初步
数据表
RJP60F0DPE
600 V - 25 A - IGBT
高速电源开关
特点
低集电极到发射极饱和电压
V
CE （ SAT ）
= 1.4 V （典型值） 。 （在我
C
= 25 A，V
GE
= 15V ， TA = 25 ° C）
沟槽栅和薄晶圆技术
高速开关
t
f
= 90纳秒（典型值） 。 （在我
C
= 30 A，V
CE
= 400 V, V
GE
= 15 V ， RG = 5
,
TA = 25 ° C，电感性负载）
R07DS0540EJ0100
Rev.1.00
2011年9月9日
概要
瑞萨封装代码： PRSS0004AE -B
（包名称： LDPAK （ S） - （ 1 ） ）
C
4
G
1
2
3
E
1.门
2.收集
3.辐射源
4.收集
绝对最大额定值
（ TC = 25 ° C）
项
集电极到发射极电压
门到发射极电压
集电极电流
TC = 25℃
TC = 100℃
集电极电流峰值
集电极耗散
结到外壳热阻
通道温度
储存温度
注意事项： 1，脉冲宽度有限的安全工作区。
符号
V
CES
V
GES
I
注1
I
注1
集成电路（峰值）
Note1
P
C
θJ -C
Tj
TSTG
评级
600
±30
50
25
100
122
1.02
150
-55到+150
单位
V
V
A
A
A
W
° C / W
°C
°C
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2011年9月9日
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RJP60F0DPE
归瞬态热阻抗与脉冲宽度
归瞬态热阻抗
γ
秒（ t）的
3
TC = 25°C
D=1
初步
1
0.5
0.3
0.2
0.1
θj
- C （T ） =
γs
(t)
θj
– c
θj
- C = 1.02 ° C / W ，TC = 25°C
P
DM
0.01
0.1
0.05
2
0.0
D=
PW
T
PW
T
1次脉冲
0.03
10
μ
100
μ
1m
10 m
100 m
1
10
脉冲宽度
开关时间测试电路
PW （S ）
波形
90%
二极管钳位
V
GE
L
90%
90%
10%
I
C
D.U.T
Rg
V
CE
V
CC
10%
t
D（上）
t
on
t
r
10%
1%
t
D（关闭）
t
f
t
TAIL
t
关闭
10%
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