【初步数据表RJK60S5DPE600V - 20A - SJ MOS FET高速电源开关特点超结MO】,IC型号RJK60S5DPE,RJK60S5DPE PDF资料,RJK60S5DPE经销商,ic,电子元器件-51电子网

初步

数据表

RJK60S5DPE

600V - 20A - SJ MOS FET

高速电源开关

特点

超结MOSFET

低导通电阻

R

DS （ ON）

= 0.150

Ω

（典型值）。（在我

D

= 10 A，V

GS

= 10 V ，TA = 25C ）

高速开关

t

f

= 23纳秒（典型值）。（在我

D

= 10 A，V

GS

= 10 V ，R

L

= 30

Ω,

RG = 10

Ω,

TA = 25 ° C）

R07DS0639EJ0100

Rev.1.00

2012年4月23日

概要

瑞萨封装代码： PRSS0004AE -B

（包名称： LDPAK （ S） - （ 1 ））

4

1.门

2.漏

3.源

4.漏

D

G

1

2

3

S

绝对最大额定值

（ TA = 25°C ）

项

漏源极电压

栅极至源极电压

漏电流

TC = 25°C

TC = 100℃

漏电流峰值

体漏二极管的反向漏电流

体漏二极管反向漏电流峰值

雪崩电流

雪崩能量

散热通道

通道到外壳的热阻

通道温度

储存温度

注：1。总胆固醇最大限制。

2.价值在Tc = 25℃

3. STCH = 25 ° C，总胆固醇

≤

150°C

符号

V

DSS

V

GSS

I

D)Note1

I

D)Note1

I

D（脉冲）注1

I

DR注1

I

DR （脉冲）注1

I

APNote3

E

ARNote3

PCH

θch -C

总胆固醇

TSTG

Note2

评级

600

+30,

20

12.6

40

20

40

5

1.36

125

1.0

150

-55到+150

单位

V

A

mJ

W

° C / W

°C

R07DS0639EJ0100 Rev.1.00

2012年4月23日

第1页6

RJK60S5DPE

初步

电气特性

（ TA = 25°C ）

项

漏源击穿电压

零栅极电压漏极电流

门源漏电流

门源截止电压

静态漏源导通状态

阻力

栅极电阻

输入电容

输出电容

反向传输电容

导通延迟时间

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

总栅极电荷

门源费

栅漏电荷

体漏二极管的正向电压

体漏二极管的反向恢复时间

体漏二极管反向恢复

当前

体漏二极管反向恢复

收费

注： 4.脉冲测试

符号

V

（ BR ） DSS

I

DSS

I

GSS

V

GS （ OFF ）

R

DS （ ON）

R

DS （上

Rg

西塞

科斯

CRSS

t

D（上）

t

r

t

D（关闭）

t

f

Qg

QGS

QGD

V

DF

t

rr

I

rr

Q

rr

民

600

—

3

—

典型值

—

0.150

0.375

2.5

1600

2160

8.2

23

25

49

23

27

10.5

8.5

0.96

400

25

5.6

最大

—

1

±0.1

5

0.178

—

1.60

—

单位

V

mA

μA

V

Ω

pF

ns

nC

V

ns

A

μC

测试条件

I

D

= 10 mA时， V

GS

= 0

V

DS

= 600 V, V

GS

= 0

V

GS

= +30V,

20

V, V

DS

= 0

V

DS

= 10 V，I

D

= 1毫安

I

D

= 10 A，V

GS

= 10 V

Note4

TA = 150℃

Note4

I

D

= 10 A，V

GS

= 10 V

F = 1 MHz的

V

DS

= 25 V, V

GS

= 0

V

DS

= 25 V

V

GS

= 0

F = 100KHz的

I

D

= 10 A

V

GS

= 10 V

R

L

= 30

Ω

Note4

RG = 10

Ω

V

DD

= 480 V

V

GS

= 10 V

Note4

I

D

= 20 A

I

F

= 20 A，V

GS

= 0

Note4

I

F

= 20 A

V

GS

= 0

Note4

di

F

/ DT = 100 A / μs的

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第2 6

RJK60S5DPE

初步

主要特点

频道耗散主场迎战

外壳温度

150

40

TA = 25°C

脉冲测试

典型的输出特性

8V

10 V

15 V

通道耗散P沟（W）的

7V

I

D

(A)

30

100

6.5 V

20

漏电流

50

6V

10

V

GS

= 5.5 V

0

25

50

75

100 125 150 175

0

2

4

6

8

10

壳温度（ ° C）

漏源极电压

V

DS

(V)

典型的输出特性

30

25

20

TA = 125°C

脉冲测试

典型的传输特性

100

V

DS

= 10 V

脉冲测试

8V

10 V

15 V

7 V 6.5 V

I

D

(A)

漏电流I

D

(A)

10

漏电流

6V

15

10

5

0

1

TA = 75℃

25°C

5.5 V

V

GS

= 5 V

0.1

25°C

0.01

0

2

4

6

8

10

0

2

4

6

8

10

漏源极电压

V

DS

(V)

栅极至源极电压V

GS

(V)

漏极至源极导通电阻

R

DS （ ON）

(Ω)

1

静态漏极至源极通态电阻

R

DS （ ON）

(Ω)

静态漏极至源极通态电阻

与漏电流（典型值）

静态漏极至源极通态电阻

- 温度曲线（典型）

0.5

V

GS

= 10 V

脉冲测试

0.4

TA = 125°C

25°C

0.1

0.3

I

D

= 20 A

0.2

5A

0.1

10 A

V

GS

= 10 V

脉冲测试

0.01

1

10

100

0

25

0

25

50

75

100 125 150

漏电流

I

D

(A)

外壳温度

TC （ ℃）

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第3页6

RJK60S5DPE

体漏二极管的反向

恢复时间（典型）

反向恢复时间trr （ NS ）

1000

100000

10000

初步

典型的电容比。

漏源极电压

V

GS

= 0

F = 100千赫

TA = 25°C

西塞

1000

100

10

CRSS

1

0.1

科斯

100

的di / dt = 100 A / μs的

V

GS

= 0 ， TA = 25℃

10

1

10

100

电容C （PF ）

0

50

100

150

200

250

300

反向漏电流I

DR

(A)

漏源极电压

V

DS

(V)

C

OSS

储存的能量（典型值）

V

DS

(V)

4

动态输入特性（典型）

V

GS

600

V

DS

400

V

DD

= 480 V

300 V

100 V

12

3

漏源极电压

2

8

1

200

V

DD

= 480 V

300 V

100 V

20

40

4

I

D

= 20 A

TA = 25°C

60

80

0

50

100

150

200

250

300

0

漏源极电压

V

DS

(V)

栅极电荷

QG （ NC ）

反向漏电流 -

源极到漏极电压（典型值）

100

6

门源截止电压

与外壳温度（典型）

I

DR

(A)

门源截止电压

V

GS （ OFF ）

(V)

5

I

D

= 10毫安

4

3

2

1

V

DS

= 10 V

0

25

0

25

1毫安

0.1毫安

TA = 125°C

10

25°C

反向漏电流

1

V

GS

= 0

脉冲测试

0.1

0

0.4

0.8

1.2

1.6

50

75

100 125 150

源极到漏极电压

V

SD

(V)

外壳温度

TC （ ℃）

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第4 6

栅极至源极电压

E

OSS

(μJ)

V

GS

(V)

800

16

RJK60S5DPE

漏源击穿电压

与外壳温度（典型）

初步

最大雪崩能量 -

通道温度降额

漏源击穿电压

V

（ BR ） DSS

(V)

800

重复性雪崩能量ê

AR

（兆焦耳）

1.6

V

DD

= 50 V

Rg

≥

100

Ω

1.2

700

600

0.8

500

I

D

= 10毫安

V

GS

= 0

400

25

0

25

50

75

100 125 150

0.4

0

25

50

75

100

125

150

外壳温度

TC （ ℃）

通道温度

TCH （ ° C）

开关时间测试电路

输入电压监视器

D.U.T.

R

L

10

Ω

VIN

10 V

V

DD

= 300 V

VIN

VOUT

10%

VOUT

MONITOR

波形

90%

10%

90%

TD （上）

tr

90%

TD （关闭）

tf

雪崩测试电路

雪崩波形

1

2

L

I

AP2

V

DSS

V

DSS

– V

DD

V

（ BR ） DSS

I

AP

V

DD

V

DS

V

DS

MONITOR

L

I

AP

MONITOR

E

AR

=

Rg

100

Ω

VIN

D. U.牛逼

I

D

0

V

DD

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