RJK6014DPK
硅N沟道MOS FET
高速电源开关
REJ03G1517-0200
Rev.2.00
2007年6月4日
特点
低导通电阻
低漏电流
高速开关
概要
瑞萨封装代码： PRSS0004ZE -A
（包名称： TO- 3P ）
D
G
1.门
2.漏（法兰）
3.源
1
2
3
S
绝对最大额定值
（ TA = 25°C ）
项
漏源极电压
栅极至源极电压
漏电流
漏电流峰值
体漏二极管的反向漏电流
体漏二极管反向漏电流峰值
雪崩电流
雪崩能量
散热通道
通道到外壳的热阻
通道温度
储存温度
注意事项： 1， PW
≤
10
s,
占空比
≤
1%
2.价值在Tc = 25℃
3. STCH = 25 ° C，总胆固醇
≤
150°C
符号
V
DSS
V
GSS
I
D
I
D（脉冲）注1
I
DR
I
DR （脉冲）注1
I
APNote3
E
ARNote3
PCH
Note2
θch -C
总胆固醇
TSTG
评级
600
±30
16
32
16
32
5
1.3
150
0.833
150
-55到+150
单位
V
V
A
A
A
A
A
mJ
W
° C / W
°C
°C
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RJK6014DPK
电气特性
（ TA = 25°C ）
项
漏源击穿电压
零栅极电压漏极电流
门源漏电流
门源截止电压
静态漏源导通状态
阻力
输入电容
输出电容
反向传输电容
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
总栅极电荷
门源费
栅漏电荷
体漏二极管的正向电压
体漏二极管的反向恢复时间
注： 4.脉冲测试
符号
V
（ BR ） DSS
I
DSS
I
GSS
V
GS （ OFF ）
R
DS （ ON）
西塞
科斯
CRSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
Qg
QGS
QGD
V
DF
t
rr
民
600
—
—
3.0
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
典型值
—
—
—
—
0.475
1800
170
20
36
29
93
20
45
9
20
0.91
390
最大
—
1
±0.1
4.5
0.575
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
1.50
—
单位
V
A
A
V
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
V
ns
测试条件
I
D
= 10 mA时， V
GS
= 0
V
DS
= 600 V, V
GS
= 0
V
GS
=
±30
V, V
DS
= 0
V
DS
= 10 V，I
D
= 1毫安
I
D
= 8 A，V
GS
= 10 V
Note4
V
DS
= 25 V
V
GS
= 0
F = 1 MHz的
I
D
= 8 A
V
GS
= 10 V
R
L
= 37.5
RG = 10
V
DD
= 480 V
V
GS
= 10 V
I
D
= 16 A
I
F
= 16 A，V
GS
= 0
Note4
I
F
= 16 A，V
GS
= 0
di
F
/ DT = 100 A / μs的
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主要特点
功率与温度降额
400
1000
TA = 25°C
最高安全工作区
P沟（W）的
300
I
D
(A)
100
10
1
0.1
直流操作
（ TC = 25 ° C）
10
10
0
s
散热通道
s
s
1m
200
100
漏电流
0.01
操作在此
0.001
0.1
区域由限定
R
DS （ ON）
PW = 10毫秒
(1shot)
0
50
100
150
200
1
10
100
1000
外壳温度
TC （ ℃）
漏源极电压
V
DS
(V)
典型的输出特性
20
7V
10 V
脉冲测试
12
5.6 V
6V
100
50
5.8 V
典型的传输特性
V
DS
= 10 V
脉冲测试
I
D
(A)
I
D
(A)
漏电流
16
20
10
5
2
1
0.5
0.2
TC = 75℃
25°C
25°C
0
2
4
6
8
10
0.1
漏电流
8
5.4 V
5.2 V
4
V
GS
= 5 V
0
4
8
12
16
20
漏源极电压
V
DS
(V)
栅极至源极电压
V
GS
(V)
漏极至源极导通电阻
R
DS （ ON）
()
1
V
GS
= 10 V
0.5
静态漏极至源极通态电阻
R
DS （ ON）
()
静态漏极至源极通态电阻
与漏电流
静态漏极至源极通态电阻
与温度的关系
2.0
V
GS
= 10 V
1.6
I
D
= 8 A
0.2
0.1
0.05
1.2
0.8
4A
0.4
脉冲测试
0
25
0
25
50
75
100 125 150
0.02
0.01
1
3
10
30
脉冲测试
100
300
1000
漏电流
I
D
(A)
外壳温度
TC （ ℃）
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RJK6014DPK
体漏二极管的反向
恢复时间
1000
10000
3000
西塞
典型的电容比。
漏源极电压
反向恢复时间trr （ NS ）
500
200
100
50
20
10
5
2
1
1
3
10
30
100
300
1000
的di / dt = 100 A /
s
V
GS
= 0 ， TA = 25℃
电容C （PF ）
1000
300
100
30
10
3
1
0
V
GS
= 0
F = 1 MHz的
100
200
300
CRSS
科斯
反向漏电流
I
DR
(A)
漏源极电压
V
DS
(V)
动态输入特性
V
DS
(V)
V
GS
(V)
800
反向漏电流 -
源极到漏极电压
16
20
I
DR
(A)
I
D
= 16 A
V
DD
= 100 V
300 V
480 V
V
GS
脉冲测试
16
600
V
DS
400
12
漏源极电压
栅极至源极电压
反向漏电流
12
8
8
4
200
V
DD
= 480 V
300 V
100 V
12
24
36
48
4
5 V, 10 V
V
GS
= 0 V,
5
V
0.8
1.2
1.6
2.0
0
0
60
0
0.4
栅极电荷
QG （ NC ）
源极到漏极电压
V
SD
(V)
门源截止电压
与外壳温度
5
门源截止电压
V
GS （ OFF ）
(V)
4
I
D
= 10毫安
3
1毫安
2
0.1毫安
1
V
DS
= 10 V
0
-25
0
25
50
75
100 125 150
外壳温度
TC （ ℃）
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归瞬态热阻抗与脉冲宽度
归瞬态热阻抗
γ
秒（ t）的
3
TC = 25°C
1
D=1
0.5
0.3
0.2
0.1
0.1
0.05
θ
CH - C （ T） =
γ
S（ T）
θ
CH - C
θ
CH - C = 0.833
°
C / W ，TC = 25
°
C
P
DM
D=
PW
T
0.03
0.02
1
0.0
PW
T
0.01
10
1s
h
p
ot
ULS
e
100
1m
10 m
100 m
1
10
脉冲宽度
PW （S ）
开关时间测试电路
输入电压监视器
D.U.T.
R
L
10
VIN
10 V
V
DD
= 300 V
VIN
VOUT
10%
10%
VOUT
MONITOR
波形
90%
10%
90%
TD （上）
tr
90%
TD （关闭）
tf
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