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RJK5026DPP
硅N沟道MOS FET
高速电源开关
REJ03G1734-0100
Rev.1.00
2008年9月11日
特点
低导通电阻
低漏电流
高速开关
概要
瑞萨封装代码: PRSS0003AB -A
(包名称: TO- 220FN )
D
G
1.门
2.漏
3.源
1
2 3
S
绝对最大额定值
( TA = 25°C )
漏源极电压
栅极至源极电压
漏电流
漏电流峰值
体漏二极管的反向漏电流
体漏二极管反向漏电流峰值
雪崩电流
雪崩能量
散热通道
通道到外壳的热阻
通道温度
储存温度
注:1 。
2.
3.
4.
PW
10
s,
占空比
1%
在Tc值= 25°C
STCH = 25C ,总胆固醇
150°C
由最大安全作业区的限制
符号
V
DSS
V
GSS
I
DNote4
I
D(脉冲)注1
I
DR
I
DR (脉冲)注1
I
APNote3
E
ARNote3
PCH
Note2
θch -C
总胆固醇
TSTG
评级
500
±30
6
18
6
18
4
0.88
28.5
4.38
150
-55到+150
单位
V
V
A
A
A
A
A
mJ
W
° C / W
°C
°C
REJ03G1734-0100 Rev.1.00 2008年9月11日
第1页3
RJK5026DPP
电气特性
( TA = 25°C )
漏源击穿电压
零栅极电压漏极电流
门源漏电流
门源截止电压
静态漏源导通状态
阻力
输入电容
输出电容
反向传输电容
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
总栅极电荷
门源费
栅漏电荷
体漏二极管的正向电压
体漏二极管的反向恢复时间
注: 5.脉冲测试
符号
V
( BR ) DSS
I
DSS
I
GSS
V
GS ( OFF )
R
DS ( ON)
西塞
科斯
CRSS
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
t
f
Qg
QGS
QGD
V
DF
t
rr
500
3.0
典型值
1.35
440
52
7
26
19
50
14
14
2.5
6.9
0.9
230
最大
1
±0.1
4.5
1.70
1.5
单位
V
A
A
V
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
V
ns
测试条件
I
D
= 10 mA时, V
GS
= 0
V
DS
= 500 V, V
GS
= 0
V
GS
=
±30
V, V
DS
= 0
V
DS
= 10 V,I
D
= 1毫安
I
D
= 3 A,V
GS
= 10 V
Note5
V
DS
= 25 V
V
GS
= 0
F = 1 MHz的
I
D
= 3 A
V
GS
= 10 V
R
L
= 83.3
RG = 10
V
DD
= 400 V
V
GS
= 10 V
I
D
= 6 A
I
F
= 6 A,V
GS
= 0
Note5
I
F
= 6 A,V
GS
= 0
di
F
/ DT = 100 A / μs的
REJ03G1734-0100 Rev.1.00 2008年9月11日
分页: 1 2 3
RJK5026DPP
包装尺寸
包名称
TO-220FN
JEITA封装代码
瑞萨代码
PRSS0003AB-A
以前的代码
质量[典型值]
2.0g
单位:mm
10 ± 0.3
2.8 ± 0.2
15 ± 0.3
φ3.2
± 0.2
14 ± 0.5
3.6 ± 0.3
1.1 ± 0.2
1.1 ± 0.2
0.75 ± 0.15
0.75 ± 0.15
2.54 ± 0.25
2.54 ± 0.25
订购信息
产品型号
RJK5026DPP-00-T2
QUANTITY
1050件
箱(管)
中海集装箱
REJ03G1734-0100 Rev.1.00 2008年9月11日
第3页3
2.6 ± 0.2
4.5 ± 0.2
6.5 ± 0.3
3 ± 0.3
销售战略规划事业部。
立邦大厦, 2-6-2 , Ohte酒店町,千代田区,东京100-0004 ,日本
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1.本文档所提供,仅供参考,使瑞萨的客户可以选择合适的瑞萨产品供其使用。瑞萨既不品牌
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但不限于产品数据,图形,图表,程序,算法和应用电路的例子。
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法规,程序,要求等法律法规。
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发出的文件。这样的信息,但是,如有更改,恕不另行通知。购买或使用本文件中列出的所有的瑞萨产品之前,
请证实与瑞萨销售办事处最新的产品信息。另外,请大家定期和仔细的额外的和不同的信息要
瑞萨透露,如通过我们的网站上披露。 ( http://www.renesas.com )
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在信息错误或遗漏的结果,包括本文件中。
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应用程序并明确拒绝承担因应用和使用的信息,本文档或瑞萨产品的任何责任。
7.除瑞萨指定为适用于汽车应用的产品,瑞萨的产品并非设计,制造或测试应用程序
或在系统发生故障或故障而可能导致直接威胁到人的生命或创建人受伤或需要特别高的质量的风险
和可靠性,如安全系统或设备或系统的运输和交通,医疗,燃烧控制,航天航空,核电,或
海底通信传输。如果你正在考虑使用我们的产品用于上述目的,请事先联系瑞萨销售办事处。瑞萨应
对因上述规定的用途,损害不承担任何责任。
8.尽管有前款规定,你不应该使用的瑞萨产品的下列用途:
( 1 )人工生命支持设备或系统
(2)外科植入
(3)医疗干预(例如,切除,药物的施用等)的
( 4)构成直接威胁到人类生活中的任何其他用途
瑞萨对于因是谁选择使用瑞萨的产品在任何上述规定,在上述的使用和购买者的损失不承担任何责任
申请书应当赔偿和进行无害瑞萨科技公司,其附属公司及其管理人员,董事和雇员免受任何和所有
因这类应用的损失。
9.应该使用本文瑞萨指定的范围内所描述的产品,特别是相对于最大额定值,工作电源电压范围,
移动电源电压范围宽,热辐射等特性,安装等产品特性。瑞萨将有故障或损害承担任何责任
因使用瑞萨的产品超越这样的规定范围。
10.虽然瑞萨一直致力于提高产品的质量和可靠性,集成电路制品具有特定的特性,例如失败的在一定的发生
率和故障一定的使用条件下。请一定要落实安全措施,以防止人身伤害的可能性,伤害或损坏
在一个瑞萨产品的故障的情况下引起的火灾,如安全设计的硬件和软件,包括但不限于冗余,火情控制和
故障预防,老化退化或任何其他适用的措施,适当的治疗。在其他中,由于微型计算机的软件的评价
单单是非常困难的,请评价您所生产的最终产品或系统的安全性。
本文档中列出的11万一瑞萨产品从到瑞萨的产品连接,或贴在产品分离的,意外的风险,如
由婴儿和小孩吞下是非常高的。你应该执行安全措施,使瑞萨的产品可能不容易从你的产品分离。
瑞萨对于因了这样的支队损失不承担任何责任。
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13.如果您对本文档中包含的信息有任何疑问,请联系瑞萨销售办事处,瑞萨半导体产品,或者如果你有
任何其他查询。
瑞萨销售办事处
请参阅"http : //www.renesas.com/en/network"最新的信息和详细信息。
瑞萨科技美国公司
霍尔格450路,圣何塞,加利福尼亚95134-1368 ,U.S.A
联系电话: <1> ( 408 ) 382-7500 ,传真: <1> ( 408 ) 382-7501
瑞萨科技欧洲公司
郡王草地,压榨板路,伯恩结束,白金汉郡, SL8 5FH ,英国
联系电话: <44> ( 1628 ) 585-100 ,传真: <44> ( 1628 ) 585-900
瑞萨科技(上海)有限公司
有限公司
单元204 , 205 , AZIACenter , No.1233陆家嘴环路,浦东区,上海,中国200120
联系电话: <86> ( 21 ) 5877-1818 ,传真: <86> ( 21 ) 6887-7858 / 7898
瑞萨科技(香港)有限公司
7楼,北塔,世界金融中心,海港城,广东道,尖沙咀,九龙,香港
联系电话: <852> 2265-6688 ,传真: <852> 2377-3473
瑞萨科技台湾有限公司
有限公司
10楼, 99号, Fushing北路,台北,台湾
联系电话: <886> ( 2 ) 2715年至2888年,传真: <886> ( 2 ) 3518-3399
瑞萨科技(新加坡) 。有限公司
1港前大道, # 06-10 ,吉宝湾大厦,新加坡098632
联系电话: <65> 6213-0200 ,传真: <65> 6278-8001
瑞萨科技韩国株式会社
KUKJE中心大厦。 18 FL 。 , 191 , 2 -KA ,邯钢-RO ,龙山区,首尔140-702 ,韩国
联系电话: <82> ( 2 ) 796-3115 ,传真: <82> ( 2 ) 796-2145
http://www.renesas.com
瑞萨科技(马) 。有限公司
单元906 , B座,梅纳拉Amcorp , Amcorp贸易中心, 18号,惹兰Persiaran巴拉, 46050八打灵再也,雪兰莪雪兰莪,马来西亚
联系电话: <603> 7955-9390 ,传真: <603> 7955-9510
2008瑞萨科技公司,保留所有权利。日本印刷。
后记.7.2
初步
数据表
RJK5026DPP
硅N沟道MOS FET
高速电源开关
特点
低导通电阻
R
DS ( ON)
= 1.35
Ω
(典型值) 。 (在我
D
= 3 A,V
GS
= 10 V ,TA = 25C )
低漏电流
高速开关
R07DS0360EJ0200
(上一篇: REJ03G1734-0100 )
Rev.2.00
2011年4月15日
概要
瑞萨封装代码: PRSS0003AB -A
(包名称: TO- 220FN )
D
G
1.门
2.漏
3.源
1
2 3
S
绝对最大额定值
( TA = 25°C )
漏源极电压
栅极至源极电压
漏电流
漏电流峰值
体漏二极管的反向漏电流
体漏二极管反向漏电流峰值
雪崩电流
雪崩能量
散热通道
通道到外壳的热阻
通道温度
储存温度
注:1 。
2.
3.
4.
PW
10
μs,
占空比
1%
在Tc值= 25°C
STCH = 25C ,总胆固醇
150°C
由最大安全作业区的限制
符号
V
DSS
V
GSS
I
DNote4
I
D(脉冲)注1
I
DR
I
DR (脉冲)注1
I
APNote3
E
ARNote3
PCH
Note2
θch -C
总胆固醇
TSTG
评级
500
±30
6
18
6
18
4
0.88
28.5
4.38
150
-55到+150
单位
V
V
A
A
A
A
A
mJ
W
° C / W
°C
°C
R07DS0360EJ0200 Rev.2.00
2011年4月15日
第1页6
RJK5026DPP
初步
电气特性
( TA = 25°C )
漏源击穿电压
零栅极电压漏极电流
门源漏电流
门源截止电压
静态漏源导通状态
阻力
输入电容
输出电容
反向传输电容
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
总栅极电荷
门源费
栅漏电荷
体漏二极管的正向电压
体漏二极管的反向恢复时间
注: 5.脉冲测试
符号
V
( BR ) DSS
I
DSS
I
GSS
V
GS ( OFF )
R
DS ( ON)
西塞
科斯
CRSS
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
t
f
Qg
QGS
QGD
V
DF
t
rr
500
3.0
典型值
1.35
440
52
7
26
19
50
14
14
2.5
6.9
0.95
230
最大
1
±0.1
4.5
1.70
1.50
单位
V
μA
μA
V
Ω
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
V
ns
测试条件
I
D
= 10 mA时, V
GS
= 0
V
DS
= 500 V, V
GS
= 0
V
GS
=
±30
V, V
DS
= 0
V
DS
= 10 V,I
D
= 1毫安
I
D
= 3 A,V
GS
= 10 V
Note5
V
DS
= 25 V
V
GS
= 0
F = 1 MHz的
I
D
= 3 A
V
GS
= 10 V
R
L
= 83.3
Ω
RG = 10
Ω
V
DD
= 400 V
V
GS
= 10 V
I
D
= 6 A
I
F
= 6 A,V
GS
= 0
Note5
I
F
= 6 A,V
GS
= 0
di
F
/ DT = 100 A / μs的
R07DS0360EJ0200 Rev.2.00
2011年4月15日
第2 6
RJK5026DPP
初步
主要特点
最大
安全工作区
100
10
典型
产量
特征
10
TA =
25°C
脉冲
TEST
7 V, 8 V,
10
V
6V
电流I
D
(A)
P
W
电流I
D
(A)
10
=
10
μ
s
8
5.8 V
6
1
0
μ
s
5.6 V
4
0.1
手术
in
区域
受限制
R
DS ( ON)
TA =
25°C
1
镜头
1
10
100
1000
5.4 V
5.2 V
V
GS
= 5 V
0.01
2
0.001
0.1
0
0
4
8
12
16
20
漏极至源极
电压V
DS
(V)
漏极至源极
电压V
DS
(V)
静态漏极至源极通态电阻
当前
(典型值)
漏极至源极导通电阻
R
DS ( ON)
(Ω)
10
V
GS
=
10
V
TA =
25°C
脉冲
TEST
典型的传输特性
10
V
DS
=
10
V
脉冲
TEST
电流I
D
(A)
8
TC =
25
°C
25
°C
6
75 °C
4
1
2
0
0.1
1
2
5
10
0
2
4
6
8
10
门源
电压V
GS
(V)
静态漏极至源极通态电阻
与温度的关系
(典型值)
V
GS
=
10
V
脉冲
TEST
4
I
D
= 6
A
3
电流I
D
(A)
静态漏极至源极通态电阻
R
DS ( ON)
(Ω)
体漏二极管的反向
恢复
时间
(典型值)
1000
反向恢复
时间
TRR ( NS )
5
100
2
3A
1
1.5 A
di
/
dt
=
100 A
/
μs
V
GS
=
0,
TA =
25°C
10
0.1
1
10
100
0
-25
0
25
50
75
100 125 150
壳温度
(°C)
反向漏
电流I
DR
(A)
R07DS0360EJ0200 Rev.2.00
2011年4月15日
第3页6
RJK5026DPP
典型的电容比。
漏极至源极
电压
漏极至源极
电压V
DS
(V)
1000
西塞
初步
动态
输入特性
(典型值)
I
D
= 6
A
TA =
25
°C
V
DD
= 400 V
250
V
100
V
V
GS
600
12
100
科斯
10
CRSS
V
GS
=
0
f =
1
兆赫
50
TA =
25°C
100
150
200
250
400
V
DS
8
200
V
DD
= 400 V
250
V
100
V
4
8
12
16
4
1
0
0
20
0
漏极至源极
电压V
DS
(V)
电荷Qg
( NC )
10
门源
截止电压V
GS ( OFF )
(V)
反向漏
电流 -
源极到漏极
电压
(典型值)
反向漏
电流I
DR
(A)
V
GS
=
0
V
TA =
25
°C
脉冲
TEST
门源
截止电压
与外壳温度
(典型值)
5
V
DS
=
10
V
8
4
I
D
=
10毫安
1毫安
0.1毫安
2
6
3
4
2
0
0
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
1
0
-25
0
25
50
75
100 125 150
源极到漏极
电压V
SD
(V)
外壳温度
Tc
(°C)
R07DS0360EJ0200 Rev.2.00
2011年4月15日
第4 6
门源
电压V
GS
(V)
800
16
电容C
(PF )
RJK5026DPP
归瞬态热阻抗对比
脉冲
宽度
归瞬态热阻抗
γ
s
(t)
10
TC =
25°C
初步
1
D
=
1
0.5
0.2
0
.1
0
.05
0.1
0
.
02
0.01
1shot
脉冲
θ
ch
C( T)
=
γ
s
(t)
θ
ch
c
θ
ch
c
= 4.38 ° C / W ,TC =
25°C
P
DM
PW
T
1m
10 m
100 m
1
10
100
1000
D
=
PW
T
0.01
10
μ
100
μ
脉冲
宽度
PW (S )
开关
时间测试电路
输入电压监视器
D.U.T.
R
L
10
Ω
VIN
10
V
V
DD
=
250
V
VIN
VOUT
10%
10%
VOUT
MONITOR
波形
90%
10%
90%
TD (上)
tr
90%
TD (关闭)
t
f
R07DS0360EJ0200 Rev.2.00
2011年4月15日
分页: 5 6
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    电话:0755-82780082
    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    RJK5026DPP
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2881793588 复制

电话:0755-88291559
联系人:陈泽强
地址:深圳市福田区华强北深南中路2068号华能大厦23楼2312-2313-2318
RJK5026DPP
RENESAS/瑞萨
2443+
23000
一级代理专营,原装现货,价格优势
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2881501652 复制 点击这里给我发消息 QQ:2881501653 复制

电话:0755-83223003
联系人:朱
地址:福田区红荔路上步工业区201栋西座316
RJK5026DPP
RENESAS
24+
18650
TO-220属封
全新原装现货,原厂代理。
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:1002316308 复制 点击这里给我发消息 QQ:515102657 复制
电话:0755-83777708/83777607/82799993
联系人:朱咸华
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