初步
数据表
RJM0306JSP
硅N / P沟道功率MOS FET
高速电源开关
特点
两个元件的每个N和P的信道被引入（适合H桥电路）
高密度安装
低导通电阻
能够4 V栅极驱动
高温D-S间漏保
雪崩额定值
REJ03G1571-0101
Rev.1.01
2010年5月28日
概要
瑞萨封装代码： PRSP0008DD -D
（包名称： SOP - 8 <FP - 8DAV> ）
S7
PIN号
1
2
D5
3
4
2G
MOS1
NCH
S3
4G
MOS2
NCH
5
6
7
8
元素
MOS1 （ N沟道）
MOS4 （ PCH）
MOS1 （ N沟道）
MOS1 （ N沟道）
MOS2 （ N沟道）
MOS2 （ N沟道）
MOS2 （ N沟道）
MOS3 （ PCH）
MOS3 （ PCH）
MOS3 （ PCH）
MOS4 （ PCH）
MOS4 （ PCH）
漏
门
来源
门
电极
漏
门
来源
门
MOS4
PCH
MOS3
PCH
6G
87
65
8G
1
4
23
D1
绝对最大额定值
（ TA = 25°C ）
项
漏源极电压
栅极至源极电压
漏电流
漏电流峰值
雪崩电流
雪崩能量
散热通道
散热通道
通道温度
储存温度
注：1 。
2.
3.
4.
符号
V
DSS
V
GSS
I
D
I
D
（脉冲）
注1
I
APNote 4
E
ARNote 4
PCH
注2
PCH
注3
总胆固醇
TSTG
价值
MOS1 ， 2 （ N沟道）
30
20
3.5
28
3.5
1.22
1.5
2.2
150
-55到+150
MOS3 ，4（ P沟道）
–30
20
–3.5
–28
–3.5
1.22
单位
V
V
A
A
A
mJ
W
W
C
C
PW
10
s,
占空比
1%
1驱动器操作：当使用玻璃环氧板（ FR4 40
40
1.6毫米） ， PW
10 s
2驱动器的操作：当使用玻璃环氧板（ FR4 40
40
1.6毫米） ， PW
10 s
在总胆固醇值= 25 ° C， RG
50
REJ03G1571-0101 Rev.1.01
2010年5月28日
分页： 11 1
RJM0306JSP
硅N / P沟道功率MOS FET
高速电源开关
REJ03G1571-0100
Rev.1.00
二○○七年十一月一十六日
特点
两个元件的每个N和P的信道被引入（适合H桥电路）
高密度安装
低导通电阻
能够4 V栅极驱动
高温D-S间漏保
雪崩额定值
概要
瑞萨封装代码： PRSP0008DD -D
（包名称： SOP - 8 <FP - 8DAV> ）
S7
PIN号
MOS4
PCH
MOS3
PCH
6G
1
2
3
D1
D5
4
5
2G
MOS1
NCH
4G
MOS2
NCH
6
7
8
元素
MOS1 （ N沟道）
MOS4 （ PCH）
MOS1 （ N沟道）
MOS1 （ N沟道）
MOS2 （ N沟道）
MOS2 （ N沟道）
MOS2 （ N沟道）
MOS3 （ PCH）
MOS3 （ PCH）
MOS3 （ PCH）
MOS4 （ PCH）
MOS4 （ PCH）
漏
门
来源
门
来源
门
电极
漏
门
65
87
4
23
8G
1
S3
REJ03G1571-0100 Rev.1.00 2007年11月16日
第12页1
RJM0306JSP
绝对最大额定值
（ TA = 25°C ）
项
漏源极电压
栅极至源极电压
漏电流
漏电流峰值
雪崩电流
雪崩能量
散热通道
散热通道
通道温度
储存温度
注：1 。
2.
3.
4.
符号
V
DSS
V
GSS
I
D
I
D
（脉冲）
注1
I
APNote 4
E
ARNote 4
PCH
注2
PCH
注3
总胆固醇
TSTG
价值
MOS1 ， 2 （ N沟道）
MOS3 ，4（ P沟道）
30
–30
±20
±20
3.5
–3.5
28
–28
3.5
–3.5
1.22
1.22
1.5
2.2
150
-55到+150
单位
V
V
A
A
A
mJ
W
W
°C
°C
PW
≤
10
s,
占空比
≤
1%
1驱动器操作：当使用玻璃环氧板（ FR4 40
×
40
×
1.6毫米） ， PW
≤
10 s
2驱动器的操作：当使用玻璃环氧板（ FR4 40
×
40
×
1.6毫米） ， PW
≤
10 s
在总胆固醇值= 25 ° C， RG
≥
50
REJ03G1571-0100 Rev.1.00 2007年11月16日
第12页2
RJM0306JSP
电气特性
MOS1 ， 2 （ N沟道）
（ TA = 25°C ）
项
漏源击穿
电压
栅源击穿
电压
零栅极电压漏极电流
零栅极电压漏极电流
门源漏电流
门源截止电压
静态漏源导通状态
阻力
静态漏源导通状态
阻力
静态漏源导通状态
阻力
输入电容
输出电容
反向传输电容
总栅极电荷
门源费
栅漏电荷
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
体漏二极管的正向电压
体漏二极管的反向
恢复时间
注意：
5.脉冲测试
符号
V
（ BR ） DSS
V
（ BR ） GSS
I
DSS
I
DSS
I
GSS
V
GS （ OFF ）
R
DS （ ON）
R
DS （ ON）
R
DS （ ON）
西塞
科斯
CRSS
Qg
QGS
QGD
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
V
DF
t
rr
民
30
±20
—
—
—
1.0
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
典型值
—
—
—
—
—
—
50
70
80
290
85
30
5.0
1.2
0.6
12
12
35
8
0.88
25
最大
—
—
1
10
±10
2.5
65
105
130
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
1.15
—
单位
V
V
A
A
A
V
m
m
m
pF
pF
pF
nC
nC
nC
ns
ns
ns
ns
V
ns
测试条件
I
D
= 10 mA时， V
GS
= 0
I
G
=
±100 A,
V
DS
= 0
V
DS
= 30 V, V
GS
= 0
V
DS
= 24 V, V
GS
= 0,
TA = 125°C
V
GS
=
±16
V, V
DS
= 0
V
DS
= 10 V，I
D
= 1毫安
I
D
= 2.0 A
Note5
, V
GS
= 10 V
I
D
= 2.0 A
Note5
, V
GS
= 4.5 V
I
D
= 2.0 A
Note5
, V
GS
= 4.0 V
V
DS
= 10 V, V
GS
= 0 ,
F = 1 MHz的
V
DD
= 10 V, V
GS
= 10 V,
I
D
= 3.5 A
V
GS
= 10 V，I
D
= 2.0 A,
V
DD
10 V ，R
L
= 5
,
R
G
= 4.7
I
F
= 3.5 A，V
GS
= 0
Note5
I
F
= 3.5A ，V
GS
= 0
di
F
/ DT = 100 A / μs的
REJ03G1571-0100 Rev.1.00 2007年11月16日
第12页3
RJM0306JSP
MOS3 ，4（ P沟道）
（ TA = 25°C ）
项
漏源击穿
电压
栅源击穿
电压
零栅极电压漏极电流
零栅极电压漏极电流
门源漏电流
门源截止电压
静态漏源导通状态
阻力
静态漏源导通状态
阻力
静态漏源导通状态
阻力
输入电容
输出电容
反向传输电容
总栅极电荷
门源费
栅漏电荷
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
体漏二极管的正向电压
体漏二极管的反向
恢复时间
注意：
5.脉冲测试
符号
V
（ BR ） DSS
V
（ BR ） GSS
I
DSS
I
DSS
I
GSS
V
GS （ OFF ）
R
DS （ ON）
R
DS （ ON）
R
DS （ ON）
西塞
科斯
CRSS
Qg
QGS
QGD
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
V
DF
t
rr
民
–30
±20
—
—
—
–1.0
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
典型值
—
—
—
—
—
—
90
140
160
320
85
50
6.0
1.4
1.0
30
17
30
7
–0.92
30
最大
—
—
–1
–10
±10
–2.5
120
210
260
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
–1.2
—
单位
V
V
A
A
A
V
m
m
m
pF
pF
pF
nC
nC
nC
ns
ns
ns
ns
V
ns
测试条件
I
D
= -10毫安，V
GS
= 0
I
G
=
±100 A,
V
DS
= 0
V
DS
= –30 V, V
GS
= 0
V
DS
= –24 V, V
GS
= 0,
TA = 125°C
V
GS
=
±16
V, V
DS
= 0
V
DS
= -10 V，I
D
= -1毫安
I
D
= –2.0 A
Note5
, V
GS
= –10 V
I
D
= –2.0 A
Note5
, V
GS
= –4.5 V
I
D
= –2.0 A
Note5
, V
GS
= –4.0 V
V
DS
= –10 V, V
GS
= 0,
F = 1 MHz的
V
DD
= –10 V, V
GS
= –10 V,
I
D
= –3.5 A
V
GS
= -10 V，I
D
= –2.0 A,
V
DD
= 10 V ，R
L
= 5.0
,
R
G
= 4.7
I
F
= -3.5 A，V
GS
= 0
Note5
I
F
= -3.5 A，V
GS
= 0
di
F
/ DT = 100 A / μs的
REJ03G1571-0100 Rev.1.00 2007年11月16日
第12页4
RJM0306JSP
主要特点
MOS1 ， 2 （ N沟道）
最高安全工作区
100
10
DC
典型的输出特性
10
4.2 V
4.5 V
10 V
3.8 V
漏电流I
D
(A)
PW
Op
er
ATI
=1
1
0m
on
s(
1s
漏电流I
D
(A)
10
10
0
s
1m
s
s
(P
ho
W
t)
5
3.2 V
0.1
操作
这个区域是
限于由R
DS （ ON）
≤
1
0 s
ote6
)
N
2.8 V
0.01
0.001
0.1
TA = 25°C
1次脉冲
脉冲测试
V
GS
= 0 V
1
10
100
0
5
10
漏极至源极电压V
DS
(V)
注6：当使用玻璃环氧基板
（ FR4 40
×
40
×
1.6 mm)
漏极至源极电压V
DS
(V)
静态漏极至源极通态电阻
与漏电流
漏极至源极导通电阻
R
DS （ ON）
(m)
1000
典型的传输特性
10
1
0.1
0.01
0.001
0.0001
0.00001
0
V
DS
= 10 V
脉冲测试
漏电流I
D
(A)
100
4.5 V
V
GS
= 4 V
TC = 150℃
25°C
40°C
10 V
10
0.1
1
脉冲测试
1
2
3
4
5
10
栅极至源极电压V
GS
(V)
静态漏极至源极通态电阻
与温度的关系
200
脉冲测试
I
D
= 2 A
1000
漏电流I
D
(A)
典型的电容比。
漏源极电压
V
GS
= 0
F = 1 MHz的
西塞
静态漏极至源极通态电阻
R
DS （ ON）
(m)
150
V
GS
= 4 V
100
4.5 V
电容C （PF ）
100
科斯
50
10 V
0
50
CRSS
25
10
0
25
50
75 100 125 150
0
10
20
30
40
50
壳温度（ ° C）
漏极至源极电压V
DS
(V)
REJ03G1571-0100 Rev.1.00 2007年11月16日
第12页5
QQ：2880707522 复制
