【初步数据表RJK60S4DPE600V - 16A - SJ MOS FET高速电源开关特点超结MO】,IC型号RJK60S4DPE,RJK60S4DPE PDF资料,RJK60S4DPE经销商,ic,电子元器件-51电子网

初步

数据表

RJK60S4DPE

600V - 16A - SJ MOS FET

高速电源开关

特点

超结MOSFET

低导通电阻

R

DS （ ON）

= 0.23

Ω

（典型值）。（在我

D

= 8 A，V

GS

= 10 V ，TA = 25C ）

高速开关

t

f

= 21纳秒（典型值）。（在我

D

= 8 A，V

GS

= 10 V ，R

L

= 37.5

Ω,

RG = 10

Ω,

TA = 25 ° C）

R07DS0733EJ0100

Rev.1.00

2012年4月23日

概要

瑞萨封装代码： PRSS0004AE -B

（包名称： LDPAK （ S） - （ 1 ））

4

1.门

2.漏

3.源

4.漏

D

G

1

2

3

S

绝对最大额定值

（ TA = 25°C ）

项

漏源极电压

栅极至源极电压

漏电流

TC = 25°C

TC = 100℃

漏电流峰值

体漏二极管的反向漏电流

体漏二极管反向漏电流峰值

散热通道

通道到外壳的热阻

通道温度

储存温度

注：1。总胆固醇最大限制。

2.价值在Tc = 25℃

符号

V

DSS

V

GSS

I

注1

I

注1

I

D（脉冲）注1

I

DR注1

I

DR （脉冲）注1

PCH

Note2

θch -C

总胆固醇

TSTG

评级

600

+30,

20

16

10.1

32

16

32

104.1

1.2

150

-55到+150

单位

V

A

W

° C / W

°C

R07DS0733EJ0100 Rev.1.00

2012年4月23日

第1页6

RJK60S4DPE

初步

电气特性

（ TA = 25°C ）

项

漏源击穿电压

零栅极电压漏极电流

门源漏电流

门源截止电压

静态漏极至源极通态电阻

符号

V

（ BR ） DSS

I

DSS

I

GSS

V

GS （ OFF ）

R

DS （ ON）

R

DS （ ON）

Rg

西塞

科斯

CRSS

t

D（上）

t

r

t

D（关闭）

t

f

Qg

QGS

QGD

V

DF

t

rr

I

rr

Q

rr

民

600

—

3

—

典型值

—

0.23

0.57

2.5

1020

1440

5.5

26

22

44

21

17.5

6

1.0

380

23

4.9

最大

—

1

±0.1

5

0.29

—

1.6

—

单位

V

mA

μA

V

Ω

pF

ns

nC

V

ns

A

μC

测试条件

I

D

= 10 mA时， V

GS

= 0

V

DS

= 600 V, V

GS

= 0

V

GS

= +30V,

20

V, V

DS

= 0

V

DS

= 10 V，I

D

= 1毫安

I

D

= 8 A，V

GS

= 10 V

Note3

TA = 150℃

Note3

I

D

= 8 A，V

GS

= 10 V

F = 1 MHz的

V

DS

= 25 V, V

GS

= 0

V

DS

= 25 V

V

GS

= 0

F = 100KHz的

I

D

= 8 A

V

GS

= 10 V

R

L

= 37.5

Ω

Note3

RG = 10

Ω

V

DD

= 480 V

V

GS

= 10 V

Note3

I

D

= 16 A

I

F

= 16 A，V

GS

= 0

Note3

I

F

= 16 A

V

GS

= 0

Note3

di

F

/ DT = 100 A / μs的

栅极电阻

输入电容

输出电容

反向传输电容

导通延迟时间

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

总栅极电荷

门源费

栅漏电荷

体漏二极管的正向电压

体漏二极管的反向恢复时间

体漏二极管的反向恢复电流

体漏二极管的反向恢复电荷

注： 3.脉冲测试

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第2 6

RJK60S4DPE

初步

主要特点

频道耗散主场迎战

外壳温度

120

30

25

20

15

TA = 25°C

脉冲测试

典型的输出特性

通道耗散P沟（W）的

80

60

40

20

0

25

50

75

100 125 150 175

I

D

(A)

100

10 V

15 V

8V

7V

漏电流

6.5 V

10

6V

5

0

V

GS

= 5.5 V

0

2

4

6

8

10

壳温度（ ° C）

漏源极电压

V

DS

(V)

典型的输出特性

20

TA = 125°C

脉冲测试

100

典型的传输特性

V

DS

= 10 V

脉冲测试

I

D

(A)

漏电流I

D

(A)

16

6.5 V

8V 7V

10 V

15 V

6V

10

12

漏电流

1

TC = 75℃

25°C

8

5.5 V

4

0.1

25°C

V

GS

= 5 V

0.01

0

2

4

6

8

10

0

2

4

6

8

10

0

漏源极电压

V

DS

(V)

栅极至源极电压V

GS

(V)

静态漏极至源极通态电阻

R

DS （ ON）

(Ω)

静态漏极至源极通态电阻

与漏电流（典型值）

漏极至源极导通电阻

R

DS （ ON）

(Ω)

10

V

GS

= 10 V

脉冲测试

静态漏极至源极通态电阻

- 温度曲线（典型）

1.0

V

GS

= 10 V

脉冲测试

0.8

I

D

= 16 A

TA = 125°C

1

25°C

0.6

0.4

8A

4A

0.2

0.1

1

10

100

0

25

0

25

50

75

100 125 150

漏电流

I

D

(A)

外壳温度

TC （ ℃）

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第3页6

RJK60S4DPE

体漏二极管的反向

恢复时间（典型）

反向恢复时间trr （ NS ）

1

100000

10000

初步

典型的电容比。

漏源极电压

V

GS

= 0

F = 100千赫

TA = 25°C

电容C （PF ）

1000

100

10

西塞

0.1

科斯

CRSS

1

0.1

的di / dt = 100 A / μs的

V

GS

= 0 ， TA = 25℃

0.01

1

10

100

0

50

100

150

200

250

300

反向漏电流I

DR

(A)

漏源极电压

V

DS

(V)

C

OSS

储存的能量（典型值）

V

DS

(V)

3.0

2.5

2.0

1.5

1.0

0.5

0

50

100

150

200

250

300

动态输入特性（典型）

V

GS

600

V

DS

400

V

DD

= 480 V

300 V

100 V

12

漏源极电压

8

200

V

DD

= 480 V

300 V

100 V

8

16

4

I

D

= 10 A

TA = 25°C

24

32

0

漏源极电压

V

DS

(V)

栅极电荷

QG （ NC ）

反向漏电流 -

源极到漏极电压（典型值）

100

6

门源截止电压

与外壳温度（典型）

I

DR

(A)

门源截止电压

V

GS （ OFF ）

(V)

5

4

3

2

1

V

DS

= 10 V

0

25

0

25

I

D

= 10毫安

反向漏电流

10

TA = 125°C

1毫安

0.1毫安

1

25°C

V

GS

= 0

脉冲测试

0.1

0

0.4

0.8

1.2

1.6

50

75

100 125 150

源极到漏极电压

V

SD

(V)

外壳温度

TC （ ℃）

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第4 6

栅极至源极电压

E

OSS

(μJ)

V

GS

(V)

800

16

RJK60S4DPE

漏源击穿电压

与外壳温度（典型）

初步

漏源击穿电压

V

（ BR ） DSS

(V)

800

700

600

500

I

D

= 10毫安

V

GS

= 0

400

25

0

25

50

75

100 125 150

外壳温度

TC （ ℃）

归瞬态热阻抗与脉冲宽度

归瞬态热阻抗

γ

秒（ t）的

10

1

D=1

0.5

0.2

0.1

05

0.1

0.

2

0.0

θ

CH - C （ T） =

γ

S（ T）

θ

CH - C

θ

CH - C = 1.2 ° C / W

P

DM

PW

T

1m

10 m

100 m

1

10

100

D=

PW

T

0.01

1次脉冲

0.01

10

μ

100

μ

脉冲宽度

PW （S ）

开关时间测试电路

输入电压监视器

D.U.T.

R

L

10

Ω

VIN

10 V

V

DD

= 300 V

VIN

VOUT

10%

VOUT

MONITOR

波形

90%

10%

90%

TD （上）

tr

90%

TD （关闭）

tf

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