初步
数据表
RJM0404JSC
硅N / P沟道功率MOS FET （ 6合1型）
高速电源开关
特点
汽车应用
AEC- Q101标准
N / P沟道MOS FET （ 6合1类型） 。高密度安装
低导通电阻
能够4.5 V门极驱动
R07DS0338EJ0500
Rev.5.00
2011年5月11日
概要
瑞萨封装代码： PRSP0020DF -A
（包名称： HSOP - 20 ）
MOS6
PCH
19
S
MOS5
PCH
14
S
MOS4
PCH
11
S
20
G
17
G
12
G
D 3,18,21
2
G
7
G
D 5,6,15,16,22
10
G
D 8,13,23
S
1
MOS1
NCH
S
4
MOS2
NCH
S
9
MOS3
NCH
R07DS0338EJ0500 Rev.5.00
2011年5月11日
分页： 11 1
RJM0404JSC
初步
电气特性
MOS1 ， MOS2 ， MOS3 （N通道）
（ TA = 25°C ）
项
零栅极电压漏极电流
门源漏电流
门源截止电压
静态漏源导通状态
阻力
输入电容
输出电容
反向传输电容
总栅极电荷
门源费
栅漏电荷
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
体漏二极管的正向电压
体漏二极管反向恢复
时间
注意：
5.脉冲测试
符号
I
DSS
I
GSS
V
GS （ OFF ）
R
DS （ ON）
西塞
科斯
CRSS
Qg
QGS
QGD
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
V
DF
t
rr
民
—
—
1.0
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
典型值
—
—
—
17
24
1400
230
100
23
3
4
15
35
50
8
0.92
20
最大
10
10
2.5
21
34
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
1.2
—
单位
A
A
V
m
m
pF
pF
pF
nC
nC
nC
ns
ns
ns
ns
V
ns
测试条件
V
DS
= 40 V, V
GS
= 0
V
GS
= +20 / –5 V, V
DS
= 0
V
DS
= 10 V，I
D
= 1毫安
I
D
= 10 A，V
GS
= 10 V
Note5
I
D
= 10 A，V
GS
= 4.5 V
Note5
V
DS
= 10V, V
GS
= 0,
F = 1 MHz的
V
DD
= 25 V, V
GS
= 10 V,
I
D
= 20 A
V
GS
= 10 V，I
D
= 10 A,
V
DD
20 V ，R
L
= 2
,
R
G
= 4.7
I
F
= 20 A，V
GS
= 0
Note5
I
F
= 20 A，V
GS
= 0
di
F
/ DT = 50 A / μs的
MOS4 ， MOS5 ， MOS6 （ P沟道）
（ TA = 25°C ）
项
零栅极电压漏极电流
门源漏电流
门源截止电压
静态漏源导通状态
阻力
输入电容
输出电容
反向传输电容
总栅极电荷
门源费
栅漏电荷
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
体漏二极管的正向电压
体漏二极管反向恢复
时间
注意：
6.脉冲测试
符号
I
DSS
I
GSS
V
GS （ OFF ）
R
DS （ ON）
西塞
科斯
CRSS
Qg
QGS
QGD
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
V
DF
t
rr
民
—
—
–1.0
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
典型值
—
—
—
34
48
1500
230
140
25
5
4
30
55
50
20
–0.97
30
最大
–10
10
–2.5
42
68
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
–1.26
—
单位
A
A
V
m
m
pF
pF
pF
nC
nC
nC
ns
ns
ns
ns
V
ns
测试条件
V
DS
= –40 V, V
GS
= 0
V
GS
= –20 / +5 V, V
DS
= 0
V
DS
= -10 V，I
D
= -1毫安
I
D
= -10 A，V
GS
= –10 V
Note6
I
D
= -10 A，V
GS
= –4.5 V
Note6
V
DS
= –10 V, V
GS
= 0,
F = 1 MHz的
V
DD
= –25 V, V
GS
= –10 V,
I
D
= –20 A
V
GS
= -10 V，I
D
= –10 A,
V
DD
= 20 V ，R
L
=2
,
R
G
= 4.7
I
F
= -20 A，V
GS
= 0
Note6
I
F
= -20 A，V
GS
= 0
di
F
/ DT = 50 A / μs的
R07DS0338EJ0500 Rev.5.00
2011年5月11日
第11 3
RJM0404JSC
初步
主要特点
MOS1 ，2，3 （N沟道）
最高安全工作区
1000
TC = 25°C
1次脉冲
典型的输出特性
20
10 V
TC = 25°C
脉冲测试
2.8 V
漏电流I
D
(A)
漏电流I
D
(A)
100
10
μ
s
10
0
16
4.5 V
12
10
μ
s
1
s
m
1
PW = 10毫秒
8
V
GS
= 2.7 V
手术
在这个区域
0.1
有限
DS （ ON）
直流操作
4
0.01
0.1
1
10
100
0
2
4
6
8
10
漏源极电压
V
DS
(V)
漏极至源极电压V
DS
(V)
静态漏极至源极通态电阻与
栅极至源极电压
50
I
D
= 10 A
脉冲测试
40
TC = 150℃
10
V
DS
= 10 V
脉冲测试
1
0.1
0.01
0.001
TC = 150℃
25°C
40°C
1
2
3
4
5
静态漏极至源极通态电阻
R
DS （ ON）
(mΩ)
典型的传输特性
漏电流I
D
(A)
30
20
25°C
40°C
10
0.0001
0
0
4
8
12
16
20
栅极至源极电压V
GS
(V)
静态漏极至源极国导通电阻
与漏电流
1000
TC = 25°C
脉冲测试
栅极至源极电压V
GS
(V)
静态漏极至源极通态电阻
与温度的关系
50
I
D
= 10 A
脉冲测试
40
V
SG
=
4.5
V
30
静态漏极至源极通态电阻
R
DS （ ON）
(mΩ)
100
V
GS
= 4.5 V
静态漏极至源极通态电阻
R
DS （ ON）
(mΩ)
20
10
V
10
0
50
10
10 V
1
1
10
100
25
0 25 50 75 100 125 150 175
漏电流I
D
(A)
壳温度（ ° C）
R07DS0338EJ0500 Rev.5.00
2011年5月11日
第11 4
QQ：2880707522 复制
