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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符R型号页 > 首字符R的型号第52页 > RJK1560DPP-M0
初步
数据表
RJK1560DPP-M0
硅N沟道MOS FET
高速电源开关
特点
能够2.5 V门极驱动
低导通电阻
R
DS （ ON）
= 0.043
（典型值） 。 （在我
D
= 10 A，V
GS
= 4 V， TA = 25 ° C）
低漏电流
高速开关
R07DS0270EJ0100
Rev.1.00
2011年3月7日
概要
瑞萨封装代码： PRSS0003AF -A
（包名称： TO- 220FL ）
D
G
1.门
2.漏
3.源
1
2 3
S
绝对最大额定值
（ TA = 25°C ）
项
漏源极电压
栅极至源极电压
漏电流
漏电流峰值
体漏二极管的反向漏电流
体漏二极管反向漏电流峰值
雪崩电流
雪崩能量
散热通道
通道到外壳的热阻
通道温度
储存温度
注意事项： 1， PW
10
s,
占空比
1%
2.价值在Tc = 25℃
3. STCH = 25 ° C，总胆固醇
150C
符号
V
DSS
V
GSS
I
D
I
D（脉冲）注1
I
DR
I
DR （脉冲）注1
I
注3 AP
E
AR注3
PCH
Note2
θch -C
总胆固醇
TSTG
评级
150
±10
20
80
20
80
16
19.2
28.5
4.38
150
-55到+150
单位
V
V
A
A
A
A
A
mJ
W
° C / W
C
C
R07DS0270EJ0100 Rev.1.00
2011年3月7日
第1页6
RJK1560DPP-M0
初步
电气特性
（ TA = 25°C ）
项
漏源击穿电压
栅源击穿电压
零栅极电压漏极电流
门源漏电流
门源截止电压
静态漏源导通状态
阻力
输入电容
输出电容
反向传输电容
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
总栅极电荷
门源费
栅漏电荷
体漏二极管的正向电压
体漏二极管的反向恢复时间
注： 4.脉冲测试
符号
V
（ BR ） DSS
V
（ BR ） GSS
I
DSS
I
GSS
V
GS （ OFF ）
R
DS （ ON）
R
DS （ ON）
西塞
科斯
CRSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
Qg
QGS
QGD
V
DF
t
rr
民
150
10
—
—
0.5
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
典型值
—
—
—
—
—
0.043
0.044
6720
205
102
43
79
250
117
52
13
14
0.83
75
最大
—
—
1
10
1.5
0.060
0.070
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
1.30
—
单位
V
V
A
A
V
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
V
ns
测试条件
I
D
= 10 mA时， V
GS
= 0
I
G
=
100 A,
V
DS
= 0
V
DS
= 150 V, V
GS
= 0
V
GS
=
10
V, V
DS
= 0
V
DS
= 10 V，I
D
= 1毫安
I
D
= 10 A，V
GS
= 4 V
Note4
I
D
= 10 A，V
GS
= 2.5 V
Note4
V
DS
= 25 V
V
GS
= 0
F = 1 MHz的
I
D
= 10 A
V
GS
= 4 V
R
L
= 7.5
RG = 10
V
DD
= 120 V
V
GS
= 4 V
I
D
= 20 A
I
F
= 20 A，V
GS
= 0
Note4
I
F
= 20 A，V
GS
= 0
di
F
/ DT = 100 A / μs的
R07DS0270EJ0100 Rev.1.00
2011年3月7日
第2 6
RJK1560DPP-M0
初步
主要特点
最高安全工作区
1000
80
TA = 25°C
脉冲测试
典型的输出特性
3 V, 5 V
2V
漏电流I
D
(A)
μ
s
漏电流I
D
(A)
100
10
60
10 V
1.9 V
PW
10
=1
μ
s
00
操作在此
区域由限定
R
DS （ ON）
40
1.8 V
1
0.1
TC = 25°C
1次射门
0.01
0.1
1
20
1.7 V
V
GS
= 1.6 V
10
100
1000
0
0
2
4
6
8
10
漏极至源极电压V
DS
(V)
漏极至源极电压V
DS
(V)
静态漏极至源极通态电阻
与漏电流（典型值）
漏极至源极导通电阻
R
DS （ ON）
(Ω)
1
TA = 25°C
脉冲测试
V
GS
= 2.5 V
0.1
典型的传输特性
100
V
DS
= 10 V
脉冲测试
漏电流I
D
(A)
10
TC = 75℃
1
25°C
25°C
0.1
4V
0.01
0
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
0.01
1
10
100
栅极至源极电压V
GS
(V)
漏电流I
D
(A)
静态漏极至源极通态电阻
R
DS （ ON）
(Ω)
0.16
V
GS
= 4 V
脉冲测试
0.12
I
D
= 20 A
0.08
10 A
0.04
静态漏极至源极通态电阻
R
DS （ ON）
(Ω)
静态漏极至源极通态电阻
- 温度曲线（典型）
静态漏极至源极通态电阻
- 温度曲线（典型）
0.16
V
GS
= 2.5 V
脉冲测试
0.12
I
D
= 20 A
0.08
10 A
0.04
0
-25
0
25
50
75
100 125 150
0
-25
0
25
50
75
100 125 150
壳温度（ ° C）
壳温度（ ° C）
R07DS0270EJ0100 Rev.1.00
2011年3月7日
第3页6
RJK1560DPP-M0
体漏二极管的反向
恢复时间（典型）
反向恢复时间trr （ NS ）
1000
10000
初步
典型的电容比。
漏源极电压
西塞
电容C （PF ）
1000
100
科斯
100
V
GS
= 0
F = 1 MHz的
TA = 25°C
10
0
20
40
CRSS
的di / dt = 100 A /
μs
V
GS
= 0 ， TA = 25℃
10
1
10
100
1000
60
80
反向漏电流I
DR
(A)
漏极至源极电压V
DS
(V)
反向漏电流 -
源极到漏极电压（典型值）
栅极至源极电压V
GS
(V)
80
动态输入特性（典型）
漏极至源极电压V
DS
(V)
160
反向漏电流I
DR
(A)
I
D
= 20 A
TA = 25
°C
V
DS
V
GS
V
DD
= 120 V
60 V
30 V
16
120
12
60
V
GS
= 0
TA = 25
°C
脉冲测试
80
8
40
40
V
DD
= 120 V
60 V
30 V
0
50
100
150
200
4
20
0
0
250
0
0
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
栅极电荷Qg （ NC ）
源极到漏极电压V
SD
(V)
门源截止电压V
GS （ OFF ）
(V)
门源截止电压
与外壳温度（典型）
2.0
V
DS
= 10 V
1.6
I
D
= 10毫安
1.2
1毫安
0.1毫安
0.8
0.4
0
-25
0
25
50
75
100 125 150
外壳温度
TC （ ℃）
R07DS0270EJ0100 Rev.1.00
2011年3月7日
第4 6
RJK1560DPP-M0
归瞬态热阻抗与脉冲宽度
归瞬态热阻抗
γ
秒（ t）的
3
TC = 25°C
1
D=1
0.5
0.3
初步
0.2
0.1
0.1
0.05
0.02
θ
CH - C （ T） =
γ
S（ T）
θ
CH - C
θ
CH - C = 4.38 ° C / W ，TC = 25°C
P
DM
p
ot
ULS
e
D=
PW
T
0.03
PW
T
0.0
1
h
1s
0.01
10
μ
100
μ
1m
10 m
100 m
1
10
脉冲宽度
PW （S ）
开关时间测试电路
输入电压监视器
D.U.T.
R
L
10
Ω
VIN
10 V
V
DD
= 75 V
VIN
VOUT
10%
10%
VOUT
MONITOR
波形
90%
10%
90%
TD （上）
tr
90%
TD （关闭）
tf
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2011年3月7日
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