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初步
数据表
RJL6032DPP-M0
硅N沟道MOS FET
高速电源开关
特点
低通态电阻
R
DS （ ON）
= 3.3
（典型值） 。 （在我
D
= 1 A，V
GS
= 10 V ，TA = 25C ）
高速开关
内置快速恢复二极管
R07DS0250EJ0100
Rev.1.00
2010年1月27日
概要
瑞萨封装代码： PRSS0003AF -A
（包名称： TO- 220FL ）
D
G
1.门
2.漏
3.源
1
2 3
S
绝对最大额定值
（ TA = 25°C ）
项
漏源极电压
栅极至源极电压
漏电流
漏电流峰值
雪崩电流
散热通道
通道到外壳的热阻
通道温度
储存温度
注意事项： 1，脉冲宽度有限的安全工作区。
2.价值在Tc = 25℃
3. STCH = 25 ° C，总胆固醇
150C
符号
V
DSS
V
GSS
I
D
I
D（脉冲）注1
I
APNote3
PCH
注2
θch -C
总胆固醇
TSTG
价值
600
30
2
8
2
30.6
4.08
150
-55到+150
单位
V
V
A
A
A
W
° C / W
C
C
R07DS0250EJ0100 Rev.1.00
2010年1月27日
第1页6
RJL6032DPP-M0
初步
电气特性
（ TA = 25°C ）
项
漏源击穿电压
零栅极电压漏极电流
门源漏电流
门源截止电压
静态漏极至源极通态电阻
输入电容
输出电容
反向传输电容
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
总规费
门源费
栅漏电荷
体漏二极管的正向电压
体漏二极管的反向恢复时间
符号
V
（ BR ） DSS
I
DSS
I
GSS
V
GS （关闭）
R
DS （ ON）
西塞
科斯
CRSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
Qg
QGS
QGD
V
DF
t
rr
民
600
—
—
2
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
典型值
—
—
—
—
3.3
265
35
4.5
12
13
30
40
10.6
1.2
5.6
—
—
最大
—
10
0.1
4
3.7
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
1.5
160
单位
V
A
A
V
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
V
ns
测试条件
I
D
= 10 mA时， V
GS
= 0
V
DS
= 600 V, V
GS
= 0
V
GS
=
30
V, V
DS
= 0
V
DS
= 10 V，I
D
= 1毫安
I
D
= 1 A，V
GS
= 10 V
注4
V
DS
= 25 V
V
GS
= 0
F = 1 MHz的
V
DD
= 300 V
I
D
= 1 A
V
GS
= 10 V
RG = 10
V
DD
= 480 V
V
GS
= 10 V
I
D
= 2 A
I
F
= 2 A，V
GS
= 0
注4
I
F
= 2 A，V
GS
= 0
V
DD
= 300 V
di
F
/ DT = 100 A / μs的
注意：
4.脉冲测试
R07DS0250EJ0100 Rev.1.00
2010年1月27日
第2 6
RJL6032DPP-M0
初步
主要特点
最高安全工作区
100
5
TA = 25°C
脉冲测试
5V
7V
10 V
20 V
4.6 V
4.4 V
4.8 V
典型的输出特性
I
D
(A)
10
PW
1
10
=1
μ
s
00
漏电流
0.1
操作在此
区域由限定
R
DS （ ON）
TC = 25°C
1次射门
1
10
100
1000
漏电流
μ
s
I
D
(A)
4
3
2
V
GS
= 4.2 V
1
0.01
0.001
0
0
4
8
12
16
20
漏源极电压
V
DS
(V)
漏源极电压
V
DS
(V)
典型的传输特性
V
DS
= 10 V
脉冲测试
静态漏极至源极通态电阻
与漏电流（典型值）
漏极至源极导通电阻
R
DS （ ON）
(Ω)
10
5
I
D
(A)
4
TC =
25°C
25°C
75°C
3
漏电流
3
2
1
V
GS
= 10 V
TA = 25°C
脉冲测试
1
0.1
1
10
0
0
2
4
6
8
10
栅极至源极电压
V
GS
(V)
漏电流
I
D
(A)
静态漏极至源极通态电阻
R
DS （ ON）
(Ω)
静态漏极至源极通态电阻
- 温度曲线（典型）
10
V
GS
= 10 V
脉冲测试
8
I
D
= 2 A
1.5 A
1A
2
1000
体漏二极管的反向
恢复时间（典型）
反向恢复时间trr （ NS ）
6
100
4
0
25
的di / dt = 100 A /
μs
V
GS
= 0 ， TA = 25℃
10
0.1
1
10
0
25
50
75
100 125 150
外壳温度
TC （ ℃）
反向漏电流
I
DR
(A)
R07DS0250EJ0100 Rev.1.00
2010年1月27日
第3页6
RJL6032DPP-M0
典型的电容比。
漏源极电压
V
GS
= 0
TC = 25°C
F = 1 MHz的
初步
动态输入特性（典型）
V
DS
(V)
I
D
= 2 A
TA = 25°C
1000
西塞
电容C （PF ）
600
V
DS
400
V
DD
= 100 V
300 V
480 V
12
漏源极电压
8
科斯
10
CRSS
1
0
200
V
DD
= 480 V
300 V
100 V
0
4
8
12
16
4
0
0
20
50
100
150
200
250
300
漏源极电压
V
DS
(V)
栅极电荷
QG （ NC ）
反向漏电流 -
源极到漏极电压（典型值）
8
5
门源截止电压
与外壳温度（典型）
I
DR
(A)
门源截止电压
V
GS （ OFF ）
(V)
6
V
GS
= 0
TA = 25°C
脉冲测试
4
I
D
= 10毫安
3
1毫安
0.1毫安
1
V
DS
= 10 V
0
-25
0
25
50
75
100 125 150
反向漏电流
4
2
2
0
0
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
源极到漏极电压
V
SD
(V)
外壳温度
TC （ ℃）
R07DS0250EJ0100 Rev.1.00
2010年1月27日
第4 6
栅极至源极电压
100
V
GS
(V)
800
V
GS
16
RJL6032DPP-M0
归瞬态热阻抗与脉冲宽度
归瞬态热阻抗
γ
秒（ t）的
3
T
C
= 25°C
初步
1
D=1
0.5
0.3 0.2
0.1
θ
CH - C （ T） =
γ
S（ T）
θ
CH - C
θ
CH - C = 4.08 ° C / W ，TC = 25°C
P
DM
PW
T
D=
PW
T
.05
0.1
0
2
0.0
1SHOT脉冲
0.01
0.03
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
脉冲宽度PW （S ）
开关时间测试电路
输入电压监视器
D.U.T.
R
L
10
Ω
VIN
10 V
V
DD
= 300 V
VIN
VOUT
10%
10%
VOUT
MONITOR
波形
90%
10%
90%
TD （上）
tr
90%
TD （关闭）
tf
R07DS0250EJ0100 Rev.1.00
2010年1月27日
分页： 5 6
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