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初步

数据表

RJP30E3DPK-M0

硅N沟道IGBT

高速电源开关

特点

沟槽栅技术（ G5H系列）

低集电极到发射极饱和电压V

CE （ SAT ）

= 1.6 V （典型值）

高速开关TF = 150纳秒（典型值）

低漏电流I

CES

= 1

μA

最大

R07DS0352EJ0200

Rev.2.00

2011年4月15日

概要

瑞萨封装代码： PRSS0004ZH -A

（包名称： TO- 3PSG ）

C

4

G

1.门

2.收集

3.辐射源

4.收集器（法兰）

E

1

2

3

绝对最大额定值

（ TA = 25°C ）

项

集电极到发射极电压

门到发射极电压

集电极电流

集电极电流峰值

集电极耗散

结到外壳热阻

结温

储存温度

注意事项： 1， PW

≤

10

μs,

占空比

≤

1%

2. TC = 25℃

符号

V

CES

V

GES

Ic

集成电路（峰值）

Note1

P

注2

θJ -C

Tj

TSTG

评级

360

±30

40

250

60

2.08

150

-55到+150

单位

V

V

A

A

W

° C / W

°C

°C

R07DS0352EJ0200 Rev.2.00

2011年4月15日

第1页6

RJP30E3DPK-M0

初步

电气特性

（ TA = 25°C ）

项

零栅极电压集电极电流

门极 - 发射极漏电流

门到发射极截止电压

集电极到发射极饱和电压

输入电容

输出电容

尊传输电容

总栅极电荷

门极 - 发射极充

门到集充电

开关时间

符号

I

CES

I

GES

V

GE （关闭）

V

CE （ SAT ）

资本投资者入境计划

卓越中心

CRES

Qg

QGE

QGC

t

D（上）

t

r

t

D（关闭）

t

f

民

—

—

2.5

—

—

—

—

—

—

—

—

—

—

—

典型值

—

—

—

1.6

1700

85

40

52

9

15

0.04

0.12

0.09

0.15

最大

1

±100

5

2.1

—

—

—

—

—

—

—

—

—

—

单位

μA

nA

V

V

pF

pF

pF

nC

nC

nC

μs

μs

μs

μs

测试条件

V

CE

= 360 V, V

GE

= 0

V

GE

= ±30 V, V

CE

= 0

V

CE

= 10 V，I

C

= 1毫安

I

C

= 40 A，V

GE

= 15 V

Note3

V

CE

= 25 V

V

GE

= 0

F = 1 MHz的

V

GE

= 15 V

V

CE

= 150 V

I

C

= 40 A

I

C

= 40 A

R

L

= 4

Ω

V

GE

= 15 V

R

G

= 5

Ω

注： 3.脉冲测试。

R07DS0352EJ0200 Rev.2.00

2011年4月15日

第2 6

RJP30E3DPK-M0

初步

主要特点

最高安全工作区

1000

100

典型的输出特性（ 1）

脉冲测试

6.8 V

TA = 25

°

C

7 V

8V

9V

11 V

15 V

6.2 V

6.4 V

6V

5.8 V

5.6 V

5.4 V

100

集电极电流I

C

(A)

集电极电流I

C

(A)

80

10

60

1

40

5.2 V

5V

0.1

TA = 25

°

C

1次脉冲

1

10

100

1000

20

0

0

1

2

3

V

GE

= 4.8 V

0.01

0.1

4

5

集电极到发射极电压V

CE

(V)

集电极到发射极电压V

CE

(V)

典型的输出特性（ 2）

200

脉冲测试

TA = 25

°

C

10 V

15 V

9V

8V

7.5 V

7V

6.5 V

典型的传输特性

100

V

CE

= 10 V

脉冲测试

80

集电极电流I

C

(A)

160

集电极电流I

C

(A)

120

6V

60

80

5.5 V

40

40

0

0

2

4

6

20

0

V

GE

= 5 V

75°C

25°C

TC = -25°C

4

6

8

10

8

10

0

2

集电极到发射极电压V

CE

(V)

门到发射极电压V

GE

(V)

集电极到发射极饱和电压

主场迎战门到发射极电压（典型值）

集电极到发射极饱和电压

V

CE （ SAT ）

(V)

集电极到发射极饱和电压

V

CE （ SAT ）

(V)

10

脉冲测试

TA = 25

°

C

8

集电极到发射极饱和电压

与集电极电流（典型值）

10

V

GE

= 15 V

脉冲测试

TC = -25°C

1

6

I

C

= 120 A

4

80 A

40 A

25°C 75°C

2

0

0

4

8

12

16

20

0.1

1

10

100

门到发射极电压V

GE

(V)

集电极电流I

C

(A)

R07DS0352EJ0200 Rev.2.00

2011年4月15日

第3页6

RJP30E3DPK-M0

典型的电容比。

集电极到发射极电压

10000

V

GE

= 0 V

F = 1 MHz的

TA = 25

°

C

1000

初步

动态输入Characteiristics （典型值）

Colloctor到发射极电压V

CE

(V)

I

C

= 40 A

300

V

CE

200

资本投资者入境计划

V

CE

= 250 V

150 V

12

8

100

卓越中心

CRES

10

100

V

CE

= 250 V

150 V

0

0

20

40

60

80

4

0

20

40

60

80

100

0

100

集电极到发射极电压V

CE

(V)

栅极电荷Qg （ NC ）

开关特性（典型值）（ 1 ）

1000

1000

开关特性（典型值）（ 2 ）

开关时间t（ NS ）

开关时间t（ NS ）

TD （关闭）

tf

100

tr

TD （上）

tf

100

TD （关闭）

tr

TD （上）

10

1

10

100

10

1

10

100

集电极电流I

C

(A)

开关特性（典型值）（ 3 ）

1000

开关时间t（ NS ）

TD （关闭）

100

TD （上）

tf

tr

10

0

25

50

75

100

125

150

北部沿海地区的情况下锝（

°

C)

R07DS0352EJ0200 Rev.2.00

2011年4月15日

第4 6

门到发射极电压V

GE

(V)

400

V

GE

16

电容C （PF ）

RJP30E3DPK-M0

归瞬态热阻抗与脉冲宽度

10

3

1

0.3

0.1

0.03

0.01

0.003

0.001

1m

10 m

100 m

1

10

D=1

0.5

0.2

TC = 25°C

初步

0.1

0.05

0.02

e

1

0.0

PULS

ot

sh

1

P

DM

PW

T

D=

PW

T

脉冲宽度PW （S ）

开关时间测试电路

IC监控

R

L

输入电压监视器

VIN

10%

90%

波形

90%

90%

Rg

VIN = 15 V

D.U.T.

V

CC

Ic

TD （上）

吨

10%

tr

10%

TD （关闭）

花花公子

tf

R07DS0352EJ0200 Rev.2.00

2011年4月15日

分页： 5 6

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