添加收藏夹  设为首页  深圳服务热线：13751165337  13692101218
Pdf资料  |  热门库存  |  IC详细资料  |  网站地图
IC供应 PDF资料 非IC供应
51电子网联系电话：13751165337
首页
供应信息
求购信息
非IC专区
技术资料
电子资讯
招聘中心
会展信息 51旺铺 会员中心
位置：首页 > IC型号导航 > 首字符R型号页 > 首字符R的型号第60页 > RJK60S5DPK-M0
初步数据表
RJK60S5DPK-M0
硅N沟道MOS FET
高速电源开关
特点
低导通电阻
R
DS （ ON）
= 0.150
（典型值） 。 （在我
D
= 10 A，V
GS
= 10 V ，TA = 25C ）
低漏电流
高速开关
R07DS0245EJ0100
Rev.1.00
2011年1月19日
概要
瑞萨封装代码： PRSS0004ZH -A
（包名称： TO- 3PSG ）
D
G
1.门
2.漏（法兰）
3.源
1
2
3
S
绝对最大额定值
（ TA = 25°C ）
项
漏源极电压
栅极至源极电压
漏电流
漏电流峰值
体漏二极管的反向漏电流
体漏二极管反向漏电流峰值
雪崩电流
雪崩能量
散热通道
通道到外壳的热阻
通道温度
储存温度
注意事项： 1， PW
10
s,
占空比
1%
2.价值在Tc = 25℃
3. STCH = 25 ° C，总胆固醇
150C
符号
V
DSS
V
GSS
I
D
I
D（脉冲）注1
I
DR
I
DR （脉冲）注1
I
APNote3
E
ARNote3
PCH
Note2
θch -C
总胆固醇
TSTG
评级
600
+30,
20
20
40
20
40
5
1.36
125
1.0
150
-55到+150
单位
V
V
A
A
A
A
A
mJ
W
° C / W
C
C
R07DS0245EJ0100 Rev.1.00
2011年1月19日
第1页5
RJK60S5DPK-M0
初步
电气特性
（ TA = 25°C ）
项
漏源击穿电压
零栅极电压漏极电流
门源漏电流
门源截止电压
静态漏源导通状态
阻力
输入电容
输出电容
反向传输电容
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
总栅极电荷
门源费
栅漏电荷
体漏二极管的正向电压
注： 4.脉冲测试
符号
V
（ BR ） DSS
I
DSS
I
GSS
V
GS （ OFF ）
R
DS （ ON）
西塞
科斯
CRSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
Qg
QGS
QGD
V
DF
民
600
—
—
3
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
典型值
—
—
—
—
0.150
2100
2540
3.8
38
34
55
20
29
15
6
0.96
最大
—
10
±0.1
5
0.178
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
1.60
单位
V
A
A
V
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
V
测试条件
I
D
= 10 mA时， V
GS
= 0
V
DS
= 600 V, V
GS
= 0
V
GS
= +30V,
20
V, V
DS
= 0
V
DS
= 10 V，I
D
= 1毫安
I
D
= 10 A，V
GS
= 10 V
Note4
V
DS
= 25 V
V
GS
= 0
F = 100KHz的
I
D
= 10 A
V
GS
= 10 V
R
L
= 30
RG = 10
V
DD
= 480 V
V
GS
= 10 V
I
D
= 20 A
I
F
= 20 A，V
GS
= 0
Note4
R07DS0245EJ0100 Rev.1.00
2011年1月19日
页2的5
RJK60S5DPK-M0
初步
主要特点
典型的输出特性
TA = 25°C
脉冲测试
静态漏极至源极通态电阻
与漏电流（典型值）
漏极至源极导通电阻
R
DS （ ON）
(Ω)
1
V
GS
= 10 V
TA = 25°C
脉冲测试
40
8V
10V
12V
7V
20
I
D
(A)
30
15 V
漏电流
0.1
10
6V
V
GS
= 5 V
0
0.01
1
10
100
0
4
8
12
16
20
漏源极电压
V
DS
(V)
漏电流
I
D
(A)
静态漏极至源极通态电阻
R
DS （ ON）
(Ω)
静态漏极至源极通态电阻
- 温度曲线（典型）
0.5
V
GS
= 10 V
脉冲测试
100000
10000
典型的电容比。
漏源极电压
V
GS
= 0
F = 100千赫
TA = 25°C
西塞
1000
100
10
CRSS
1
0.1
科斯
I
D
= 15 A
0.3
0.2
10 A
0.1
5A
0
-25
电容C （PF ）
0.4
0
25
50
75
100 125 150
0
50
100
150
200
250
300
外壳温度
TC （ ℃）
漏源极电压
V
DS
(V)
动态输入特性（典型）
V
DS
(V)
I
DR
(A)
V
GS
反向漏电流 -
源极到漏极电压（典型值）
V
GS
(V)
20
V
GS
= 0 V
TA = 25°C
脉冲测试
15
800
I
D
= 20 A
TA = 25°C
16
600
V
DS
400
V
DD
= 480 V
300 V
100 V
12
漏源极电压
栅极至源极电压
8
反向漏电流
10
200
V
DD
= 480 V
300 V
100 V
20
40
60
80
4
5
0
0
0
0
0
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
栅极电荷
QG （ NC ）
源极到漏极电压
V
SD
(V)
R07DS0245EJ0100 Rev.1.00
2011年1月19日
第3 5
RJK60S5DPK-M0
门源截止电压
与外壳温度（典型）
V
GS
= 10 V
5
4
3
2
1
0
-25
1毫安
0.1毫安
I
D
= 10毫安
初步
漏源击穿电压
与外壳温度（典型）
漏源击穿电压
V
（ BR ） DSS
(V)
6
800
I
D
= 10 mA时， V
GS
= 0
700
门源截止电压
V
GS （ OFF ）
(V)
600
500
0
25
50
75
100 125 150
400
-25
0
25
50
75
100 125 150
外壳温度
TC （ ℃）
外壳温度
TC （ ℃）
R07DS0245EJ0100 Rev.1.00
2011年1月19日
第4 5
RJK60S5DPK-M0
初步
包装尺寸为
包名称
TO-3PSG
JEITA封装代码
瑞萨代码
PRSS0004ZH-A
以前的代码
TO-3PSG/TO-3PSGV
质量[典型值]
3.7g
单位：mm
5.00 ± 0.3
15.60 ± 0.2
13.60
φ3.2
± 0.2
4.80 ± 0.2
0.60 ± 0.2
3.8
14.90 ± 0.1
18.70 ± 0.2
1.0
3.50
20.0 ± 0.2
2.0
2.4
1.40
3-1.00 ± 0.2
5.45 ± 0.5
5.45 ± 0.5
0.60 ± 0.1
1.50 ± 0.2
2.825 ± 0.15
订购信息
订购型号
RJK60S5DPK-00-T0
QUANTITY
360个
中海集装箱
箱（管）
R07DS0245EJ0100 Rev.1.00
2011年1月19日
0.50typ
页5
初步
数据表
RJK60S5DPK-M0
600V - 20A - SJ MOS FET
高速电源开关
特点
超结MOSFET
低导通电阻
R
DS （ ON）
= 0.150
（典型值） 。 （在我
D
= 10 A，V
GS
= 10 V ，TA = 25C ）
高速开关
t
f
= 23纳秒（典型值） 。 （在我
D
= 10 A，V
GS
= 10 V ，R
L
= 30
,
RG = 10
,
TA = 25 ° C）
R07DS0245EJ0500
Rev.5.00
2013年1月23日
概要
瑞萨封装代码： PRSS0004ZH -A
（包名称： TO- 3PSG ）
D
4
G
1.门
2.漏
3.源
4.漏
S
1
2
3
绝对最大额定值
（ TA = 25°C ）
项
漏源极电压
栅极至源极电压
漏电流
TC = 25°C
TC = 100℃
漏电流峰值
体漏二极管的反向漏电流
体漏二极管反向漏电流峰值
雪崩电流
雪崩能量
MOSFET的dv / dt坚固
散热通道
通道到外壳的热阻
通道温度
储存温度
注：1 。
2.
3.
4.
由总胆固醇最大限制。
STCH = 25C ，总胆固醇
150C
在TJ = 25C ， V值
DS
480 V
在Tc值= 25°C
符号
V
DSS
V
GSS
I
D)Note1
I
D)Note1
I
D（脉冲）注1
I
DR注1
I
DR （脉冲）注1
I
APNote2
E
AR
dv / dt的
Note3
PCH
Note4
θch -C
总胆固醇
TSTG
Note2
评级
600
+30,
20
20
12.6
40
20
40
5
1.36
150
192.3
0.65
150
-55到+150
单位
V
V
A
A
A
A
A
A
mJ
V / ns的
W
° C / W
C
C
R07DS0245EJ0500 Rev.5.00
2013年1月23日
第1页7
RJK60S5DPK-M0
初步
电气特性
（ TA = 25°C ）
项
漏源击穿电压
零栅极电压漏极电流
门源漏电流
门源截止电压
静态漏源导通状态
阻力
栅极电阻
输入电容
输出电容
反向传输电容
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
总栅极电荷
门源费
栅漏电荷
体漏二极管的正向电压
体漏二极管的反向恢复时间
体漏二极管反向恢复
当前
体漏二极管反向恢复
收费
注： 5.脉冲测试
符号
V
（ BR ） DSS
I
DSS
I
GSS
V
GS （ OFF ）
R
DS （ ON）
R
DS （上
Rg
西塞
科斯
CRSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
Qg
QGS
QGD
V
DF
t
rr
I
rr
Q
rr
民
600
—
—
3
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
典型值
—
—
—
—
0.150
0.375
2.5
1600
2160
8.2
23
25
49
23
27
10.5
8.5
0.96
400
25
5.6
最大
—
1
±0.1
5
0.178
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
1.60
—
—
—
单位
V
mA
A
V
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
V
ns
A
C
测试条件
I
D
= 10 mA时， V
GS
= 0
V
DS
= 600 V, V
GS
= 0
V
GS
= +30V,
20
V, V
DS
= 0
V
DS
= 10 V，I
D
= 1毫安
I
D
= 10 A，V
GS
= 10 V
Note5
TA = 150℃
Note5
I
D
= 10 A，V
GS
= 10 V
F = 1 MHz的
V
DS
= 25 V, V
GS
= 0
V
DS
= 25 V
V
GS
= 0
F = 100KHz的
I
D
= 10 A
V
GS
= 10 V
R
L
= 30
Note5
RG = 10
V
DD
= 480 V
V
GS
= 10 V
Note5
I
D
= 20 A
I
F
= 20 A，V
GS
= 0
Note5
I
F
= 20 A
V
GS
= 0
Note5
di
F
/ DT = 100 A / μs的
R07DS0245EJ0500 Rev.5.00
2013年1月23日
第2 7
RJK60S5DPK-M0
初步
主要特点
频道耗散主场迎战
外壳温度
250
100
最高安全工作区
通道耗散P沟（W）的
10
I
D
(A)
200
μ
s
PW
10
在这一领域
由R有限公司
DS （ ON）
1
=
10
150
0
μ
s
100
50
漏电流
0
0
25
50
75
100 125 150 175
0.1
1
TC = 25°C
1次射门
10
100
1000
壳温度（ ° C）
漏源极电压
V
DS
(V)
典型的输出特性
40
TA = 25°C
脉冲测试
典型的输出特性
30
TA = 125°C
脉冲测试
I
D
(A)
30
I
D
(A)
8V
10 V
15 V
7V
8V
10 V
15 V
7 V 6.5 V
25
20
6.5 V
20
漏电流
漏电流
6V
15
10
5
0
6V
10
5.5 V
V
GS
= 5 V
V
GS
= 5.5 V
0
0
2
4
6
8
10
0
2
4
6
8
10
漏源极电压
V
DS
(V)
漏源极电压
V
DS
(V)
典型的传输特性
V
DS
= 10 V
脉冲测试
静态漏极至源极通态电阻
与漏电流（典型值）
漏极至源极导通电阻
R
DS （ ON）
(Ω)
1
100
漏电流I
D
(A)
10
TA = 125°C
25°C
0.1
1
TA = 75℃
25°C
0.1
25°C
V
GS
= 10 V
脉冲测试
0.01
1
10
100
0.01
0
2
4
6
8
10
栅极至源极电压V
GS
(V)
漏电流
I
D
(A)
R07DS0245EJ0500 Rev.5.00
2013年1月23日
第3页7
RJK60S5DPK-M0
静态漏极至源极通态电阻
- 温度曲线（典型）
0.5
初步
体漏二极管的反向
恢复时间（典型）
反向恢复时间trr （ NS ）
1000
静态漏极至源极通态电阻
R
DS （ ON）
(Ω)
V
GS
= 10 V
脉冲测试
0.4
0.3
I
D
= 20 A
100
0.2
5A
0.1
10 A
的di / dt = 100 A / μs的
V
GS
= 0 ， TA = 25℃
10
1
10
100
0
25
0
25
50
75
100 125 150
外壳温度
TC （ ℃）
反向漏电流I
DR
(A)
典型的电容比。
漏源极电压
100000
10000
V
GS
= 0
F = 100千赫
TA = 25°C
西塞
4
C
OSS
储存的能量（典型值）
电容C （PF ）
3
100
10
科斯
E
OSS
(μJ)
1000
2
CRSS
1
0.1
0
50
100
150
200
250
300
1
0
0
50
100
150
200
250
300
漏源极电压
V
DS
(V)
漏源极电压
V
DS
(V)
动态输入特性（典型）
V
DS
(V)
I
DR
(A)
V
GS
600
V
DS
400
V
DD
= 480 V
300 V
100 V
12
反向漏电流 -
源极到漏极电压（典型值）
V
GS
(V)
100
800
16
TA = 125°C
10
25°C
漏源极电压
栅极至源极电压
8
反向漏电流
1
V
GS
= 0
脉冲测试
0.1
0
0.4
0.8
1.2
1.6
200
V
DD
= 480 V
300 V
100 V
20
40
4
I
D
= 20 A
TA = 25°C
60
80
0
0
0
栅极电荷
QG （ NC ）
源极到漏极电压
V
SD
(V)
R07DS0245EJ0500 Rev.5.00
2013年1月23日
第4 7
RJK60S5DPK-M0
门源截止电压
与外壳温度（典型）
漏源击穿电压
V
（ BR ） DSS
(V)
6
800
初步
漏源击穿电压
与外壳温度（典型）
门源截止电压
V
GS （ OFF ）
(V)
5
I
D
= 10毫安
4
3
2
1
V
DS
= 10 V
0
25
0
25
1毫安
0.1毫安
700
600
500
I
D
= 10毫安
V
GS
= 0
400
25
0
25
50
75
100 125 150
50
75
100 125 150
外壳温度
TC （ ℃）
外壳温度
TC （ ℃）
最大雪崩能量 -
通道温度降额
重复性雪崩能量ê
AR
（兆焦耳）
1.6
V
DD
= 50 V
Rg
≥
100
Ω
1.2
0.8
0.4
0
25
50
75
100
125
150
通道温度
TCH （ ° C）
R07DS0245EJ0500 Rev.5.00
2013年1月23日
第5页第7
查看更多RJK60S5DPK-M0PDF信息
推荐型号
R65C112P4E
RH5RH301A-T1
RE5RE20AA-RF
R431X
RH5RI352B
RCP-016
REC3-4815SRW
RT1N436U
RFPIC12C509AG
RX424048
REN-600
RXM4LB2ED
R1160D101B
RJC26W101K
RN5VD33CC-TL
R1210N451C
R-541.2DA
RE-3.31.8SP
RE5RL54AA-TZ
REL185-1007
供货商
型号
厂家
批号
数量
封装
单价/备注
操作
    深圳市壹芯创科技有限公司
    QQ： 点击这里给我发消息 QQ：2880707522 复制 点击这里给我发消息 QQ：2369405325 复制

    电话：0755-82780082
    联系人：杨小姐
    地址：深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    RJK60S5DPK-M0
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

更多配单专家
北京首天伟业科技有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：1584878981 复制 点击这里给我发消息 QQ：2881290686 复制

电话：010-62962871、62104931、 62106431、62104891、62104791
联系人：刘经理
地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008
RJK60S5DPK-M0
RENESAS/瑞萨
21+
13000
TO-3P
全新原装正品/质量有保证
查询更多RJK60S5DPK-M0供应信息
深圳市碧威特网络技术有限公司
 复制成功！