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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符R型号页 > 首字符R的型号第252页 > RJK2508DPK
初步
数据表
RJK2508DPK
硅N沟道MOS FET
高速电源开关
特点
低导通电阻
低漏电流
高速开关
REJ03G0508-0300
Rev.3.00
2010年6月30日
概要
PRSS0004ZE-A
（以前的代码： TO- 3P ）
D
G
1.门
2.漏（法兰）
3.源
S
1
2
3
绝对最大额定值
（ TA = 25°C ）
项
漏源极电压
栅极至源极电压
漏电流
漏电流峰值
体漏二极管的反向漏电流
体漏二极管反向漏电流峰值
雪崩电流
雪崩能量
散热通道
通道到外壳的热阻
通道温度
储存温度
注意事项： 1， PW
10
s,
占空比
1%
2.价值在Tc = 25℃
3. STCH = 25 ° C，总胆固醇
150C
符号
V
DSS
V
GSS
I
D
I
D（脉冲）注1
I
DR
I
DR （脉冲）注1
I
APNote3
E
ARNote3
PCH
Note2
θch -C
总胆固醇
TSTG
评级
250
±30
50
100
50
100
17
18.0
150
0.833
150
-55到+150
单位
V
V
A
A
A
A
A
mJ
W
° C / W
C
C
REJ03G0508-0300 Rev.3.00
2010年6月30日
第1页6
RJK2508DPK
初步
电气特性
（ TA = 25°C ）
项
漏源击穿电压
零栅极电压漏极电流
门源漏电流
门源截止电压
正向转移导纳
静态漏源导通状态
阻力
输入电容
输出电容
反向传输电容
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
总栅极电荷
门源费
栅漏电荷
体漏二极管的正向电压
体漏二极管的反向恢复时间
体漏二极管反向恢复
收费
注： 4.脉冲测试
符号
V
（ BR ） DSS
I
DSS
I
GSS
V
GS （ OFF ）
| YFS |
R
DS （ ON）
西塞
科斯
CRSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
Qg
QGS
QGD
V
DF
TRR
QRR
民
250
—
—
3.0
19
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
典型值
—
—
—
—
32
0.056
2600
370
43
40
210
110
145
60
15
26
1.0
180
1.2
最大
—
1
±0.1
4.5
—
0.064
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
1.5
—
—
单位
V
A
A
V
S
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
V
ns
C
测试条件
I
D
= 10 mA时， V
GS
= 0
V
DS
= 250 V, V
GS
= 0
V
GS
=
30
V, V
DS
= 0
V
DS
= 10 V，I
D
= 1毫安
I
D
= 25 A，V
DS
= 10 V
Note4
I
D
= 25 A，V
GS
= 10 V
Note4
V
DS
= 25 V
V
GS
= 0
F = 1 MHz的
I
D
= 25 A
V
GS
= 10 V
R
L
= 5
RG = 10
V
DD
= 200 V
V
GS
= 10 V
I
D
= 50 A
I
F
= 50 A，V
GS
= 0
Note4
I
F
= 50 A，V
GS
= 0
DIF / DT = 100 A / μs的
REJ03G0508-0300 Rev.3.00
2010年6月30日
第2 6
RJK2508DPK
初步
主要特点
功率与温度降额
200
P沟（W）的
最高安全工作区
1000
300
150
I
D
(A)
100
30
10
3
1
0.3
0.1
0.03
这个区域是
0.01
限于由R
DS （ ON）
0.003
TA = 25°C
0.001
0.1 0.3
1
10
10
μ
PW
0
μ
s
(1 =
s
SH 1米
OT ）
s
散热通道
100
漏电流
50
操作
0
50
100
150
TC （ ℃）
200
3
10
30
100 300 1000
外壳温度
漏源极电压
V
DS
(V)
典型的输出特性
100
脉冲测试
8.5 V
10 V
8V
7.5 V
80
7V
60
6.5 V
40
6V
20
5.5 V
V
GS
= 5 V
0
4
8
12
漏源极电压
16
20
V
DS
(V)
0
I
D
(A)
典型的传输特性
100
V
DS
= 10 V
脉冲测试
I
D
(A)
80
60
漏电流
漏电流
40
20
75°C
25°C
TC =
25°C
8
10
V
GS
(V)
2
4
6
栅极至源极电压
漏极至源极饱和电压与
栅极至源极电压
8
漏极至源极饱和电压
V
DS （ ON）
(V)
漏极至源极导通电阻
R
DS （ ON）
(Ω)
脉冲测试
静态漏极至源极通态电阻
与漏电流
1
V
GS
= 10 V
0.5
6
0.2
0.1
0.05
4
I
D
= 50 A
2
25 A
10 A
0.00
0.01
1
3
脉冲测试
10
30
100 300
漏电流I
D
(A)
1000
0
12
4
8
栅极至源极电压
16
20
V
GS
(V)
REJ03G0508-0300 Rev.3.00
2010年6月30日
第3页6
RJK2508DPK
静态漏极至源极通态电阻
与温度的关系
0.2
脉冲测试
0.16
I
D
= 50 A
初步
正向转移导纳主场迎战
漏电流
正向转移导纳| YFS | （ S）
静态漏极至源极通态电阻
R
DS （ ON）
(Ω)
100
TC =
25°C
30
10
75°C
3
1
0.3
0.1
0.1
25°C
0.12
25 A
0.08
10 A
0.04
0
25
V
GS
= 10 V
0
25 50 75
外壳温度
100 125 150
TC （ ℃）
V
DS
= 10 V
脉冲测试
0.3
1
3
10
I
D
(A)
30
100
漏电流
1000
反向恢复时间trr （ NS ）
体漏二极管的反向
恢复时间
100000
典型的电容比。
漏源极电压
V
GS
= 0
30000
F = 1 MHz的
10000
3000
1000
300
100
30
10
500
电容C （PF ）
200
100
50
20
10
5
2
1
1
的di / dt = 100 A /
μs
V
GS
= 0 ， TA = 25℃
3
10
30
100 300 1000
反向漏电流I
DR
(A)
动态输入特性
400
16
V
DD
= 200 V
100 V
50 V
V
DS
V
GS
12
V
GS
(V)
西塞
科斯
CRSS
0
50
100
150
漏极至源极电压V
DS
(V)
开关特性
V
GS
= 10 V, V
DD
= 125 V
PW = 5
μs,
值班< 1 ％
RG = 10
Ω
tf
10000
V
DS
(V)
I
D
= 50 A
300
开关时间t（ NS ）
tr
漏源极电压
栅极至源极电压
1000
200
8
tf
TD （关闭）
100
TD （上）
tr
10
0.1
0.3
1
3
漏电流
10
30
I
D
(A)
100
100
V
DD
= 200 V
100 V
50 V
20
40
60
80
4
0
0
100
栅极电荷
QG （ NC ）
REJ03G0508-0300 Rev.3.00
2010年6月30日
第4 6
RJK2508DPK
反向漏电流 -
源极到漏极电压
100
5
脉冲测试
门源截止电压
与外壳温度
I
D
= 10毫安
4
1毫安
初步
I
DR
(A)
80
60
反向漏电流
门源截止电压
V
GS （ OFF ）
(V)
3
0.1毫安
40
10 V
5V
2
20
V
GS
= 0 V
1
V
DS
= 10 V
0
-25 0
25
0
0.4
0.8
1.2
1.6
V
SD
(V)
2.0
50
75
100 125 150
TC （ ℃）
源极到漏极电压
外壳温度
归瞬态热阻抗与脉冲宽度
归瞬态热阻抗
γ
秒（ t）的
3
TC = 25°C
1
D=1
0.5
0.3
0.2
0.1
0.1
0.05
θ
CH - C （ T） =
γ
S（ T）
θ
CH - C
θ
CH - C = 0.833 ° C / W ，TC = 25°C
PDM
D=
PW
T
0.03
0.02
1
0.0
1s
PW
T
LSE
pu
t
ho
0.01
10
μ
100
μ
1m
10 m
100 m
脉冲宽度PW （S ）
1
10
开关时间测试电路
输入电压监视器
D.U.T.
R
L
10Ω
VIN
10 V
V
DD
= 125 V
VIN
VOUT
10%
10%
VOUT
MONITOR
波形
90%
10%
90%
TD （关闭）
t
f
90%
TD （上）
tr
REJ03G0508-0300 Rev.3.00
2010年6月30日
分页： 5 6
RJK2508DPK
硅N沟道MOS FET
高速电源开关
REJ03G0508-0200
Rev.2.00
Feb.10.2005
特点
低导通电阻
低漏电流
高速开关
概要
PRSS0004ZE-A
（以前的代码： TO- 3P ）
D
G
1.门
2.漏（法兰）
3.源
S
1
2
3
绝对最大额定值
（ TA = 25°C ）
项
漏源极电压
栅极至源极电压
漏电流
漏电流峰值
体漏二极管的反向漏电流
体漏二极管反向漏电流峰值
雪崩电流
雪崩能量
散热通道
通道到外壳的热阻
通道温度
储存温度
注意事项： 1， PW
≤
10
s,
占空比
≤
1%
2.价值在Tc = 25℃
3. STCH = 25 ° C，总胆固醇
≤
150°C
符号
V
DSS
V
GSS
I
D
I
D（脉冲）注1
I
DR
I
DR （脉冲）注1
I
APNote3
E
ARNote3
PCH
Note2
θch -C
总胆固醇
TSTG
评级
250
±30
50
100
50
100
17
18.0
150
0.833
150
-55到+150
单位
V
V
A
A
A
A
A
mJ
W
° C / W
°C
°C
Rev.2.00 Feb.10.2005第1页6
RJK2508DPK
电气特性
（ TA = 25°C ）
项
漏源击穿电压
零栅极电压漏极电流
门源漏电流
门源截止电压
正向转移导纳
静态漏源导通状态
阻力
输入电容
输出电容
反向传输电容
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
总栅极电荷
门源费
栅漏电荷
体漏二极管的正向电压
体漏二极管的反向恢复时间
体漏二极管反向恢复
收费
注： 4.脉冲测试
符号
V
（ BR ） DSS
I
DSS
I
GSS
V
GS （ OFF ）
| YFS |
R
DS （ ON）
西塞
科斯
CRSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
Qg
QGS
QGD
V
DF
TRR
QRR
民
250
—
—
3.0
19
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
典型值
—
—
—
—
32
0.056
2600
370
43
40
210
110
145
60
15
26
1.0
180
1.2
最大
—
1
±0.1
4.5
—
0.064
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
1.5
—
—
单位
V
A
A
V
S
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
V
ns
C
测试条件
I
D
= 10 mA时， V
GS
= 0
V
DS
= 250 V, V
GS
= 0
V
GS
=
±30
V, V
DS
= 0
V
DS
= 10 V，I
D
= 1毫安
I
D
= 25 A，V
DS
= 10 V
Note4
I
D
= 25 A，V
GS
= 10 V
Note4
V
DS
= 25 V
V
GS
= 0
F = 1 MHz的
I
D
= 25 A
V
GS
= 10 V
R
L
= 5
RG = 10
V
DD
= 200 V
V
GS
= 10 V
I
D
= 50 A
I
F
= 50 A，V
GS
= 0
Note4
I
F
= 50 A，V
GS
= 0
DIF / DT = 100 A / μs的
Rev.2.00 Feb.10.2005页2 6
RJK2508DPK
主要特点
功率与温度降额
200
P沟（W）的
最高安全工作区
1000
300
150
I
D
(A)
100
30
10
3
1
0.3
0.1
10
1 m
100
s
s
s
散热通道
100
漏电流
直流操作
（ TC = 25 ° C）
PW = 10毫秒（ 1SHOT ）
操作
50
0.03
这个区域是
0.01
限于由R
DS （ ON）
0.003
TA = 25°C
0.001
0.1 0.3
1
0
50
100
150
TC （ ℃）
200
3
10
30
100 300 1000
外壳温度
漏源极电压
V
DS
(V)
典型的输出特性
100
脉冲测试
8.5 V
10 V
8V
7.5 V
80
7V
60
6.5 V
40
6V
20
5.5 V
V
GS
= 5 V
0
4
8
12
漏源极电压
16
20
V
DS
(V)
0
I
D
(A)
典型的传输特性
100
V
DS
= 10 V
脉冲测试
I
D
(A)
80
60
漏电流
漏电流
40
20
75°C
25°C
TC =
25°C
8
10
V
GS
(V)
2
4
6
栅极至源极电压
漏极至源极饱和电压与
栅极至源极电压
8
漏极至源极饱和电压
V
DS （ ON）
(V)
漏极至源极导通电阻
R
DS （ ON）
()
脉冲测试
静态漏极至源极通态电阻
与漏电流
1
V
GS
= 10 V
0.5
6
0.2
0.1
0.05
4
I
D
= 50 A
2
25 A
10 A
0.00
0.01
1
3
脉冲测试
10
30
100 300
漏电流I
D
(A)
1000
0
12
4
8
栅极至源极电压
16
20
V
GS
(V)
Rev.2.00 Feb.10.2005第3页6
RJK2508DPK
静态漏极至源极通态电阻
与温度的关系
0.2
脉冲测试
0.16
I
D
= 50 A
正向转移导纳主场迎战
漏电流
正向转移导纳| YFS | （ S）
静态漏极至源极通态电阻
R
DS （ ON）
()
100
TC =
25°C
30
10
75°C
3
1
0.3
0.1
0.1
25°C
0.12
25 A
0.08
10 A
0.04
0
25
V
GS
= 10 V
0
25
50
75
100 125 150
TC （ ℃）
外壳温度
V
DS
= 10 V
脉冲测试
0.3
1
3
10
I
D
(A)
30
100
漏电流
1000
反向恢复时间trr （ NS ）
体漏二极管的反向
恢复时间
100000
典型的电容比。
漏源极电压
V
GS
= 0
30000
F = 1 MHz的
10000
3000
1000
300
100
30
10
500
电容C （PF ）
200
100
50
20
10
5
2
1
1
的di / dt = 100 A /
s
V
GS
= 0 ， TA = 25℃
3
10
30
100 300 1000
反向漏电流I
DR
(A)
动态输入特性
400
16
V
DD
= 200 V
100 V
50 V
V
DS
V
GS
12
V
GS
(V)
西塞
科斯
CRSS
0
50
100
150
漏极至源极电压V
DS
(V)
开关特性
V
GS
= 10 V, V
DD
= 125 V
PW = 5
s,
值班< 1 ％
RG = 10
tf
10000
V
DS
(V)
I
D
= 50 A
300
开关时间t（ NS ）
tr
漏源极电压
栅极至源极电压
1000
200
8
tf
TD （关闭）
100
TD （上）
tr
10
0.1
0.3
1
3
漏电流
10
30
I
D
(A)
100
100
V
DD
= 200 V
100 V
50 V
20
40
60
80
4
0
0
100
栅极电荷
QG （ NC ）
Rev.2.00 Feb.10.2005页4 6
RJK2508DPK
反向漏电流 -
源极到漏极电压
100
5
脉冲测试
门源截止电压
与外壳温度
I
D
= 10毫安
4
1毫安
I
DR
(A)
80
60
反向漏电流
门源截止电压
V
GS （ OFF ）
(V)
3
0.1毫安
40
10 V
5V
2
20
V
GS
= 0 V
1
V
DS
= 10 V
0
-25 0
25
0
0.4
0.8
1.2
1.6
V
SD
(V)
2.0
50
75
100 125 150
TC （ ℃）
源极到漏极电压
外壳温度
归瞬态热阻抗与脉冲宽度
归瞬态热阻抗
γ
秒（ t）的
3
TC = 25°C
1
D=1
0.5
0.3
0.2
0.1
0.1
0.05
θ
CH - C （ T） =
γ
S（ T）
θ
CH - C
θ
CH - C = 0.833 ° C / W ，TC = 25°C
PDM
D=
PW
T
0.03
0.02
1
0.0
1s
PW
T
u
tp
ho
LSE
0.01
10
100
1m
10 m
100 m
脉冲宽度PW （S ）
1
10
开关时间测试电路
输入电压监视器
D.U.T.
R
L
10
VIN
10 V
V
DD
= 125 V
VIN
VOUT
10%
10%
VOUT
MONITOR
波形
90%
10%
90%
TD （关闭）
t
f
90%
TD （上）
tr
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