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初步
数据表
RJK6024DPE
600V - 0.4A - MOS FET
高速电源开关
特点
低导通电阻
R
DS ( ON)
= 28
(典型值) 。 (在我
D
= 0.2 A,V
GS
= 10 V ,TA = 25C )
低漏电流
高速开关
R07DS0424EJ0200
Rev.2.00
2012年2月27日
概要
瑞萨封装代码: PRSS0004AE -B
(包名称: LDPAK ( S) - ( 1 ) )
D
4
1.门
2.漏
3.源
4.漏
1
G
2
3
S
绝对最大额定值
( TA = 25°C )
漏源极电压
栅极至源极电压
漏电流
漏电流峰值
体漏二极管的反向漏电流
体漏二极管反向漏电流峰值
散热通道
通道到外壳的热阻
通道温度
储存温度
注意事项: 1, PW
10
s,
占空比
1%
2.价值在Tc = 25℃
符号
V
DSS
V
GSS
I
D
I
D(脉冲)注1
I
DR
I
DR (脉冲)注1
PCH
Note2
θch -C
总胆固醇
TSTG
评级
600
30
0.4
0.6
0.4
0.6
20
6.25
150
-55到+150
单位
V
V
A
A
A
A
W
° C / W
C
C
R07DS0424EJ0200 Rev.2.00
2012年2月27日
第1页6
RJK6024DPE
初步
电气特性
( TA = 25°C )
漏源击穿电压
零栅极电压漏极电流
门源漏电流
门源截止电压
静态漏源导通状态
阻力
输入电容
输出电容
反向传输电容
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
总栅极电荷
门源费
栅漏电荷
体漏二极管的正向电压
体漏二极管的反向恢复时间
符号
V
( BR ) DSS
I
DSS
I
GSS
V
GS ( OFF )
R
DS ( ON)
西塞
科斯
CRSS
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
t
f
Qg
QGS
QGD
V
DF
t
rr
600
3
典型值
28
37.5
7.5
0.9
30
14.5
48
77
4.3
0.5
3.2
0.85
230
最大
1
±0.1
5
42
1.45
单位
V
A
A
V
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
V
ns
测试条件
I
D
= 10 mA时, V
GS
= 0
V
DS
= 600 V, V
GS
= 0
V
GS
=
30
V, V
DS
= 0
V
DS
= 10 V,I
D
= 1毫安
I
D
= 0.2 A,V
GS
= 10 V
Note3
V
DS
= 25 V
V
GS
= 0
F = 1 MHz的
I
D
= 0.2 A
V
GS
= 10 V
R
L
= 1500
RG = 10
V
DD
= 480 V
V
GS
= 10 V
I
D
= 0.4 A
I
F
= 0.4 A,V
GS
= 0
Note3
I
F
= 0.4 A,V
GS
= 0
di
F
/ DT = 50 A / μs的
注: 3.脉冲测试
4.由于该设备配备有高电压场效应晶体管芯片(Ⅴ
DSS
600
V)中,高电压可以被提供。
因此,请务必确认约漏极终端和其他终端之间的放电。
5.此设备是静电放电敏感。
建议处理该产品时采取适当的注意事项。
R07DS0424EJ0200 Rev.2.00
2012年2月27日
第2 6
RJK6024DPE
初步
主要特点
最高安全工作区
10
TC = 25°C
1次射门
0.6
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
0
TA = 25°C
脉冲测试
8, 10 V
6V
5.6 V
5.8 V
典型的输出特性
I
D
(A)
1
10
μ
s
漏电流
0.1
漏电流
I
D
(A)
PW
=
10
0
操作在此
区域由限定
R
DS ( ON)
1
10
100
5.4 V
μ
s
5.2 V
V
GS
= 5 V
0.01
0.001
0.1
1000
0
4
8
12
16
20
漏源极电压
V
DS
(V)
漏源极电压
V
DS
(V)
典型的传输特性
静态漏极至源极通态电阻
与漏电流(典型值)
漏极至源极导通电阻
R
DS ( ON)
(Ω)
1
V
DS
= 10 V
脉冲测试
TC =
25°C
1000
V
GS
= 10 V
TA = 25°C
脉冲测试
I
D
(A)
漏电流
25°C
0.1
75°C
100
0.01
0
2
4
6
8
10
10
0.01
0.1
1
栅极至源极电压
V
GS
(V)
漏电流
I
D
(A)
静态漏极至源极通态电阻
R
DS ( ON)
(Ω)
静态漏极至源极通态电阻
- 温度曲线(典型)
80
V
GS
= 10 V
脉冲测试
60
I
D
= 0.4 A
40
0.2 A
0.1 A
20
体漏二极管的反向
恢复时间(典型)
反向恢复时间trr ( NS )
1000
100
的di / dt = 50A /
μs
V
GS
= 0 , TA = 25℃
10
0.1
1
10
0
-25
0
25
50
75
100 125 150
外壳温度
TC ( ℃)
反向漏电流
I
DR
(A)
R07DS0424EJ0200 Rev.2.00
2012年2月27日
第3页6
RJK6024DPE
典型的电容比。
漏极至源极电压(典型值)
漏极至源极电压V
DS
(V)
100
西塞
初步
动态输入特性(典型)
V
GS
600
V
DS
400
10
科斯
V
DD
= 480 V
300 V
100 V
12
8
1
V
GS
= 0
F = 1 MHz的
TA = 25°C
50
100
150
200
CRSS
200
V
DD
= 480 V
300 V
100 V
2
4
6
8
4
0.1
0
250
300
0
0
0
10
漏极至源极电压V
DS
(V)
栅极电荷Qg ( NC )
门源截止电压V
GS ( OFF )
(V)
反向漏电流 -
源极到漏极电压(典型值)
0.6
门源截止电压
与外壳温度(典型)
5.0
V
DS
= 10 V
4.5
4.0
3.5
3.0
0.1毫安
2.5
2.0
-25
反向漏电流I
DR
(A)
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
0
0
V
GS
= 0 V
TA = 25
°C
脉冲测试
I
D
= 10毫安
1毫安
0.4
0.8
1.2
1.6
0
25
50
75
100 125 150
源极到漏极电压V
SD
(V)
外壳温度
TC ( ℃)
R07DS0424EJ0200 Rev.2.00
2012年2月27日
第4 6
栅极至源极电压V
GS
(V)
800
I
D
= 0.4 A
TA = 25
°C
16
电容C (PF )
RJK6024DPE
归瞬态热阻抗与脉冲宽度
归瞬态热阻抗
γ
秒( t)的
10
TC = 25°C
初步
1
D=1
0.5
0.2
0.1
0.05
θ
CH - C ( T) =
γ
S( T)
θ
CH - C
θ
CH - C = 6.25
°
C / W ,TC = 25
°
C
P
DM
PW
T
0.1
1次脉冲
D=
PW
T
0.02
0.01
10μ
100μ
1m
10m
100m
1
10
脉冲宽度PW (S )
开关时间测试电路
输入电压监视器
D.U.T.
R
L
10
Ω
VIN
10 V
V
DD
= 300 V
VIN
VOUT
10%
10%
VOUT
MONITOR
波形
90%
10%
90%
TD (上)
tr
90%
TD (关闭)
tf
R07DS0424EJ0200 Rev.2.00
2012年2月27日
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