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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符R型号页 > 首字符R的型号第369页 > RJK5003DPD-00-J2
初步
数据表
RJK5003DPD
硅N沟道功率MOS FET
高速电源开关使用
特点
V
DSS
: 500 V
R
DS （ ON）
: 1.5
（ MAX 。 ）
I
D
: 5 A
表面贴装封装（ MP -3A ）
R07DS0049EJ0400
（上一篇： REJ03G0580-0300 ）
Rev.4.00
2010年7月22日
概要
瑞萨封装代码： PRSS0004ZG -A
（包名称： MP -3A ）
4
2, 4
ot
fo
R N重
co
EW M
德米
矽恩
GN
1
12
3
3
1.
2.
3.
4.
门
漏
来源
漏
应用
照明镇流器，开关电源，等等。
最大额定值
参数
漏源极电压
栅极至源极电压
漏电流
漏电流峰值
雪崩电流
散热通道
通道温度
储存温度
（ TC = 25 ° C）
条件
V
GS
= 0 V
V
DS
= 0 V
N
符号
V
DSS
V
GSS
I
D
评级
500
30
5
20
5
单位
V
V
A
I
D（脉冲）
I
AP
Note1
A
A
L = 200
H
PCH
总胆固醇
TSTG
CH-C
62.5
150
-55到+150
2.0
W
C
C
° C / W
渠道情况
通道到外壳的热阻
注意：
1.脉冲宽度有限的安全工作区。
R07DS0049EJ0400 Rev.4.00
2010年7月22日
第1页6
RJK5003DPD
初步
电气特性
（总胆固醇= 25 ℃）下
参数
漏源击穿电压
零栅极电压漏极电流
门源漏电流
门源截止电压
静态漏源导通状态
阻力
输入电容
输出电容
反向传输电容
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
体漏二极管的正向电压
注意：
2.脉冲测试
符号
V
（ BR ） DSS
I
DSS
I
GSS
V
GS （ OFF ）
R
DS （ ON）
西塞
科斯
CRSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
V
DF
分钟。
500
—
—
3.0
—
—
—
—
—
—
—
—
—
典型值。
—
—
—
3.5
1.3
550
60
10
20
20
60
25
1.0
马克斯。
—
1
0.1
4.0
1.5
—
—
—
—
—
—
—
1.5
单位
V
mA
A
V
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
V
测试条件
I
D
= 1毫安， V
GS
= 0 V
V
DS
= 500 V, V
GS
= 0 V
V
GS
=
30
V, V
DS
= 0 V
I
D
= 1毫安， V
DS
= 10 V
I
D
= 2 A，V
GS
= 10 V
Note2
V
DS
= 25 V, V
GS
= 0 V,
F = 1 MHz的
V
DD
= 200 V，I
D
= 2 A,
V
GS
= 10 V
R
G
= 25
I
F
= 2 A，V
GS
= 0 V
Note2
R07DS0049EJ0400 Rev.4.00
2010年7月22日
ot
fo
R N重
co
EW M
德米
矽恩
GN
第2 6
N
RJK5003DPD
初步
主要特点
功率与温度降额
70
100
PW
=
最大安全工作区
通道耗散P沟（W）的
60
漏电流I
D
(A)
50
40
30
20
10
0
10
10
0
μ
s
10
μ
s
1
DC
0.1
在这一领域是
限于由R
DS （ ON）
TC = 25°C
单脉冲
0
50
100
150
200
0.01
1
10
100
1000
壳温度（ ° C）
漏极至源极电压V
DS
(V)
典型的输出特性
10
TC = 25°C
脉冲测试
V
GS
= 20 V
ot
fo
R N重
co
EW M
德米
矽恩
GN
5
10 V
典型的输出特性
V
GS
= 20 V
10 V
7V
5V
6V
漏电流I
D
(A)
P
DS
= 62.5 W
6V
6
漏电流I
D
(A)
8
7V
4
5V
3
TC = 25°C
脉冲测试
4
2
2
1
4V
4V
4
6
8
10
0
0
4
0
8
12
16
20
0
2
N
漏极至源极电压V
DS
(V)
漏极至源极电压V
DS
(V)
漏极至源极饱和电压与
门至源极电压（典型值）
漏极至源极饱和电压
V
DS （ ON）
(V)
20
TC = 25°C
脉冲测试
16
I
D
= 8 A
12
静态漏极至源极通态电阻与
漏电流（典型值）
4
TC = 25°C
脉冲测试
3.2
2.4
V
GS
= 10 V
1.6
0.8
20 V
8
5A
3A
4
0
0
4
8
12
16
20
漏极至源极导通电阻
R
DS （ ON）
(Ω)
0
10
–1
10
0
10
1
10
2
栅极至源极电压V
GS
(V)
漏电流I
D
(A)
R07DS0049EJ0400 Rev.4.00
2010年7月22日
第3页6
RJK5003DPD
初步
电容与
漏极至源极电压（典型值）
10
3
西塞
传输特性（典型）
10
TC = 25°C
V
DS
= 10 V
8脉冲测试
漏电流I
D
(A)
电容（pF）
10
2
6
4
科斯
10
1
TCH = 25°C
F = 1 MHz的
V =0V
10
0 GS
10
0
10
1
CRSS
2
0
0
2
4
6
8
10
10
2
10
3
栅极至源极电压V
GS
(V)
漏极至源极电压V
DS
(V)
门源电压与
栅极电荷（典型值）
切换时间（纳秒）
3
2
10
2
7
5
3
2
10
1 0
10
TCH = 25°C
V
DD
= 200 V
V
GS
= 10 V
R
G
= 25
Ω
脉冲测试
栅极至源极电压V
GS
(V)
10
3
7
5
ot
fo
R N重
co
EW M
德米
矽恩
GN
16
TCH = 25°C
I
D
= 5 A
12
TD （关闭）
tf
8
4
tr
3
5
7
10
1
0
0
4
8
开关特性（典型）
V
DS
= 100 V
200 V
400 V
TD （上）
2
12
16
20
24
漏电流I
D
(A)
栅极电荷Qg （ NC ）
漏源击穿电压V
（ BR ） DSS
（T ° C）
漏源击穿电压V
（ BR ） DSS
(25°C)
反向漏电流 -
源极到漏极电压特性
（典型值）
N
击穿电压VS.
通道温度（典型）
10
1.4
源电流我
DR
(A)
8
V
GS
= 0 V
脉冲测试
TA = 25°C
V
GS
= 0 V
I
D
= 1毫安
1.2
6
1.0
4
0.8
2
0
0
0.4
0.8
1.2
1.6
2
0.6
0.4
–75
–25
25
75
125
175
源极到漏极电压V
SD
(V)
沟道温度Tch （ ° C）
R07DS0049EJ0400 Rev.4.00
2010年7月22日
第4 6
RJK5003DPD
静态漏极至源极通态电阻与
通道温度（典型）
10
1
V
GS
= 10 V
7
I
D
= 2 A
5
脉冲测试
4
3
2
初步
门源截止电压主场迎战
通道温度（典型）
5.0
V
DS
= 10 V
I
D
= 1毫安
4.0
漏极到源极的国家阻抗R
DS （ ON）
(25°C)
漏极到源极的国家阻抗R
DS （ ON）
（T ° C）
门源截止电压V
GS （ OFF ）
(V)
3.0
10
0
7
5
4
3
2
2.0
1.0
10
–1
–75
–25
25
75
125
175
0
–75
–25
25
75
125
175
沟道温度Tch （ ° C）
沟道温度Tch （ ° C）
归瞬态热阻抗
γ
秒（ t）的
10
5
D=1
2
0.5
1
0.2
0.5
0.1
0.2
0.05
0.02
0.01
单脉冲
1m
0.1
100
μ
开关时间测量电路
ot
fo
R N重
co
EW M
德米
矽恩
GN
P
DM
D=
PW
T
PW
T
归瞬态热阻抗与脉冲宽度
10 m
100 m
1
10
脉冲宽度PW （S ）
N
开关波形
输入电压监视器
R
G
D.U.T.
R
L
VOUT
MONITOR
VIN
VOUT
V
DD
10%
10%
90%
10%
90%
TD （上）
tr
90%
TD （关闭）
tf
R07DS0049EJ0400 Rev.4.00
2010年7月22日
分页： 5 6
RJK5003DPD
硅N沟道功率MOS FET
高速电源开关使用
REJ03G0580-0200
Rev.2.00
2006年3月14日
特点
V
DSS
: 500 V
R
DS （ ON）
: 1.5
（ MAX 。 ）
I
D
: 5 A
表面贴装封装（ MP -3A ）
概要
瑞萨封装代码： PRSS0004ZA -A
（包名称： MP -3A ）
4
1.
2.
3.
4.
门
漏
来源
漏
2, 4
1
12
3
3
应用
照明镇流器，开关电源，等等。
最大额定值
（ TC = 25 ° C）
参数
漏源极电压
栅极至源极电压
漏电流
漏电流峰值
雪崩电流
散热通道
通道温度
储存温度
通道到外壳的热阻
注意：
符号
V
DSS
V
GSS
I
D
I
D（脉冲）注1
I
AP
PCH
总胆固醇
TSTG
θ
CH-C
评级
500
±30
5
20
5
62.5
150
-55到+150
2.0
单位
V
V
A
A
A
W
°C
°C
° C / W
渠道情况
条件
V
GS
= 0 V
V
DS
= 0 V
L = 200
H
1.脉冲宽度有限的安全工作区。
Rev.2.00,
2006年3月14日，
第1页6
RJK5003DPD
电气特性
（总胆固醇= 25 ℃）下
参数
漏源击穿电压
零栅极电压漏极电流
门源漏电流
门源截止电压
静态漏源导通状态
阻力
输入电容
输出电容
反向传输电容
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
体漏二极管的正向电压
注： 2.脉冲测试
符号
V
（ BR ） DSS
I
DSS
I
GSS
V
GS （ OFF ）
R
DS （ ON）
西塞
科斯
CRSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
V
DF
分钟。
500
—
—
3.0
—
—
—
—
—
—
—
—
—
典型值。
—
—
—
3.5
1.3
550
60
10
20
20
60
25
1.0
马克斯。
—
1
±0.1
4.0
1.5
—
—
—
—
—
—
—
1.5
单位
V
mA
A
V
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
V
测试条件
I
D
= 1毫安， V
GS
= 0 V
V
DS
= 500 V, V
GS
= 0 V
V
GS
=
±25
V, V
DS
= 0 V
I
D
= 1毫安， V
DS
= 10 V
I
D
= 2 A，V
GS
= 10 V
Note2
V
DS
= 25 V, V
GS
= 0 V,
F = 1 MHz的
V
DD
= 200 V，I
D
= 2 A,
V
GS
= 10 V
R
G
= 25
I
F
= 2 A，V
GS
= 0 V
Note2
Rev.2.00,
2006年3月14日，
第2 6
RJK5003DPD
性能曲线
功率与温度降额
70
100
PW
=
最大安全工作区
通道耗散P沟（W）的
60
漏电流I
D
(A)
50
40
30
20
10
0
10
10
0
s
10
s
1
DC
0.1
在这一领域是
限于由R
DS （ ON）
TC = 25°C
单脉冲
0
50
100
150
200
0.01
1
10
100
1000
壳温度（ ° C）
漏极至源极电压V
DS
(V)
典型的输出特性
10
TC = 25°C
脉冲测试
V
GS
= 20 V
10 V
5
典型的输出特性
V
GS
= 20 V
10 V
7V
5V
6V
漏电流I
D
(A)
P
DS
= 62.5 W
6V
6
漏电流I
D
(A)
8
7V
4
5V
3
TC = 25°C
脉冲测试
2
4
2
4V
0
0
4
8
12
16
20
1
4V
0
0
2
4
6
8
10
漏极至源极电压V
DS
(V)
漏极至源极电压V
DS
(V)
漏极至源极饱和电压与
门至源极电压（典型值）
漏极至源极饱和电压
V
DS （ ON）
(V)
漏极至源极导通电阻
R
DS （ ON）
()
20
TC = 25°C
脉冲测试
16
I
D
= 8 A
12
静态漏极至源极通态电阻与
漏电流（典型值）
4
TC = 25°C
脉冲测试
3.2
2.4
V
GS
= 10 V
1.6
0.8
20 V
8
5A
3A
4
0
0
4
8
12
16
20
0
10
–1
10
0
10
1
10
2
栅极至源极电压V
GS
(V)
漏电流I
D
(A)
Rev.2.00,
2006年3月14日，
第3页6
RJK5003DPD
电容与
漏极至源极电压（典型值）
10
3
西塞
传输特性（典型）
10
TC = 25°C
V
DS
= 10 V
8脉冲测试
漏电流I
D
(A)
电容（pF）
10
2
6
4
科斯
10
1
TCH = 25°C
F = 1 MHz的
V =0V
10
0 GS
10
0
10
1
CRSS
2
0
0
2
4
6
8
10
10
2
10
3
栅极至源极电压V
GS
(V)
漏极至源极电压V
DS
(V)
门源电压与
栅极电荷（典型值）
开关特性（典型）
TCH = 25°C
V
DD
= 200 V
V
GS
= 10 V
R
G
= 25
脉冲测试
栅极至源极电压V
GS
(V)
10
3
7
5
16
TCH = 25°C
I
D
= 5 A
12
V
DS
= 100 V
切换时间（纳秒）
3
2
10
2
7
5
3
2
10
1 0
10
TD （上）
200 V
8
400 V
TD （关闭）
tf
4
tr
2
3
5
7
10
1
0
0
4
8
12
16
20
24
漏电流I
D
(A)
反向漏电流 -
源极到漏极电压特性
（典型值）
10
V
GS
= 0 V
脉冲测试
TA = 25°C
栅极电荷Qg （ NC ）
漏源击穿电压V
（ BR ） DSS
（T ° C）
漏源击穿电压V
（ BR ） DSS
(25°C)
击穿电压VS.
通道温度（典型）
1.4
V
GS
= 0 V
I
D
= 1毫安
1.2
源电流我
DR
(A)
8
6
1.0
4
0.8
2
0
0
0.4
0.8
1.2
1.6
2
0.6
0.4
–75
–25
25
75
125
175
源极到漏极电压V
SD
(V)
沟道温度Tch （ ° C）
Rev.2.00,
2006年3月14日，
第4 6
RJK5003DPD
静态漏极至源极通态电阻与
通道温度（典型）
10
1
V
GS
= 10 V
7
I
D
= 2 A
5
脉冲测试
4
3
2
漏极到源极的国家阻抗R
DS （ ON）
(25°C)
漏极到源极的国家阻抗R
DS （ ON）
（T ° C）
门源截止电压V
GS （ OFF ）
(V)
门源截止电压主场迎战
通道温度（典型）
5.0
V
DS
= 10 V
I
D
= 1毫安
4.0
3.0
10
0
7
5
4
3
2
2.0
1.0
10
–1
–75
–25
25
75
125
175
0
–75
–25
25
75
125
175
沟道温度Tch （ ° C）
沟道温度Tch （ ° C）
瞬态热阻抗
θ
TH（ CH-C ） （ ° C / W）
瞬态热阻抗与脉冲宽度
10
1
7
5
3
2
D=1
0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
单脉冲
P
DM
PW
T
D=
PW
T
10
0
7
5
3
2
10
–1
10
–4
2 3 5710
–3
2 3 5 710
–2
2 3 5 7 10
–1
2 3 5 710
0
2 3 5 7 10
1
脉冲宽度PW （S ）
开关时间测量电路
开关波形
输入电压监视器
R
G
D.U.T.
R
L
VOUT
MONITOR
VIN
VOUT
V
DD
10%
10%
90%
10%
90%
TD （上）
tr
90%
TD （关闭）
tf
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2006年3月14日，
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