【初步数据表RJK5002DPD500V - 2.4A - MOS FET高速电源开关特点低通态电阻R】,IC型号RJK5002DPD,RJK5002DPD PDF资料,RJK5002DPD经销商,ic,电子元器件-51电子网

初步

数据表

RJK5002DPD

500V - 2.4A - MOS FET

高速电源开关

特点

低通态电阻

DS （ ON）

= 3.83

（典型值）。（在我

= 1.2 A，V

= 10 V ，TA = 25C ）

高速开关

R07DS0866EJ0100

Rev.1.00

2012年8月8日

概要

瑞萨封装代码： PRSS0004ZG -A

（包名称： MP -3A ）

门

漏

来源

漏

绝对最大额定值

（ TA = 25°C ）

项

漏源极电压

栅极至源极电压

漏电流

漏电流峰值

体漏二极管的反向漏电流

体漏二极管反向漏电流峰值

雪崩电流

散热通道

通道到外壳的热阻

通道温度

储存温度

注：1 。

由总胆固醇最大限制。

脉冲宽度有限的安全工作区。

STCH = 25C ，总胆固醇

150C

在Tc值= 25°C

符号

DSS

GSS

注1

D（脉冲）注2

DR注1

DR （脉冲）注2

注3 AP

PCH

Note4

θch -C

总胆固醇

TSTG

价值

500

2.4

4.8

2.4

4.8

2.4

4.17

150

-55到+150

单位

° C / W

R07DS0866EJ0100 Rev.1.00

2012年8月8日

第1页6

RJK5002DPD

初步

电气特性

（ TA = 25°C ）

项

漏源击穿

电压

零栅极电压漏极电流

门源漏电流

门源截止电压

静态漏源导通状态

阻力

输入电容

输出电容

反向传输电容

导通延迟时间

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

总栅极电荷

门源费

栅漏电荷

体漏二极管的正向电压

体漏二极管反向恢复

时间

注意：

符号

（ BR ） DSS

DSS

GSS

GS （ OFF ）

DS （ ON）

西塞

科斯

CRSS

D（上）

D（关闭）

QGS

QGD

民

500

—

3.5

—

典型值

—

3.83

165

2.6

6.7

1.3

3.8

0.9

235

最大

—

0.1

4.5

5.00

—

1.5

—

单位

测试条件

= 10 mA时， V

= 0

= 500 V, V

= 0

V, V

= 0

= 10 V，I

= 1毫安

= 1.2 A，V

= 10 V

Note5

= 25 V

= 0

F = 1 MHz的

= 1.2 A

= 10 V

= 208

RG = 10

= 400 V

= 10 V

= 2.4 A

= 2.4 A，V

= 0

Note5

= 2.4 A，V

= 0

= 400 V

/ DT = 100 A / μs的

5.脉冲测试

6.由于该设备配备有高电压场效应晶体管芯片（Ⅴ

DSS

500

V）中，高电压可以被提供。

因此，请务必确认约漏极终端和其他终端之间的放电。

7.本设备对静电放电很敏感。

建议处理该产品时采取适当的注意事项。

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第2 6

RJK5002DPD

初步

主要特点

最高安全工作区

100

TA = 25°C

脉冲测试

10 V

5.8 V

5.4 V

典型的输出特性

(A)

漏电流

0.1

0.01

操作在此

区域由限定

DS （ ON）

TC = 25°C

1次射门

100

1000

= 5 V

0.001

0.1

漏源极电压

(V)

漏源极电压

(V)

典型的传输特性

漏极至源极导通电阻

DS （ ON）

(Ω)

= 10 V

脉冲测试

静态漏极至源极通态电阻

与漏电流（典型值）

100

= 10 V

TA = 25°C

脉冲测试

漏电流

(A)

0.1

TA = 75℃

25°C

0.01

0.001

0.1

栅极至源极电压

(V)

漏电流

(A)

静态漏极至源极通态电阻

DS （ ON）

(Ω)

静态漏极至源极通态电阻

- 温度曲线（典型）

= 10 V

TA = 25°C

脉冲测试

1000

体漏二极管的反向

恢复时间（典型）

反向恢复时间trr （ NS ）

= 2.4 A

100

1.2 A

0.6 A

的di / dt = 100 A / μs的

= 0 ， TA = 25℃

100 125 150

外壳温度

TC （ ℃）

反向漏电流

(A)

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第3页6

RJK5002DPD

典型的电容比。

漏源极电压

(V)

1000

= 0

F = 1 MHz的

TA = 25°C

西塞

100

初步

动态输入特性（典型）

= 2.4 A

TA = 25°C

电容C （PF ）

600

漏源极电压

400

科斯

= 100 V

250 V 8

400 V

200

CRSS

100

150

200

250

= 400 V

250 V

100 V

漏源极电压

(V)

栅极电荷

QG （ NC ）

反向漏电流 -

源极到漏极电压（典型值）

门源截止电压

与外壳温度（典型）

(A)

门源截止电压

GS （ OFF ）

(V)

= 10毫安

1毫安

= 10 V

100 125 150

反向漏电流

0.4

0.8

1.2

= 0

TA = 25°C

脉冲测试

1.6

2.0

0.1毫安

源极到漏极电压

(V)

外壳温度

TC （ ℃）

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第4 6

栅极至源极电压

(V)

800

RJK5002DPD

归瞬态热阻抗与脉冲宽度

归瞬态热阻抗

秒（ t）的

TC = 25°C

初步

D=1

0.5

0.2

0.1

0.02

0.05

CH - C （ T） =

S（ T）

CH - C

CH - C = 4.17 ° C / W ，TC = 25°C

10 m

100 m

100

0.01

1SHOT脉冲

0.01

100

脉冲宽度

PW （S ）

开关时间测试电路

输入电压监视器

D.U.T.

VIN

10 V

= 250 V

VIN

VOUT

10%

VOUT

MONITOR

波形

90%

10%

90%

TD （上）

90%

TD （关闭）

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分页： 5 6

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