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初步
数据表
RJK6025DPD
600V - 1A - MOS FET
高速电源开关
特点
低导通电阻
R
DS （ ON）
= 13.5
（典型值） 。 （在我
D
= 0.5 A ，V
GS
= 10 V ，TA = 25C ）
低驱动电流
高密度安装
R07DS0676EJ0100
Rev.1.00
2012年2月17日
概要
瑞萨封装代码： PRSS0004ZG -A
（包名称： MP -3A ）
4
1.
2.
3.
4.
门
漏
来源
漏
D
G
12
3
S
绝对最大额定值
（ TA = 25°C ）
项
漏源极电压
栅极至源极电压
漏电流
漏电流峰值
体漏二极管的反向漏电流
体漏二极管反向漏电流峰值
散热通道
通道到外壳的热阻
通道温度
储存温度
注意事项： 1， PW
10
s,
占空比
1%
2.价值在Tc = 25℃
符号
V
DSS
V
GSS
I
D
I
D（脉冲）注1
I
DR
I
DR （脉冲）注1
PCH
Note2
θch -C
总胆固醇
TSTG
评级
600
30
1
2
1
2
29.7
4.2
150
-55到+150
单位
V
V
A
A
A
A
W
° C / W
C
C
R07DS0676EJ0100Rev.1.00
2012年2月17日
第1页6
RJK6025DPD
初步
电气特性
（ TA = 25°C ）
项
漏源击穿电压
零栅极电压漏极电流
门源漏电流
门源截止电压
静态漏源导通状态
阻力
输入电容
输出电容
反向传输电容
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
总栅极电荷
门源费
栅漏电荷
体漏二极管的正向电压
体漏二极管的反向恢复时间
符号
V
（ BR ） DSS
I
DSS
I
GSS
V
GS （ OFF ）
R
DS （ ON）
西塞
科斯
CRSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
Qg
QGS
QGD
V
DF
t
rr
民
600
—
—
3
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
典型值
—
—
—
—
13.5
37.5
7.5
0.9
30
14.5
48
77
5.0
0.7
3.3
0.85
230
最大
—
1
±0.1
5
17.5
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
1.45
—
单位
V
A
A
V
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
V
ns
测试条件
I
D
= 10 mA时， V
GS
= 0
V
DS
= 600 V, V
GS
= 0
V
GS
=
30
V, V
DS
= 0
V
DS
= 10 V，I
D
= 1毫安
I
D
= 0.5 A ，V
GS
= 10 V
Note3
V
DS
= 25 V
V
GS
= 0
F = 1 MHz的
I
D
= 0.2 A
V
GS
= 10 V
R
L
= 1500
RG = 10
V
DD
= 480 V
V
GS
= 10 V
I
D
= 1.0 A
I
F
= 1.0 A，V
GS
= 0
Note3
I
F
= 0.4 A，V
GS
= 0
di
F
/ DT = 100 A / μs的
注： 3.脉冲测试
4.由于该设备配备有高电压场效应晶体管芯片（Ⅴ
DSS
600
V）中，高电压可以被提供。
因此，请务必确认约漏极终端和其他终端之间的放电。
5.此设备是静电放电敏感。
建议处理该产品时采取适当的注意事项。
R07DS0676EJ0100Rev.1.00
2012年2月17日
第2 6
RJK6025DPD
初步
主要特点
最高安全工作区
10
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0
TA = 25°C
脉冲测试
6V
8, 10 V
5.6 V
5.4 V
5.8 V
典型的输出特性
I
D
(A)
1
10
μ
s
漏电流
0.1
操作在此
区域由限定
R
DS （ ON）
TC = 25°C
1次射门
1
10
100
1000
漏电流
I
D
(A)
PW
=
10
0
μ
s
5.2 V
5V
V
GS
= 4.8 V
0
4
8
12
16
20
0.01
漏源极电压
V
DS
(V)
漏源极电压
V
DS
(V)
典型的传输特性
V
DS
= 10 V
脉冲测试
静态漏极至源极通态电阻
与漏电流（典型值）
漏极至源极导通电阻
R
DS （ ON）
(Ω)
1
100
V
GS
= 10 V
TA = 25°C
脉冲测试
I
D
(A)
漏电流
0.1
10
0.01
TC = 75℃
25°C
25°C
0.001
0
2
4
6
8
10
1
0.01
0.1
1
栅极至源极电压
V
GS
(V)
漏电流
I
D
(A)
静态漏极至源极通态电阻
R
DS （ ON）
(Ω)
静态漏极至源极通态电阻
- 温度曲线（典型）
50
体漏二极管的反向
恢复时间（典型）
40
30
I
D
= 0.8 A
反向恢复时间trr （ NS ）
V
GS
= 10 V
脉冲测试
1000
100
20
0.2 A
0.4 A
10
的di / dt = 100 A /
μs
V
GS
= 0 ， TA = 25℃
10
0.1
1
10
0
-25
0
25
50
75
100 125 150
外壳温度
TC （ ℃）
反向漏电流
I
DR
(A)
R07DS0676EJ0100Rev.1.00
2012年2月17日
第3页6
RJK6025DPD
典型的电容比。
漏源极电压
V
DS
(V)
1000
V
GS
= 0
F = 1 MHz的
TA = 25°C
100
初步
动态输入特性（典型）
I
D
= 0.8 A
TA = 25°C
电容C （PF ）
西塞
600
V
DS
400
漏源极电压
10
科斯
CRSS
8
1
200
V
DS
= 480 V
300 V
100 V
0
20
40
60
80
4
0.1
0
0
50
100
150
200
250
300
0
100
漏源极电压
V
DS
(V)
栅极电荷
QG （ NC ）
反向漏电流 -
源极到漏极电压（典型值）
1.2
5
门源截止电压
与外壳温度（典型）
I
DR
(A)
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0
0
门源截止电压
V
GS （ OFF ）
(V)
V
GS
= 0 V
TA = 25°C
脉冲测试
4
I
D
= 10毫安
1毫安
0.1毫安
2
反向漏电流
3
1
V
DS
= 10 V
0
-25
0
25
50
75
100 125 150
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
源极到漏极电压
V
SD
(V)
外壳温度
TC （ ℃）
R07DS0676EJ0100Rev.1.00
2012年2月17日
第4 6
栅极至源极电压
V
DS
= 480 V
300 V
100 V
12
V
GS
(V)
800
V
GS
16
RJK6025DPD
归瞬态热阻抗与脉冲宽度
归瞬态热阻抗
γ
秒（ t）的
2
TC = 25°C
1
D=1
0.5
0.5
0.2
0.1
初步
0.05
0.02
0.01
0.2 1次脉冲
θ
CH - C （ T） =
γ
S（ T）
θ
CH - C
θ
CH - C = 4.2 ° C / W ，TC = 25°C
P
DM
PW
T
D=
PW
T
0.1
100
μ
1m
10 m
100 m
1
10
100
脉冲宽度
PW （S ）
开关时间测试电路
输入电压监视器
D.U.T.
R
L
10
Ω
VIN
10 V
V
DD
=2V
VIN
VOUT
10%
10%
VOUT
MONITOR
波形
90%
10%
90%
TD （上）
tr
90%
TD （关闭）
tf
R07DS0676EJ0100Rev.1.00
2012年2月17日
分页： 5 6
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