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初步

数据表

RJK60S5DPN

600V - 20A - MOS FET

高速电源开关

特点

超结MOSFET

低导通电阻

R

DS （ ON）

= 0.150

（典型值）。（在我

D

= 10 A，V

GS

= 10 V ，TA = 25C ）

高速开关

t

f

= 23纳秒（典型值）。（在我

D

= 10 A，V

GS

= 10 V ，R

L

= 30

,

RG = 10

,

TA = 25 ° C）

R07DS0952EJ0200

Rev.2.00

2013年1月23日

概要

瑞萨封装代码： PRSS0004AC -A

（包名称： TO- 220AB ）

D

G

1.门

2.漏

3.源

1

2

3

S

绝对最大额定值

（ TA = 25°C ）

项

漏源极电压

栅极至源极电压

漏电流

TC = 25°C

TC = 100℃

漏电流峰值

体漏二极管的反向漏电流

体漏二极管反向漏电流峰值

雪崩电流

雪崩能量

MOSFET的dv / dt坚固

散热通道

通道到外壳的热阻

通道温度

储存温度

注：1 。

2.

3.

4.

由总胆固醇最大限制。

STCH = 25C ，总胆固醇

150C

在TJ = 25C ， V值

DS

480 V

在Tc值= 25°C

符号

V

DSS

V

GSS

I

DNote1

I

DNote1

I

D（脉冲）注1

I

DR注1

I

DR （脉冲）注1

Note2

I

AP

E

ARNote2

dv / dt的

Note3

PCH

Note2

θch -C

总胆固醇

TSTG

评级

600

+30,

20

20

12.6

40

20

40

5

1.36

150

166.6

0.75

150

-55到+150

单位

V

V

A

A

A

A

A

A

mJ

V / ns的

W

° C / W

C

C

R07DS0952EJ0200 Rev.2.00

2013年1月23日

第1页7

RJK60S5DPN

初步

电气特性

（ TA = 25°C ）

项

漏源击穿电压

零栅极电压漏极电流

门源漏电流

门源截止电压

静态漏源导通状态

阻力

栅极电阻

输入电容

输出电容

反向传输电容

导通延迟时间

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

总栅极电荷

门源费

栅漏电荷

体漏二极管的正向电压

体漏二极管的反向恢复时间

体漏二极管反向恢复

当前

体漏二极管反向恢复

收费

注： 5.脉冲测试

符号

V

（ BR ） DSS

I

DSS

I

GSS

V

GS （ OFF ）

R

DS （ ON）

R

DS （上

Rg

西塞

科斯

CRSS

t

D（上）

t

r

t

D（关闭）

t

f

Qg

QGS

QGD

V

DF

t

rr

I

rr

Q

rr

民

600

—

—

3

—

—

—

—

—

—

—

—

—

—

—

—

—

—

—

—

—

典型值

—

—

—

—

0.150

0.375

2.5

1600

2160

8.2

23

25

49

23

27

10.5

8.5

0.96

400

25

5.6

最大

—

1

±0.1

5

0.178

—

—

—

—

—

—

—

—

—

—

—

—

1.60

—

—

—

单位

V

mA

A

V

pF

pF

pF

ns

ns

ns

ns

nC

nC

nC

V

ns

A

C

测试条件

I

D

= 10 mA时， V

GS

= 0

V

DS

= 600 V, V

GS

= 0

V

GS

= +30V,

20

V, V

DS

= 0

V

DS

= 10 V，I

D

= 1毫安

I

D

= 10 A，V

GS

= 10 V

Note5

TA = 150℃

Note5

I

D

= 10 A，V

GS

= 10 V

F = 1 MHz的

V

DS

= 25 V, V

GS

= 0

V

DS

= 25 V

V

GS

= 0

F = 100KHz的

I

D

= 10 A

V

GS

= 10 V

R

L

= 30

Note5

RG = 10

V

DD

= 480 V

V

GS

= 10 V

Note4

I

D

= 20 A

I

F

= 20 A，V

GS

= 0

Note5

I

F

= 20 A

V

GS

= 0

Note5

di

F

/ DT = 100 A / μs的

R07DS0952EJ0200 Rev.2.00

2013年1月23日

第2 7

RJK60S5DPN

初步

主要特点

散热通道

与

例

温度

250

100

最大

安全工作区

通道耗散P沟（W）的

10

I

D

(A)

200

μ

s

P

W

10

手术

in

此区域

受限制

R

DS （ ON）

1

=

10

150

0

μ

s

100

50

漏电流

0

0

25

50

75

100 125 150 175

0.1

1

TC =

25°C

1

镜头

10

100

1000

例

温度Tc

(°C)

漏极至源极

电压

V

DS

(V)

典型

输出特性

40

TA =

25°C

脉冲

TEST

典型

输出特性

30

TA =

125°C

脉冲

TEST

I

D

(A)

30

I

D

(A)

8V

10

V

15

V

7V

8V

10

V

15

V

7 V 6.5 V

25

20

6.5 V

20

漏电流

漏电流

6V

15

10

5

0

6V

10

5.5 V

V

GS

= 5 V

V

GS

= 5.5 V

0

0

2

4

6

8

10

0

2

4

6

8

10

漏极至源极

电压

V

DS

(V)

漏极至源极

电压

V

DS

(V)

一般传输

特征

V

DS

=

10

V

脉冲

TEST

静态漏极至源极通态电阻

与

漏电流（典型值）

漏极至源极导通电阻

R

DS （ ON）

(Ω)

1

100

漏电流

I

D

(A)

10

TA =

125°C

25°C

0.1

1

TA = 75℃

25°C

0.1

25°C

V

GS

=

10

V

脉冲

TEST

0.01

1

10

100

0.01

0

2

4

6

8

10

门源

电压V

GS

(V)

漏电流

I

D

(A)

R07DS0952EJ0200 Rev.2.00

2013年1月23日

第3页7

RJK60S5DPN

静态漏极至源极通态电阻

与温度的关系

（典型值）

0.5

初步

体漏二极管的反向

恢复

时间

（典型值）

反向恢复

时间

TRR （ NS ）

1000

静态漏极至源极通态电阻

R

DS （ ON）

(Ω)

V

GS

=

10

V

脉冲

TEST

0.4

0.3

I

D

=

20 A

100

0.2

5

A

0.1

10 A

的di / dt

=

100 A / μs的

V

GS

=

0,

TA =

25°C

10

1

10

100

0

25

0

25

50

75

100 125 150

例

温度

Tc

(°C)

反向漏电流

I

DR

(A)

典型

电容

与

漏极至源极

电压

100000

10000

V

GS

=

0

f =

100千赫

TA =

25°C

西塞

4

C

OSS

存储

能源

（典型值）

电容C （PF ）

3

100

10

科斯

E

OSS

(μJ)

1000

2

CRSS

1

0.1

0

50

100

150

200

250

300

1

0

0

50

100

150

200

250

300

漏极至源极

电压

V

DS

(V)

漏极至源极

电压

V

DS

(V)

动态

输入

特性（典型值）

V

DS

(V)

I

DR

(A)

V

GS

600

V

DS

400

V

DD

= 480 V

300

V

100

V

12

反向漏电流

与

源极到漏极

电压

（典型值）

V

GS

(V)

100

800

16

TA =

125°C

10

25°C

漏极至源极

电压

门源

电压

8

反向漏电流

1

V

GS

=

0

脉冲

TEST

0.1

0

0.4

0.8

1.2

1.6

200

V

DD

= 480 V

300

V

100

V

20

40

4

I

D

=

20 A

TA =

25°C

60

80

0

0

0

栅极电荷

Qg

（ NC ）

源极到漏极

电压

V

SD

(V)

R07DS0952EJ0200 Rev.2.00

2013年1月23日

第4 7

RJK60S5DPN

门源截止

电压

与

例

温度

（典型值）

漏源击穿

电压

V

（ BR ） DSS

(V)

6

800

初步

漏源击穿

电压

与

例

温度

（典型值）

门源截止

电压

V

GS （ OFF ）

(V)

5

I

D

=

10毫安

4

3

2

1

V

DS

=

10

V

0

25

0

25

1毫安

0.1毫安

700

600

500

I

D

=

10毫安

V

GS

=

0

400

25

0

25

50

75

100 125 150

50

75

100 125 150

例

温度

Tc

(°C)

例

温度

Tc

(°C)

最大

雪崩

能量 -

通道

温度

降额

重复性雪崩

能量E

AR

（兆焦耳）

1.6

V

DD

= 50 V

Rg

≥

100

Ω

1.2

0.8

0.4

0

25

50

75

100

125

150

通道

温度

总胆固醇

(°C)

R07DS0952EJ0200 Rev.2.00

2013年1月23日

第5页第7

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26000

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