【初步数据表RJK60S3DPE600V - 12A - SJ MOS FET高速电源开关特点超结MO】,IC型号RJK60S3DPE,RJK60S3DPE PDF资料,RJK60S3DPE经销商,ic,电子元器件-51电子网

初步

数据表

RJK60S3DPE

600V - 12A - SJ MOS FET

高速电源开关

特点

超结MOSFET

低导通电阻

R

DS （ ON）

= 0.35

（典型值）。（在我

D

= 6 A，V

GS

= 10 V ，TA = 25C ）

高速开关

t

f

= 21纳秒（典型值）。（在我

D

= 6 A，V

GS

= 10 V ，R

L

= 50

,

RG = 10

,

TA = 25 ° C）

R07DS0732EJ0200

Rev.2.00

2012年10月12日

概要

瑞萨封装代码： PRSS0004AE -B

（包名称： LDPAK （ S） - （ 1 ））

4

1.门

2.漏

3.源

4.漏

D

G

1

2

3

S

绝对最大额定值

（ TA = 25°C ）

项

漏源极电压

栅极至源极电压

漏电流

TC = 25°C

TC = 100℃

漏电流峰值

体漏二极管的反向漏电流

体漏二极管反向漏电流峰值

雪崩电流

雪崩能量

散热通道

通道到外壳的热阻

通道温度

储存温度

注：1 。

2.

3.

4.

由总胆固醇最大限制。

最大占空比D = 0.75 。

STCH = 25C ，总胆固醇

150C

在Tc值= 25°C

符号

V

DSS

V

GSS

I

注1,2

I

注1,2

I

D（脉冲）注1

I

DR注1

I

DR （脉冲）注1

I

APNote3

E

ARNote3

PCH

θch -C

总胆固醇

TSTG

Note4

评级

600

+30,

20

12.0

7.6

24

12

24

3

0.49

83.3

1.5

150

-55到+150

单位

V

A

mJ

W

° C / W

C

R07DS0732EJ0200 Rev.2.00

2012年10月12日

第1页7

RJK60S3DPE

初步

电气特性

（ TA = 25°C ）

项

漏源击穿电压

零栅极电压漏极电流

门源漏电流

门源截止电压

静态漏源导通状态

阻力

栅极电阻

输入电容

输出电容

反向传输电容

导通延迟时间

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

总栅极电荷

门源费

栅漏电荷

体漏二极管的正向电压

体漏二极管的反向恢复时间

体漏二极管反向恢复

当前

体漏二极管反向恢复

收费

注： 5.脉冲测试

符号

V

（ BR ） DSS

I

DSS

I

GSS

V

GS （ OFF ）

R

DS （ ON）

R

DS （ ON）

Rg

西塞

科斯

CRSS

t

D（上）

t

r

t

D（关闭）

t

f

Qg

QGS

QGD

V

DF

t

rr

I

rr

Q

rr

民

600

—

3

—

典型值

—

0.35

0.87

2.5

720

980

3.7

13

18

25

18

13.6

4.8

3.9

1.0

320

20

3.7

最大

—

1

±0.1

5

0.44

—

1.6

—

单位

V

mA

A

V

pF

ns

nC

V

ns

A

C

测试条件

I

D

= 10 mA时， V

GS

= 0

V

DS

= 600 V, V

GS

= 0

V

GS

= +30V,

20

V, V

DS

= 0

V

DS

= 10 V，I

D

= 1毫安

I

D

= 6 A，V

GS

= 10 V

Note5

TA = 150℃

Note5

I

D

= 6 A，V

GS

= 10 V

F = 1 MHz的

V

DS

= 25 V, V

GS

= 0

V

DS

= 25 V

V

GS

= 0

F = 100千赫

I

D

= 6 A

V

GS

= 10 V

R

L

= 50

Note5

RG = 10

V

DD

= 480 V

V

GS

= 10 V

Note5

I

D

= 12 A

I

F

= 12 A，V

GS

= 0

Note5

I

F

= 12 A

V

GS

= 0

Note5

di

F

/ DT = 100 A / μs的

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2012年10月12日

第2 7

RJK60S3DPE

初步

主要特点

频道耗散主场迎战

外壳温度

40

100

最高安全工作区

通道耗散P沟（W）的

I

D

(A)

30

10

PW

μ

s

=

漏电流

20

10

0

μ

s

1

在这一领域

由R有限公司

DS （ ON）

10

0

25

50

75

100 125 150 175

0.1

1

TC = 25°C

1次射门

10

100

1000

壳温度（ ° C）

漏源极电压

V

DS

(V)

典型的输出特性

20

TA = 25°C

脉冲测试

12

典型的输出特性

TA = 125°C

脉冲测试

8V

I

D

(A)

I

D

(A)

16

10

8

6

4

2

0

10 V

15 V

7V

8V

10 V

15 V

7V

6.5 V

12

6V

漏电流

8

漏电流

6.5 V

6V

4

5.5 V

V

GS

= 5 V

V

GS

= 5.5 V

0

2

4

6

8

10

0

2

4

6

8

10

漏源极电压

V

DS

(V)

漏源极电压

V

DS

(V)

典型的传输特性

漏极至源极导通电阻

R

DS （ ON）

(Ω)

100

V

DS

= 10 V

脉冲测试

静态漏极至源极通态电阻

与漏电流（典型值）

10

V

GS

= 10 V

脉冲测试

漏电流I

D

(A)

10

TA = 125°C

1

25°C

1

TC = 75℃

25°C

0.1

25°C

0.01

0

2

4

6

8

10

0.1

1

10

100

栅极至源极电压V

GS

(V)

漏电流

I

D

(A)

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第3页7

RJK60S3DPE

静态漏极至源极通态电阻

- 温度曲线（典型）

1.6

初步

体漏二极管的反向

恢复时间（典型）

静态漏极至源极通态电阻

R

DS （ ON）

(Ω)

1.2

I

D

= 12 A

0.8

反向恢复时间trr （ NS ）

V

GS

= 10 V

脉冲测试

1000

100

0.4

6A

3A

的di / dt = 100 A / μs的

V

GS

= 0 ， TA = 25℃

10

1

10

100

0

25

0

25

50

75

100 125 150

外壳温度

TC （ ℃）

反向漏电流I

DR

(A)

典型的电容比。

漏源极电压

10000

TA = 25°C

西塞

2.0

C

OSS

储存的能量（典型值）

电容C （PF ）

1000

1.6

E

OSS

(μJ)

100

科斯

10

CRSS

V

GS

= 0中，f = 100千赫

0

50

100

150

200

250

300

1.2

0.8

1

0.4

0.1

0

50

100

150

200

250

300

漏源极电压

V

DS

(V)

漏源极电压

V

DS

(V)

动态输入特性（典型）

反向漏电流 -

源极到漏极电压（典型值）

V

DS

(V)

600

V

DS

400

漏源极电压

栅极至源极电压

反向漏电流

V

DD

= 480 V

300 V

100 V

12

I

DR

(A)

10

V

GS

V

GS

(V)

800

I

D

= 12 A

TA = 25°C

16

100

TA = 125°C

25°C

8

1

V

GS

= 0

脉冲测试

0.1

0

0.4

0.8

1.2

1.6

200

V

DD

= 480 V

300 V

100 V

4

8

12

16

20

4

0

栅极电荷

QG （ NC ）

源极到漏极电压

V

SD

(V)

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2012年10月12日

第4 7

RJK60S3DPE

门源截止电压

与外壳温度（典型）

漏源击穿电压

V

（ BR ） DSS

(V)

门源截止电压

V

GS （ OFF ）

(V)

6

5

4

3

2

1

V

DS

= 10 V

0

25

0

25

1毫安

0.1毫安

800

初步

漏源击穿电压

与外壳温度（典型）

I

D

= 10毫安

700

600

500

I

D

= 10毫安

V

GS

= 0

400

25

0

25

50

75

100 125 150

50

75

100 125 150

外壳温度

TC （ ℃）

外壳温度

TC （ ℃）

归瞬态热阻抗与脉冲宽度

归瞬态热阻抗

γ

秒（ t）的

10

1

D=1

0.5

0.2

0.1

5

0.1

0.0

0.02

θ

CH - C （ T） =

γ

S（ T）

θ

CH - C

θ

CH - C = 1.5 ° C / W

P

DM

PW

T

1m

10 m

100 m

1

10

100

D=

PW

T

0.01

1次脉冲

0.01

10

μ

100

μ

脉冲宽度

PW （S ）

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2012年10月12日

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