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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符R型号页 > 首字符R的型号第567页 > RJN1163
N沟道结型FET
RJN1163
驻极体电容器麦克风的应用
特点
特别适合用于音频和
电话驻极体电容话筒
卓越的电压增益
非常低噪声
高ESD电压
超小尺寸封装
封装类型： SOT- 300
[单位：mm ]
1.60
±0.05
0.31
±0.03
0.12
±0.03
3
1.40
±0.01
0.80
±0.05
0~0.02
应用
手机
便携式音频
掌上电脑
MP3播放器
1
0.21
±0.03
0.5
±0.05
2
0.21
±0.03
0.5
±0.05
MAX 0.34
[顶视图]
[方查看]
1.漏
2.源
3.门
绝对最大额定值在TA = 25
o
C
参数
栅极 - 漏极电压
栅电流
漏电流
允许功耗
结温
储存温度
符号
V
GDO
I
G
I
D
P
D
Tj
TSTG
评级
-20
10
10
100
150
-55到+150
单位
V
mA
mA
mW
o
o
C
C
在大电气特性= 25
o
C
参数
栅极 - 漏极耐压
截止电压
零栅极电压漏极电流
正向转移导纳
输入电容
反向传输电容
符号
V
（ BR ） GDO
V
GS （ OFF ）
I
DSS
| YFS |
西塞
CRSS
条件
I
G
= -100A
V
DS
= 5V ，我
D
= 1A
V
DS
= 5V, V
GS
= 0
V
DS
= 5V, V
GS
= 0中，f = 1kHz的
V
DS
= 5V, V
GS
= 0中，f = 1MHz的
V
DS
= 5V, V
GS
= 0中，f = 1MHz的
民
-20
-0.2
70*
0.4
评级
典型值
最大
-0.6
1.2
3.5
0.8
-1.5
430*
单位
V
V
A
mS
pF
pF
*该RJN1163是按我
DSS
如下
分类
A1
I
DSS
(A)
70~120
A2
100~170
B
150~270
C
210~350
D
320~430
RFsemi技术公司
第4版
RJN1163
电气特性
参数
o
符号
条件
民
典型值
-3.0
-1.2
最大
单位
dB
dB
dB
M
%
dB
[ TA = 25
C
, V
CC
= 4.5V ，R
L
= 1kΩ的，C
IN
= 15pF的，见指定的测试电路。 ]
电压增益
G
V
V
IN
= 10 mV时， F = 1kHz时
＆ GT ;
V
IN
= 10 mV时， V
CC
= 4.5
-
1.5V
降低电压特性
G
VV
F = 1kHz至110Hz
频率特性
G
Vf
输入阻抗
Z
IN
F = 1kHz时
输出阻抗
Z
O
F = 1kHz时
总谐波失真
THD
V
IN
= 10mV的， F = 1kHz时
输出噪声电压
V
NO
V
IN
= 0 ，曲线
-3.5
-1.0
700
30
1.0
-110
测试电路
电压增益
频率特性
失真
降低电压特性
1k
15pF
33F
VCC = 4.5V
VCC = 1.5V
OSC
B
V
THD
A
1k
VTVM
输出阻抗
500
I
D
- V
DS
漏电流，我
D
-
A
500
I
D
- V
DS
漏电流，我
D
-
A
400
400
300
V
GS
= 0V
-0.1V
-0.2V
V
GS
= 0V
300
200
200
-0.1V
-0.2V
100
-0.5V
0
0
1
2
3
-0.3V
-0.4V
4
5
100
-0.5V
0
0
2
4
6
8
-0.3V
-0.4V
10
漏极 - 到 - 源极电压，V
DS
- V
漏极 - 到 - 源极电压，V
DS
- V
RFsemi技术公司
第4版
RJN1163
V
DS
= 5V
1,000
正向转移导纳，升
fs
L - 毫秒
I
D
- V
GS
800
5
升YFS升 - 我
DSS
V
DS
= 5V
V
GS
= 0V
F = 1kHz时
3
2
600
漏电流，我
D
-
A
I
S
DS
=6
A
50
4
A
20
2
A
00
1
0.7
0.5
400
200
0.3
0.2
50
70
100
200
300
500
700
1000
2000
0
-1.0
-0.8
-0.6
-0.4
-0.2
0.0
门 - 到 - 源极电压，V
GS
- V
漏电流，我
DSS
-
A
2
V
GS （ OFF ）
- I
DSS
输入电容，西塞 - pF的
20
西塞 - V
DS
V
GS
= 0
F = 1MHz的
V
DS
= 5V
I
D
= 1A
截止电压，V
GS （ OFF ）
- V
-1
0.7
0.5
10
7
5
0.3
0.2
3
2
-0.1
50
70
100
200
300
500
700
1000
2000
1
0.7
1
2
3
5
7
10
20
30
漏电流，我
DSS
-
A
漏极 - 到 - 源极电压，V
DS
- V
反向传输电容，的Crss - pF的
5
3
2
CRSS - V
DS
V
GS
= 0
F = 1MHz的
2
G
V
- I
DSS
0
电压增益，G
v
-dB
-2
1
0.7
0.5
0.3
0.2
-4
-6
-8
G
V
: V
CC
= 5V
V
IN
= 10mV的
R
L
= 1.0k
F = 1kHz时
I
DSS
: V
DS
= 5.0V
50
70
100
200
300
500
700
1000
0.1
0.7
1
2
3
5
7
10
20
-10
漏极 - 到 - 电压，V
DS
- V
漏电流，我
DSS
-
A
RFsemi技术公司
第4版
RJN1163
降低电压特性，
G
VV
- DB
2
1
0
-1
-2
-3
-4
-5
50
70
100
200
G
VV
: V
CC
= 4.5V至1.5V
V
IN
= 10mV的
f=1kHz
I
DSS
: V
DS
= 5.0V
总谐波失真THD - ％
3
G
VV
- I
DSS
THD - 我
DSS
5
3
2
THD ： V
CC
= 4.5V
V
IN
= 30mV的
F = 1kHz时
I
DSS
: V
DS
= 5.0V
1
0.7
0.5
0.3
50
70
100
300
500
700
1000
漏电流，我
DSS
-
A
漏电流，我
DSS
-
A
200
300
500
700
1000
Z
IN
- I
DSS
输入阻抗，Z
IN
- M
输出阻抗，Z
o
-
44
42
Z
IN
: V
CC
= 4.5V
V
IN
= 10mV的
F = 1kHz时
I
DSS
: V
DS
= 5.0V
700
Z
O
- I
DSS
Z
O
: V
CC
= 4.5V
V
IN
= 10mV的
F = 1kHz时
I
DSS
: V
DS
= 5.0V
600
500
40
400
38
300
36
200
50
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200
300
500
700
1000
50
70
100
漏电流，我
DSS
-
A
200
300
500
700
1000
漏电流，我
DSS
-
A
允许功耗，P
D
-mW
总谐波失真THD - ％
120
P
D
- TA
30
20
THD - V
IN
THD ： V
CC
= 4.5V
F = 1kHz时
I
DSS
: V
DS
= 5.0V
0
A
= 10
A
I
DSS
300 A
400
100
10
7
5
3
2
80
60
40
20
1
0.7
0.5
0
40
80
120
160
200
240
0
0
20
40
60
80
100
120
140
160
o
环境温度TA - C
输入电压V
IN
- 毫伏
RFsemi技术公司
第4版
N沟道结型FET
RJN1163
驻极体电容器麦克风的应用
特点
特别适合用于音频和
电话驻极体电容话筒
卓越的电压增益
非常低噪声
高ESD电压
超小尺寸封装
封装类型： SOT- 300
[单位：mm ]
1.60
±0.05
0.31
±0.03
0.12
±0.03
3
1.40
±0.01
0.80
±0.05
0~0.02
应用
手机
便携式音频
掌上电脑
MP3播放器
1
0.21
±0.03
0.5
±0.05
2
0.21
±0.03
0.5
±0.05
MAX 0.34
[顶视图]
[方查看]
1.漏
2.源
3.门
绝对最大额定值在TA = 25
o
C
参数
栅极 - 漏极电压
栅电流
漏电流
允许功耗
结温
储存温度
符号
V
GDO
I
G
I
D
P
D
Tj
TSTG
评级
-20
10
10
100
150
-55到+150
单位
V
mA
mA
mW
o
o
C
C
在大电气特性= 25
o
C
参数
栅极 - 漏极耐压
截止电压
零栅极电压漏极电流
正向转移导纳
输入电容
反向传输电容
符号
V
（ BR ） GDO
V
GS （ OFF ）
I
DSS
| YFS |
西塞
CRSS
条件
I
G
= -100A
V
DS
= 5V ，我
D
= 1A
V
DS
= 5V, V
GS
= 0
V
DS
= 5V, V
GS
= 0中，f = 1kHz的
V
DS
= 5V, V
GS
= 0中，f = 1MHz的
V
DS
= 5V, V
GS
= 0中，f = 1MHz的
民
-20
-0.2
70*
0.4
评级
典型值
最大
-0.6
1.2
3.5
0.8
-1.5
430*
单位
V
V
A
mS
pF
pF
*该RJN1163是按我
DSS
如下
分类
A1
I
DSS
(A)
70~120
A2
100~170
B
150~270
C
210~350
D
320~430
RFsemi技术公司
第4版
RJN1163
电气特性
参数
o
符号
条件
民
典型值
-3.0
-1.2
最大
单位
dB
dB
dB
M
%
dB
[ TA = 25
C
, V
CC
= 4.5V ，R
L
= 1kΩ的，C
IN
= 15pF的，见指定的测试电路。 ]
电压增益
G
V
V
IN
= 10 mV时， F = 1kHz时
＆ GT ;
V
IN
= 10 mV时， V
CC
= 4.5
-
1.5V
降低电压特性
G
VV
F = 1kHz至110Hz
频率特性
G
Vf
输入阻抗
Z
IN
F = 1kHz时
输出阻抗
Z
O
F = 1kHz时
总谐波失真
THD
V
IN
= 10mV的， F = 1kHz时
输出噪声电压
V
NO
V
IN
= 0 ，曲线
-3.5
-1.0
700
30
1.0
-110
测试电路
电压增益
频率特性
失真
降低电压特性
1k
15pF
33F
VCC = 4.5V
VCC = 1.5V
OSC
B
V
THD
A
1k
VTVM
输出阻抗
500
I
D
- V
DS
漏电流，我
D
-
A
500
I
D
- V
DS
漏电流，我
D
-
A
400
400
300
V
GS
= 0V
-0.1V
-0.2V
V
GS
= 0V
300
200
200
-0.1V
-0.2V
100
-0.5V
0
0
1
2
3
-0.3V
-0.4V
4
5
100
-0.5V
0
0
2
4
6
8
-0.3V
-0.4V
10
漏极 - 到 - 源极电压，V
DS
- V
漏极 - 到 - 源极电压，V
DS
- V
RFsemi技术公司
第4版
RJN1163
V
DS
= 5V
1,000
正向转移导纳，升
fs
L - 毫秒
I
D
- V
GS
800
5
升YFS升 - 我
DSS
V
DS
= 5V
V
GS
= 0V
F = 1kHz时
3
2
600
漏电流，我
D
-
A
I
S
DS
=6
A
50
4
A
20
2
A
00
1
0.7
0.5
400
200
0.3
0.2
50
70
100
200
300
500
700
1000
2000
0
-1.0
-0.8
-0.6
-0.4
-0.2
0.0
门 - 到 - 源极电压，V
GS
- V
漏电流，我
DSS
-
A
2
V
GS （ OFF ）
- I
DSS
输入电容，西塞 - pF的
20
西塞 - V
DS
V
GS
= 0
F = 1MHz的
V
DS
= 5V
I
D
= 1A
截止电压，V
GS （ OFF ）
- V
-1
0.7
0.5
10
7
5
0.3
0.2
3
2
-0.1
50
70
100
200
300
500
700
1000
2000
1
0.7
1
2
3
5
7
10
20
30
漏电流，我
DSS
-
A
漏极 - 到 - 源极电压，V
DS
- V
反向传输电容，的Crss - pF的
5
3
2
CRSS - V
DS
V
GS
= 0
F = 1MHz的
2
G
V
- I
DSS
0
电压增益，G
v
-dB
-2
1
0.7
0.5
0.3
0.2
-4
-6
-8
G
V
: V
CC
= 5V
V
IN
= 10mV的
R
L
= 1.0k
F = 1kHz时
I
DSS
: V
DS
= 5.0V
50
70
100
200
300
500
700
1000
0.1
0.7
1
2
3
5
7
10
20
-10
漏极 - 到 - 电压，V
DS
- V
漏电流，我
DSS
-
A
RFsemi技术公司
第4版
RJN1163
降低电压特性，
G
VV
- DB
2
1
0
-1
-2
-3
-4
-5
50
70
100
200
G
VV
: V
CC
= 4.5V至1.5V
V
IN
= 10mV的
f=1kHz
I
DSS
: V
DS
= 5.0V
总谐波失真THD - ％
3
G
VV
- I
DSS
THD - 我
DSS
5
3
2
THD ： V
CC
= 4.5V
V
IN
= 30mV的
F = 1kHz时
I
DSS
: V
DS
= 5.0V
1
0.7
0.5
0.3
50
70
100
300
500
700
1000
漏电流，我
DSS
-
A
漏电流，我
DSS
-
A
200
300
500
700
1000
Z
IN
- I
DSS
输入阻抗，Z
IN
- M
输出阻抗，Z
o
-
44
42
Z
IN
: V
CC
= 4.5V
V
IN
= 10mV的
F = 1kHz时
I
DSS
: V
DS
= 5.0V
700
Z
O
- I
DSS
Z
O
: V
CC
= 4.5V
V
IN
= 10mV的
F = 1kHz时
I
DSS
: V
DS
= 5.0V
600
500
40
400
38
300
36
200
50
70
100
200
300
500
700
1000
50
70
100
漏电流，我
DSS
-
A
200
300
500
700
1000
漏电流，我
DSS
-
A
允许功耗，P
D
-mW
总谐波失真THD - ％
120
P
D
- TA
30
20
THD - V
IN
THD ： V
CC
= 4.5V
F = 1kHz时
I
DSS
: V
DS
= 5.0V
0
A
= 10
A
I
DSS
300 A
400
100
10
7
5
3
2
80
60
40
20
1
0.7
0.5
0
40
80
120
160
200
240
0
0
20
40
60
80
100
120
140
160
o
环境温度TA - C
输入电压V
IN
- 毫伏
RFsemi技术公司
第4版
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RK09D1130C3C
RH3216G100CS
RP10-2405SEP
REC5-1205SRWZ/H6
R452003.
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批号
数量
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单价/备注
操作
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    QQ： 点击这里给我发消息 QQ：2880707522 复制 点击这里给我发消息 QQ：2369405325 复制

    电话：0755-82780082
    联系人：杨小姐
    地址：深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    RJN1163
    -
    -
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