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初步

数据表

RJK4002DPH-E0

400V - 3A - MOS FET

高速电源开关

特点

低通态电阻

R

DS （ ON）

= 2.4

（典型值）。（在我

D

= 1.5 A，V

GS

= 10 V ，TA = 25C ）

低驱动电流

高速开关

R07DS1037EJ0100

Rev.1.00

2013年3月18日

概要

瑞萨封装代码： PRSS0004ZJ -B

（包名称： TO- 251 ）

4

1.

2.

3.

4.

门

漏

来源

漏

D

G

12

3

S

绝对最大额定值

（ TA = 25°C ）

项

漏源极电压

栅极至源极电压

漏电流

漏电流峰值

体漏二极管的反向漏电流

体漏二极管反向漏电流峰值

雪崩电流

雪崩能量

散热通道

通道到外壳的热阻

通道温度

储存温度

注意事项： 1，脉冲宽度有限的安全工作区。

2. STCH = 25C ，总胆固醇

150C

3.价值在Tc = 25℃

符号

V

DSS

V

GSS

I

D

I

D（脉冲）注1

I

DR

I

DR （脉冲）注1

I

AP注2

E

AR注2

PCH

Note3

θch -C

总胆固醇

TSTG

价值

400

30

3

6

3

6

2.5

0.357

30

4.17

150

-55到+150

单位

V

V

A

A

A

A

A

mJ

W

° C / W

C

C

R07DS1037EJ0100 Rev.1.00

2013年3月18日

第1页6

RJK4002DPH-E0

初步

电气特性

（ TA = 25°C ）

项

漏源击穿电压

零栅极电压漏极电流

门源漏电流

门源截止电压

静态漏极至源极通态电阻

输入电容

输出电容

反向传输电容

导通延迟时间

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

总栅极电荷

门源费

栅漏电荷

体漏二极管的正向电压

体漏二极管的反向恢复时间

注意：

符号

V

（ BR ） DSS

I

DSS

I

GSS

V

GS （ OFF ）

R

DS （ ON）

西塞

科斯

CRSS

t

D（上）

t

r

t

D（关闭）

t

f

Qg

QGS

QGD

V

DF

t

rr

民

400

—

—

3.5

—

—

—

—

—

—

—

—

—

—

—

—

—

典型值

—

—

—

—

2.4

165

25

2.6

11

12

23

20

6.0

1.2

3.4

0.9

200

最大

—

1

0.1

4.5

2.9

—

—

—

—

—

—

—

—

—

—

1.5

—

单位

V

A

A

V

pF

pF

pF

ns

ns

ns

ns

nC

nC

nC

V

ns

测试条件

I

D

= 1毫安， V

GS

= 0

V

DS

= 400 V, V

GS

= 0

V

GS

=

30

V, V

DS

= 0

V

DS

= 10 V，I

D

= 1毫安

I

D

= 1.5 A，V

GS

= 10 V

注4

V

DS

= 25 V

V

GS

= 0

F = 1 MHz的

I

D

= 1.5 A

V

GS

= 10 V

R

L

= 133

RG = 10

V

DD

= 320 V

V

GS

= 10 V

I

D

= 3 A

I

F

= 3 A，V

GS

= 0

注4

I

F

= 3 A，V

GS

= 0

di

F

/ DT = 100 A / μs的

4.脉冲测试

5.此设备是静电放电敏感。

建议处理该产品时采取适当的注意事项。

R07DS1037EJ0100 Rev.1.00

2013年3月18日

第2 6

RJK4002DPH-E0

初步

主要特点

最高安全工作区

100

10

PW

=

典型的输出特性

5

TA = 25°C

脉冲测试

6.2 V

7V

10 V

6V

3

5.8 V

5.6 V

5.4 V

1

0

0

4

8

12

16

20

5.2 V

V

GS

= 5 V

6.4 V

I

D

(A)

漏电流

I

D

(A)

10

μ

s

4

1

10

漏电流

0

μ

s

0.1

0.01

操作在此

区域由限定

R

DS （ ON）

TC = 25°C

1次射门

1

10

100

1000

2

0.001

0.1

漏源极电压

V

DS

(V)

漏源极电压

V

DS

(V)

典型的传输特性

V

DS

= 10 V

脉冲测试

1

静态漏极至源极通态电阻

与漏电流（典型值）

漏极至源极导通电阻

R

DS （ ON）

(Ω)

10

10

漏电流

I

D

(A)

0.1

TC = 75℃

25°C

25°C

1

0.01

V

GS

= 10 V

TA = 25°C

脉冲测试

0.1

0.1

1

10

0.001

0

2

4

6

8

栅极至源极电压

V

GS

(V)

漏电流

I

D

(A)

静态漏极至源极通态电阻

R

DS （ ON）

(Ω)

静态漏极至源极通态电阻

- 温度曲线（典型）

10

V

GS

= 10 V

TA = 25°C

脉冲测试

1000

体漏二极管的反向

恢复时间（典型）

反向恢复时间trr （ NS ）

8

6

I

D

= 3 A

100

4

1.5 A

2

0

25

的di / dt = 100 A /

μs

V

GS

= 0 ， TA = 25℃

10

0.1

1

10

0

25

50

75

100 125 150

外壳温度

TC （ ℃）

反向漏电流

I

DR

(A)

R07DS1037EJ0100 Rev.1.00

2013年3月18日

第3页6

RJK4002DPH-E0

典型的电容比。

漏源极电压

V

DS

(V)

1000

V

GS

= 0

F = 1 MHz的

初步

动态输入特性（典型）

I

D

= 3 A

TA = 25°C

电容C （PF ）

西塞

100

600

12

V

DD

= 100 V

200 V 8

320 V

漏源极电压

400

V

DS

10

科斯

200

CRSS

TC = 25°C

1

0

40

80

120

160

200

V

DD

= 320 V

200 V

100 V

2

4

6

8

4

0

0

0

10

漏源极电压

V

DS

(V)

栅极电荷

QG （ NC ）

反向漏电流 -

源极到漏极电压（典型值）

5

5.0

门源截止电压

与外壳温度（典型）

I

DR

(A)

门源截止电压

V

GS （ OFF ）

(V)

4

V

GS

= 0

TA = 25°C

脉冲测试

4.5

4.0

3.5

1毫安

3.0

2.5

V

DS

= 10 V

2.0

-25

0

25

I

D

= 10毫安

反向漏电流

3

2

1

0

0

0.4

0.8

1.2

1.6

2.0

0.1毫安

50

75

100 125 150

源极到漏极电压

V

SD

(V)

外壳温度

TC （ ℃）

R07DS1037EJ0100 Rev.1.00

2013年3月18日

第4 6

栅极至源极电压

V

GS

(V)

800

V

GS

16

RJK4002DPH-E0

归瞬态热阻抗与脉冲宽度

归瞬态热阻抗

γ

秒（ t）的

10

TC = 25°C

初步

1

D=1

0.5

0.2

0.1

0.1

0.05

2

0.0

1

0.0

吨PU

ho

1s

θ

CH - C （ T） =

γ

S（ T）

θ

CH - C

θ

CH - C = 4.17 ° C / W ，TC = 25°C

P

DM

LSE

D=

PW

T

PW

T

0.01

10

μ

100

μ

1m

10 m

100 m

1

10

100

脉冲宽度

PW （S ）

开关时间测试电路

输入电压监视器

D.U.T.

R

L

10

Ω

VIN

10 V

V

DD

= 200 V

VIN

VOUT

10%

10%

VOUT

MONITOR

波形

90%

10%

90%

TD （上）

tr

90%

TD （关闭）

tf

R07DS1037EJ0100 Rev.1.00

2013年3月18日

分页： 5 6

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