【初步数据表RJK60S2DPP-E0600V - 8A - SJ MOS FET高速电源开关特点超结】,IC型号RJK60S2DPP-E0,RJK60S2DPP-E0 PDF资料,RJK60S2DPP-E0经销商,ic,电子元器件-51电子网

初步数据表

RJK60S2DPP-E0

600V - 8A - SJ MOS FET

高速电源开关

特点

超结MOSFET

低导通电阻

DS （ ON）

= 0.53

（典型值）。（在我

= 4 A，V

= 10 V ，TA = 25C ）

R07DS0742EJ0001

Rev.0.01

2012年4月23日

概要

瑞萨封装代码： PRSS0003AG -A

（包名称： TO- 220FP ）

1.门

2.漏

3.源

2 3

绝对最大额定值

（ TA = 25°C ）

项

漏源极电压

栅极至源极电压

漏电流

体漏二极管的反向漏电流

散热通道

通道到外壳的热阻

通道温度

储存温度

注：1。总胆固醇最大限制。

2.价值在Tc = 25℃

符号

DSS

GSS

Note1,2

Note1

PCH

Note2

θch -C

总胆固醇

TSTG

评级

600

+30,

26.3

4.75

150

-55到+150

单位

° C / W

°C

R07DS0742EJ0001Rev.0.01

2012年4月23日

第1页3

RJK60S2DPP-E0

初步

电气特性

（ TA = 25°C ）

项

漏源击穿电压

零栅极电压漏极电流

门源漏电流

门源截止电压

静态漏源导通状态

阻力

输入电容

输出电容

反向传输电容

注： 3.脉冲测试

符号

（ BR ） DSS

DSS

GSS

GS （ OFF ）

DS （ ON）

西塞

科斯

CRSS

民

600

—

典型值

—

0.53

500

720

2.8

最大

—

±0.1

0.67

—

单位

μA

测试条件

= 10 mA时， V

= 0

= 600 V, V

= 0

= +30V,

V, V

= 0

= 10 V，I

= 1毫安

= 4 A，V

= 10 V

Note3

= 25 V

= 0

F = 100千赫

R07DS0742EJ0001Rev.0.01

2012年4月23日

分页： 1 2 3

RJK60S2DPP-E0

初步

包装尺寸为

包名称

TO-220FP

JEITA封装代码

瑞萨代码

PRSS0003AG-A

以前的代码

质量[典型值]

1.9g

单位：mm

10.16

0.20

3.18

0.10

2.54

0.20

15.87

0.20

1.28

0.30

3.18

0.20

12.98

0.30

马克斯1.47

6.68

0.20

3.3

0.2

2.76

0.20

0.80

0.20

0.50

5.08

0.20

订购信息

订购型号

RJK60S2DPP-E0#T2

QUANTITY

1000件

中海集装箱

箱（管）

R07DS0742EJ0001Rev.0.01

2012年4月23日

4.7

0.2

第3页3

通告

本文档中包含的所有信息为发出该文件的日期。这样的信息，但是，如有更改，恕不另行通知。购买或使用任何瑞萨前

本文列出的电子产品时，请确认与瑞萨电子营业部最新的产品信息。另外，请大家定期和仔细的额外的和不同的信息

瑞萨电子披露，例如，通过我们的网站上披露。

瑞萨电子不承担侵权专利，版权，或第三方的其他知识产权或使用瑞萨电子的产品或所产生的任何法律责任

本文档中描述的技术信息。没有许可证，明示，暗示或其他，是任何专利，版权或瑞萨电子或其他知识产权授予兹

其他人。

你不应该改变，修改，复制或以其他方式侵占瑞萨电子产品，不论是全部或部分转载。

提供的电路，软件和本文件中的相关信息仅用以说明半导体产品和应用实例的操作。你是全权负责

这些电路，软件在您的设备设计的结合，和信息。瑞萨电子不对因产生招致您的任何损失或第三方承担任何责任

使用这些电路，软件以及相关信息。

当出口本文档中描述的产品或技术，你应该遵守适用的出口管制法律和法规，并按照这些法律和规定的程序

的规定。不应该使用瑞萨电子制品或本文档中对由军事与军事应用或使用任何目的所描述的技术，包括但不限于

大规模杀伤性武器的发展。瑞萨电子产品和技术可能不被用于或结合到任何产品或系统的制造，使用或销售的是

禁止在任何可适用的国内或外国的法律或法规。

瑞萨电子已经在准备本文档中包含的信息，使用合理的照顾，但瑞萨电子不保证该信息没有错误。瑞萨电子

承担因此发生的，你从本文中包含的信息错误或遗漏导致的任何损失承担任何责任。

"Standard" ， "High Quality"和"Specific" ：瑞萨电子的产品是根据以下三个质量等级分类。每个瑞萨电子产品的推荐应用

取决于产品的质量等级，如以下所示。在一个特定的应用程序中使用它之前，你必须检查每个瑞萨电子产品的质量等级。您不得使用任何瑞萨

电子产品归类为"Specific"不瑞萨电子的事先书面同意，任何应用程序。此外，您不得使用任何瑞萨电子产品的任何应用程序

它并不意味着不瑞萨电子的事先书面同意。瑞萨电子将不会有从产生招致你的任何损害或损失，或第三方负责任何方式

使用任何瑞萨电子的产品归类为"Specific"或该产品并没有打算在这里你未能获得瑞萨电子的事先书面同意申请。

每个瑞萨电子产品的质量等级是"Standard"除非另有在瑞萨电子数据表或数据手册等明确规定

"Standard" ：

电脑;办公设备;通信设备;测试和测量设备;视听设备;家用电子电器;机床;

个人电子设备;与工业机器人。

"High Quality" ：运输设备（汽车，火车，船舶等） ;交通控制系统;防灾系统;打黑除恶系统;安全设备;和医疗设备没有特别的

设计用于生命支持。

"Specific" ：

飞机;航空航天设备;海底中继设备;原子能控制系统;医疗设备或用于生命支持系统（如人工生命支持设备或系统），外科手术

植入或医疗干预（如切除等），并直接威胁到人类生活中的任何其他应用程序或用途。

您应该使用瑞萨电子指定的范围内本文档中描述的瑞萨电子产品，特别是对于最大额定值，工作电源电压

范围内，移动电源电压范围宽，热辐射等特性，安装等产品特性。瑞萨电子对于因出了故障或损害承担任何责任

使用这种超越规定范围瑞萨电子的产品。

本公司一直致力于提高产品的质量和可靠性，半导体产品具有特定的特征，如衰竭的发生在一定的速度，

某些使用条件下发生故障。此外，瑞萨电子的产品不受辐射性的设计。请一定要落实安全措施，以保护他们反对

物理损伤，伤害或损害的瑞萨电子产品的故障的情况下引起的火灾，如安全设计的硬件和软件，包括但不限于的可能性

冗余度，防火和防故障，老化退化或任何其他适当的措施，适当的治疗。因为单独微机软件的评价是非常困难的，

请评价你所制造的最终产品或系统的安全性。

10.请联系瑞萨电子销售办事处联系，以环境问题，如各瑞萨电子产品的环保性。请使用瑞萨电子

产品符合该规范包含或使用受管制物质，包括但不限于，欧盟RoHS指令的所有适用法律和法规。瑞萨电子假设

对于因您不遵守适用的法律法规而导致的损害或损失不承担任何责任。

11.本文件不得转载或复制，以任何形式，全部或部分，而不瑞萨电子的事先书面同意。

12.如果您对本文档或瑞萨电子产品的信息有任何疑问，请联系瑞萨电子销售办事处，或者如果您有任何疑问。

（注1 ）

（注2 ）

本文档中使用的"Renesas Electronics"意味着瑞萨电子公司和它的控股子公司。

"Renesas电子产品（第） "意味着开发或由或为瑞萨电子生产的任何产品。

网络连接的CE销售

请参阅"http ： //www.renesas.com/"最新的信息和详细信息。

瑞萨电子美国公司

2880斯科特大道加利福尼亚州圣克拉拉95050-2554 ， USA

电话： + 1-408-588-6000传真： + 1-408-588-6130

瑞萨电子有限公司加拿大

1101尼科尔森路，新市，安大略省L3Y 9C3 ，加拿大

电话： + 1-905-898-5441传真： + 1-905-898-3220

瑞萨电子欧洲公司

郡王草地，压榨板路，伯恩结束，白金汉郡， SL8 5FH ，英国

电话： + 44-1628-585-100传真： + 44-1628-585-900

瑞萨电子欧洲公司

Arcadiastrasse 10 ， 40472杜塞尔多夫，德国

电话： + 49-211-65030传真： + 49-211-6503-1327

瑞萨电子（中国）有限公司

7楼，量子广场，知春路27号北京市海淀区100083

电话： + 86-10-8235-1155传真： + 86-10-8235-7679

瑞萨电子（上海）有限公司

单元204 ， 205 ，汇亚大厦， No.1233陆家嘴环路路，浦东新区，上海200120 ，中国

电话： + 86-21-5877-1818传真： + 86-21-6887-7858 / -7898

瑞萨电子（香港）有限公司

单位1601至13年， 16 / F。， 2座，新世纪广场， 193太子道西，旺角，九龙，香港

电话： + 852-2886-9318传真： +852 2886-9022 / 9044

瑞萨电子台湾有限公司

13F ， 363号，傅失嗯北路，台北，台湾

电话： + 886-2-8175-9600传真： +886 2-8175-9670

瑞萨电子（新加坡）。有限公司

1海滨大道，＃ 06-10 ，吉宝湾大厦，新加坡098632

电话： + 65-6213-0200传真： + 65-6278-8001

瑞萨电子马来西亚SDN.BHD 。

906单位， B座，梅纳拉Amcorp ， Amcorp贸易中心， 18号，惹兰Persiaran巴拉， 46050八打灵再也，雪兰莪雪兰莪，马来西亚

联系电话： + 60-3-7955-9390传真： + 60-3-7955-9510

瑞萨电子韩国有限公司

11F 。，三益Lavied “或大厦， 720-2驿三洞，江南区首尔135-080 ，韩国

电话： + 82-2-558-3737传真： + 82-2-558-5141

http://www.renesas.com

后记1.1

初步数据表

RJK60S2DPP-E0

600V - 10A - SJ MOS FET

高速电源开关

特点

超结MOSFET

低导通电阻

DS （ ON）

= 0.53

（典型值）。（在我

= 4 A，V

= 10 V ，TA = 25C ）

高速开关

= 33纳秒（典型值）。（在我

= 4 A，V

= 10 V ，R

= 75

RG = 10

TA = 25 ° C）

R07DS0742EJ0004

Rev.0.04

2013年1月21日

概要

瑞萨封装代码： PRSS0003AG -A

（包名称： TO- 220FP ）

1.门

2.漏

3.源

2 3

绝对最大额定值

（ TA = 25°C ）

项

漏源极电压

栅极至源极电压

漏电流

TC = 25°C

TC = 100℃

漏电流峰值

体漏二极管的反向漏电流

体漏二极管反向漏电流峰值

雪崩电流

雪崩能量

散热通道

通道到外壳的热阻

通道温度

储存温度

注：1 。

由总胆固醇最大限制。

最大占空比D = 0.75

STCH = 25C ，总胆固醇

150C

在Tc值= 25°C

符号

DSS

GSS

注1,2

D（脉冲）注1

DR注1

DR （脉冲）注1

ARNote3

PCH

Note4

θch -C

总胆固醇

TSTG

Note3

评级

600

+30,

6.3

0.21

26.3

4.75

150

-55到+150

单位

° C / W

R07DS0742EJ0004 Rev.0.04

2013年1月21日

第1页6

RJK60S2DPP-E0

初步

电气特性

（ TA = 25°C ）

项

漏源击穿电压

零栅极电压漏极电流

门源漏电流

门源截止电压

静态漏源导通状态

阻力

栅极电阻

输入电容

输出电容

反向传输电容

导通延迟时间

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

体漏二极管的正向电压

总栅极电荷

门源费

栅漏电荷

体漏二极管的反向恢复时间

体漏二极管反向恢复

当前

体漏二极管反向恢复

收费

注： 5.脉冲测试

符号

（ BR ） DSS

DSS

GSS

GS （ OFF ）

DS （ ON）

西塞

科斯

CRSS

D（上）

D（关闭）

QGS

QGD

民

600

—

典型值

—

0.53

1.27

2.7

530

715

2.8

1.0

11.6

2.8

4.9

280

16.5

2.5

最大

—

±0.1

0.67

—

1.6

—

单位

测试条件

= 10 mA时， V

= 0

= 600 V, V

= 0

= +30V,

V, V

= 0

= 10 V，I

= 1毫安

= 4 A，V

= 10 V

注5

TA = 150℃

注5

= 4 A，V

= 10 V

F = 1 MHz的

= 25 V, V

= 0

= 25 V

= 0

F = 100千赫

= 4 A

= 10 V

= 75

注5

RG = 10

= 8 A，V

= 0

Note5

= 480 V

= 10 V

Note5

= 1 A

= 8 A

= 0

Note5

/ DT = 100 A / μs的

R07DS0742EJ0004 Rev.0.04

2013年1月21日

第2 6

RJK60S2DPP-E0

初步

主要特点

频道耗散主场迎战

外壳温度

TA = 25°C

脉冲测试

典型的输出特性

通道耗散P沟（W）的

(A)

10 V

15 V

漏电流

6.5 V

= 5.5 V

100 125 150 175

壳温度（ ° C）

漏源极电压

(V)

典型的输出特性

TA = 125°C

脉冲测试

典型的传输特性

100

= 10 V

脉冲测试

6.5 V

(A)

漏电流I

(A)

10 V

15 V

漏电流

TC = 75℃

25°C

5.5 V

= 5 V

0.1

0.01

漏源极电压

(V)

栅极至源极电压V

(V)

漏极至源极导通电阻

DS （ ON）

(Ω)

静态漏极至源极通态电阻

DS （ ON）

(Ω)

静态漏极至源极通态电阻

与漏电流（典型值）

静态漏极至源极通态电阻

- 温度曲线（典型）

3.0

2.5

2.0

1.5

1.0

0.5

= 8 A

= 10 V

脉冲测试

TA = 125°C

25°C

0.1

= 10 V

脉冲测试

100

100 125 150

漏电流

(A)

外壳温度

TC （ ℃）

R07DS0742EJ0004 Rev.0.04

2013年1月21日

第3页6

RJK60S2DPP-E0

体漏二极管的反向

恢复时间（典型）

初步

典型的电容比。

漏源极电压

10000

= 0

F = 100千赫

TA = 25°C

西塞

反向恢复时间trr （ NS ）

1000

电容C （PF ）

1000

100

科斯

CRSS

100

的di / dt = 100 A / μs的

= 0 ， TA = 25℃

100

0.1

100

150

200

250

300

反向漏电流I

(A)

漏源极电压

(V)

动态输入特性（典型）

(V)

400

= 480 V

300 V

100 V

反向漏电流 -

源极到漏极电压（典型值）

100

600

(A)

反向漏电流

TA = 125°C

25°C

= 0

脉冲测试

0.1

0.4

0.8

1.2

1.6

= 1 A

TA = 25°C

漏源极电压

200

= 480 V

300 V

100 V

栅极电荷

QG （ NC ）

栅极至源极电压

(V)

800

源极到漏极电压

(V)

门源截止电压

与外壳温度（典型）

漏源击穿电压

与外壳温度（典型）

= 1毫安

= 10 V

100 125 150

漏源击穿电压

（ BR ） DSS

(V)

800

门源截止电压

GS （ OFF ）

(V)

700

0.1毫安

600

500

= 10毫安

= 0

400

100 125 150

外壳温度

TC （ ℃）

外壳温度

TC （ ℃）

R07DS0742EJ0004 Rev.0.04

2013年1月21日

第4 6

RJK60S2DPP-E0

初步

开关时间测试电路

输入电压监视器

D.U.T.

VIN

10 V

= 300 V

VIN

VOUT

10%

VOUT

MONITOR

波形

90%

10%

90%

TD （上）

90%

TD （关闭）

雪崩测试电路

雪崩波形

AP2

DSS

– V

（ BR ） DSS

MONITOR

100

VIN

D. U.牛逼

R07DS0742EJ0004 Rev.0.04

2013年1月21日

分页： 5 6