RJK2017DPE
硅N沟道MOS FET
高速电源开关
REJ03G1589-0400
Rev.4.00
2009年12月2日
特点
低导通电阻
R
DS （ ON）
= 0.036
Ω
（典型值） 。 （在我
D
= 22.5 A，V
GS
= 10 V ， TA = 25
°C)
低漏电流
高速开关
概要
瑞萨封装代码： PRSS0004AE -B
（包名称： LDPAK （ S） - （ 1 ） ）
D
4
1.门
2.漏
3.源
4.漏
1
G
2
3
S
绝对最大额定值
（ TA = 25°C ）
项
漏源极电压
栅极至源极电压
漏电流
漏电流峰值
体漏二极管的反向漏电流
体漏二极管反向漏电流峰值
雪崩电流
雪崩能量
散热通道
通道到外壳的热阻
通道温度
储存温度
注意事项： 1， PW
≤
10
μs,
占空比
≤
1%
2.价值在Tc = 25℃
3. STCH = 25 ° C，总胆固醇
≤
150°C
符号
V
DSS
V
GSS
I
D
I
D（脉冲）注1
I
DR
I
DR （脉冲）注1
I
APNote3
E
AR注3
PCH
Note2
θch -C
总胆固醇
TSTG
评级
200
±30
45
135
45
135
12
9.6
100
1.25
150
-55到+150
单位
V
V
A
A
A
A
A
mJ
W
° C / W
°C
°C
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电气特性
（ TA = 25°C ）
项
漏源击穿电压
零栅极电压漏极电流
门源漏电流
门源截止电压
静态漏源导通状态
阻力
输入电容
输出电容
反向传输电容
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
总栅极电荷
门源费
栅漏电荷
体漏二极管的正向电压
体漏二极管的反向恢复时间
注： 4.脉冲测试
符号
V
（ BR ） DSS
I
DSS
I
GSS
V
GS （ OFF ）
R
DS （ ON）
西塞
科斯
CRSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
Qg
QGS
QGD
V
DF
t
rr
民
200
—
—
2
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
典型值
—
—
—
—
0.036
4800
290
90
50
40
95
40
66
26
16
0.88
150
最大
—
1
±1
4
0.047
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
1.35
—
单位
V
μA
μA
V
Ω
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
V
ns
测试条件
I
D
= 10 mA时， V
GS
= 0
V
DS
= 200 V, V
GS
= 0
V
GS
=
±30
V, V
DS
= 0
V
DS
= 10 V，I
D
= 1毫安
I
D
= 22.5 A，V
GS
= 10 V
Note4
V
DS
= 25 V
V
GS
= 0
F = 1 MHz的
I
D
= 22.5 A
V
GS
= 10 V
R
L
= 4.5
Ω
RG = 10
Ω
V
DD
= 160 V
V
GS
= 10 V
I
D
= 45 A
I
F
= 45 A，V
GS
= 0
Note4
I
F
= 45 A，V
GS
= 0
di
F
/ DT = 100 A / μs的
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主要特点
最高安全工作区
1000
10
=
10
0
典型的输出特性
100
10 V
7V
6.5 V
脉冲测试
TA = 25°C
6V
漏电流I
D
(A)
PW
10
μ
s
I
D
(A)
漏电流
100
μ
s
80
60
1
操作在此
区域由限定
R
DS （ ON）
TC = 25°C
1次射门
40
5.5 V
20
0.1
5V
V
GS
= 4.5 V
4
8
12
16
20
0.01
0.1
1
10
100
1000
0
漏极至源极电压V
DS
(V)
漏源极电压
V
DS
(V)
典型的传输特性
漏极至源极导通电阻
R
DS （ ON）
(Ω)
100
V
DS
= 10 V
脉冲测试
静态漏极至源极通态电阻
与漏电流（典型值）
1
V
GS
= 10 V
TA = 25°C
脉冲测试
漏电流I
D
(A)
10
0.1
TC = 75℃
1
25°C
25°C
0.1
0
2
4
6
8
10
0.01
1
10
100
栅极至源极电压V
GS
(V)
静态漏极至源极通态电阻
- 温度曲线（典型）
0.25
V
GS
= 10 V
脉冲测试
1000
漏电流
I
D
(A)
静态漏极至源极通态电阻
R
DS （ ON）
(Ω)
体漏二极管的反向
恢复时间（典型）
反向恢复时间trr （ NS ）
0.20
0.15
22.5 A
0.10
I
D
= 45 A
12.5 A
100
0.05
的di / dt = 100 A /
μs
V
GS
= 0 ， TA = 25℃
10
0.1
1
10
100
1000
0
-25
0
25
50
75
100 125 150
外壳温度
TC （ ℃）
反向漏电流
I
DR
(A)
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典型的电容比。
漏源极电压
10000
动态输入特性（典型）
漏极至源极电压V
DS
(V)
栅极至源极电压V
GS
(V)
400
I
D
= 45 A
TA = 25°C
V
DD
= 50 V
100 V
160 V
V
GS
16
西塞
电容C （PF ）
300
12
1000
科斯
100
V
GS
= 0
F = 1 MHz的
TA = 25°C
10
0
20
40
60
80
CRSS
200 V
DS
8
100
V
DD
= 160 V
100 V
50 V
20
40
60
80
4
100
0
0
100
漏源极电压
V
DS
(V)
栅极电荷Qg （ NC ）
反向漏电流 -
源极到漏极电压（典型值）
100
5
门源截止电压
与外壳温度（典型）
V
DS
= 10 V
反向漏电流I
DR
(A)
门源截止电压
V
GS （ OFF ）
(V)
V
GS
= 0 V
TA = 25°C
80脉冲测试
4
I
D
= 10毫安
3
1毫安
60
40
20
2
0.1毫安
1
0
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
0
-25
0
25
50
75
100 125 150
源极到漏极电压V
SD
(V)
壳温度（ ° C）
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归瞬态热阻抗与脉冲宽度
归瞬态热阻抗
γ
秒（ t）的
3
TC = 25°C
1
D=1
0.5
0.3
0.2
0.1
0.1
θch
- C （T ） =
γs
(t)
θch
– c
θch
- C = 1.25 ° C / W ，TC = 25°C
P
DM
PW
T
1m
10 m
100 m
1
10
D=
PW
T
0.05
0.03
0.02
1
e
0.0
PULS
ot
sh
1
100
μ
0.01
10
μ
脉冲宽度
PW （S ）
开关时间测试电路
输入电压监视器
D.U.T.
R
L
10
Ω
VIN
10 V
V
DD
= 100 V
VIN
VOUT
10%
10%
VOUT
MONITOR
波形
90%
10%
90%
TD （上）
tr
90%
TD （关闭）
tf
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第5
6
QQ：2881677436 复制
