4
8
12
16
20
2
4
6
8
10
门到发射极电压V
GE
(V)
门到发射极电压V
GE
(V)
集电极到发射极饱和电压
与集电极电流（典型值）
集电极到发射极饱和电压
V
CE （ SAT ）
(V)
10
V
GE
= 15 V
脉冲测试
TC = 75℃
1
25°C
25°C
0.1
1
10
100
集电极电流I
C
(A)
R07DS0469EJ0200 Rev.2.00
2011年6月15日
第3页6
RJP63K2DPK-M0
典型的电容比。
Colloctor到发射极电压
1000
资本投资者入境计划
初步
动态输入特性（典型）
Colloctor到发射极电压V
CE
(V)
电容C （PF ）
600
V
CC
= 300 V
I
C
= 35 A
TA = 25°C
V
GE
12
100
400
8
卓越中心
10
V
GE
= 0 V
F = 1 MHz的
TA = 25
°
C
1
0
20
40
60
80
100
CRES
200
V
CE
0
0
8
16
24
32
4
0
40
Colloctor到发射极电压V
CE
(V)
栅极电荷Qg （ NC ）
开关特性（典型值） （ 1 ）
1000
V
CC
= 300 V, V
GE
= 15 V
RG = 5
Ω,
TA = 25°C
开关特性（典型值） （ 2 ）
1000
I
C
= 35 A，V
GE
= 15 V
R
L
= 8.5
Ω,
TA = 25°C
tf
TD （关闭）
100
tr
开关时间t（ NS ）
tf
tr
TD （关闭）
TD （上）
100
开关时间t（ NS ）
TD （上）
10
10
1
10
100
1
10
100
Colloctor电流I
C
(A)
栅极电阻RG （ Ω ）
开关特性（典型值） （ 3 ）
1000
I
C
= 35 A，V
GE
= 15 V
R
L
= 8.5
Ω,
RG = 5
Ω
tf
开关时间t（ NS ）
100
tr
TD （关闭）
TD （上）
10
0
25
50
75
100
125
150
壳温度（ ° C）
R07DS0469EJ0200 Rev.2.00
2011年6月15日
第4 6
门到发射极电压V
GE
(V)
800
16
RJP63K2DPK-M0
归瞬态热阻抗与脉冲宽度
3
TC = 25°C
1
D=1
0.5
初步
归瞬态热阻抗
γ
秒（ t）的
0.3
0.2
0.1
0.1
0.05
2
0.0
θJ -C （ T）
=
γ
秒（ t）的
θJ -C
θJ -C
= 2.08 ° C / W ，TC = 25°C
0.01
PDM
PW
T
0.03
D=
1SHOT脉冲
PW
T
0.01
10
μ
100
μ
1m
10 m
100 m
1
脉冲宽度PW （S ）
开关时间测试电路
IC监控
R
L
输入电压监视器
VIN
10%
波形
90%
90%
90%
Rg
VIN = 15 V
D.U.T.
V
CC
Ic
TD （上）
吨
10%
tr
10%
TD （关闭）
花花公子
tf
R07DS0469EJ0200 Rev.2.00
2011年6月15日
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