初步
数据表
RJK1535DPJ ， RJK1535DPE ， RJK1535DPF
硅N沟道MOS FET
高速电源开关
特点
低导通电阻
低漏电流
高速开关
REJ03G0479-0300
Rev.3.00
2010年6月30日
概要
LDPAK
D
4
4
4
G
1
1
2
3
1
S
3
RJK1535DPE
2
3
RJK1535DPF
RJK1535DPJ
2
1.门
2.漏
3.源
4.漏
绝对最大额定值
（ TA = 25°C ）
项
漏源极电压
栅极至源极电压
漏电流
漏电流峰值
体漏二极管的反向漏电流
体漏二极管反向漏电流峰值
雪崩电流
雪崩能量
散热通道
通道到外壳的热阻
通道温度
储存温度
注意事项： 1， PW
10
s,
占空比
1%
2.价值在Tc = 25℃
3. STCH = 25 ° C，总胆固醇
150C
符号
V
DSS
V
GSS
I
D
I
D（脉冲）注1
I
DR
I
DR （脉冲）注1
I
APNote3
E
ARNote3
PCH
Note2
θch -C
总胆固醇
TSTG
评级
150
±30
40
100
40
100
30
67.5
100
1.25
150
-55到+150
单位
V
V
A
A
A
A
A
mJ
W
° C / W
C
C
REJ03G0479-0300 Rev.3.00
2010年6月30日
第1页7
RJK1535DPJ ， RJK1535DPE ， RJK1535DPF
初步
电气特性
（ TA = 25°C ）
项
漏源击穿电压
零栅极电压漏极电流
门源漏电流
门源截止电压
正向转移导纳
静态漏源导通状态
阻力
输入电容
输出电容
反向传输电容
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
总栅极电荷
门源费
栅漏电荷
体漏二极管的正向电压
体漏二极管的反向恢复时间
体漏二极管反向恢复
收费
注： 4.脉冲测试
符号
V
（ BR ） DSS
I
DSS
I
GSS
V
GS （ OFF ）
| YFS |
R
DS （ ON）
西塞
科斯
CRSS
TD （上）
tr
TD （关闭）
tf
Qg
QGS
QGD
V
DF
TRR
QRR
民
150
—
—
3.0
13
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
典型值
—
—
—
—
22
0.045
1420
300
42
30
170
70
80
35
9
16
1.0
110
0.5
最大
—
1
±0.1
4.5
—
0.052
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
1.5
—
—
单位
V
A
A
V
S
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
V
ns
C
测试条件
I
D
= 10 mA时， V
GS
= 0
V
DS
= 150 V, V
GS
= 0
V
GS
=
30
V, V
DS
= 0
V
DS
= 10 V，I
D
= 1毫安
I
D
= 20 A，V
DS
= 10 V
Note4
I
D
= 20 A，V
GS
= 10 V
Note4
V
DS
= 25 V
V
GS
= 0
F = 1 MHz的
I
D
= 20 A
V
GS
= 10 V
R
L
= 3.75
RG = 10
V
DD
= 120 V
V
GS
= 10 V
I
D
= 40 A
I
F
= 40 A，V
GS
= 0
Note4
I
F
= 40 A，V
GS
= 0
DIF / DT = 100 A / μs的
REJ03G0479-0300 Rev.3.00
2010年6月30日
第2 7
RJK1535DPJ ， RJK1535DPE ， RJK1535DPF
初步
主要特点
功率与温度降额
160
最高安全工作区
1000
TA = 25°C
300
120
10
PW
10
0
μ
(1 = 1
sh
s
OT ）毫秒
区域由限定
P沟（W）的
I
D
(A)
100
30
10
μ
s
散热通道
漏电流
80
3
操作在此
1
R
DS （ ON）
0.3
0.1
0.03
0.01
40
0
50
100
150
TC （ ℃）
200
1
外壳温度
100 300 1000
30
3
10
漏极至源极电压V
DS
(V)
典型的输出特性
50
10 V
8V
40
7V
40
7.5 V
脉冲测试
50
典型的传输特性
V
DS
= 10 V
脉冲测试
I
D
(A)
30
6.5 V
I
D
(A)
漏电流
30
漏电流
20
6V
20
10
V
GS
= 5.5 V
10
TC = 75℃
25°C
25°C
8
V
GS
(V)
10
0
4
8
12
漏源极电压
16
V
DS
(V)
20
0
2
4
6
栅极至源极电压
漏极至源极饱和电压与
栅极至源极电压
8
漏极至源极饱和电压
V
DS （ ON）
(V)
漏极至源极导通电阻
R
DS （ ON）
(Ω)
脉冲测试
静态漏极至源极通态电阻
与漏电流
1
V
GS
= 10 V
0.5
6
0.2
0.1
0.05
4
2
I
D
= 40 A
20 A
10 A
0.02
0.01
1
3
10
30
漏电流
脉冲测试
100 300
I
D
(A)
1000
0
4
8
12
16
V
GS
(V)
20
栅极至源极电压
REJ03G0479-0300 Rev.3.00
2010年6月30日
第3页7
RJK1535DPJ ， RJK1535DPE ， RJK1535DPF
静态漏极至源极通态电阻
与温度的关系
0.2
V
GS
= 10 V
脉冲测试
0.16
初步
正向转移导纳主场迎战
漏电流
正向转移导纳| YFS | （ S）
静态漏极至源极通态电阻
R
DS （ ON）
(Ω)
100
30
10
3
1
0.3
0.1
0.1
V
DS
= 10 V
脉冲测试
0.3
1
3
10
I
D
(A)
30
100
75°C
25°C
TC =
25°C
0.12
0.08
I
D
= 40 A
10 A
20 A
0.04
0
25
0
25
50
75
100 125
TC （ ℃）
150
外壳温度
漏电流
体漏二极管的反向
恢复时间
1000
反向恢复时间trr （ NS ）
典型的电容比。
漏源极电压
100000
30000
电容C （PF ）
500
200
100
50
20
10
5
2
1
1
3
10
30
100 300 1000
反向漏电流I
DR
(A)
动态输入特性
240
16
V
GS
180
V
DD
= 30 V
60 V
120 V
V
DS
12
V
GS
(V)
V
GS
= 0
F = 1 MHz的
10000
3000
1000
300
100
30
10
0
50
100
V
DS
(V)
150
漏源极电压
CRSS
科斯
西塞
的di / dt = 100 A /
μs
V
GS
= 0 ， TA = 25℃
10000
开关特性
V
GS
= 10 V, V
DD
= 75 V
PW = 5
μs,
值班< 1 ％
R
G
= 10
Ω
V
DS
(V)
I
D
= 40 A
开关时间t（ NS ）
漏源极电压
栅极至源极电压
1000
tf
TD （关闭）
TD （上）
tr
10
0.1
0.3
1
3
漏电流
10
30
I
D
(A)
tr
tf
120
8
100
60
V
DD
= 120 V
60 V
30 V
0
8
16
24
32
4
0
40
100
栅极电荷
QG （ NC ）
REJ03G0479-0300 Rev.3.00
2010年6月30日
第4 7
RJK1535DPJ ， RJK1535DPE ， RJK1535DPF
反向漏电流 -
源极到漏极电压
50
I
DR
(A)
门源截止电压
V
GS （ OFF ）
(V)
初步
门源截止电压
与外壳温度
5
V
DS
= 10 V
I
D
= 10毫安
4
1毫安
3
40
反向漏电流
30
20
10 V
5V
2
0.1毫安
V
GS
= 0 V
10
1
0
-25
脉冲测试
0
0.4
0.8
1.2
1.6
V
SD
(V)
2.0
0
25
50
75
100 125 150
TC （ ℃）
源极到漏极电压
外壳温度
归瞬态热阻抗与脉冲宽度
3
归瞬态热阻抗
γ
秒（ t）的
TC = 25°C
1
D=1
0.5
0.3
0.2
0.1
0.1
0.05
θch
- C （T ） =
γs
(t)
θch
– c
θch
- C = 1.25 ° C / W ，TC = 25°C
P
DM
PW
T
0.03
0.02
1
e
0.0
PULS
ot
sh
1
100
μ
1m
10 m
脉冲宽度
D=
PW
T
0.01
10
μ
100 m
PW （S ）
1
10
开关时间测试电路
输入电压监视器
D.U.T.
R
L
10
Ω
VIN
10 V
V
DD
= 75 V
VIN
VOUT
10%
10%
VOUT
MONITOR
波形
90%
10%
90%
TD （关闭）
tf
90%
TD （上）
tr
REJ03G0479-0300 Rev.3.00
2010年6月30日
第5页第7
RJK1535DPJ ， RJK1535DPE ， RJK1535DPF
硅N沟道MOS FET
高速电源开关
REJ03G0479-0200
Rev.2.00
Jan.14.2005
特点
低导通电阻
低漏电流
高速开关
概要
LDPAK
D
4
4
4
G
1
1
2
3
1
S
3
RJK1535DPE
2
3
RJK1535DPF
RJK1535DPJ
2
1.门
2.漏
3.源
4.漏
绝对最大额定值
（ TA = 25°C ）
项
漏源极电压
栅极至源极电压
漏电流
漏电流峰值
体漏二极管的反向漏电流
体漏二极管反向漏电流峰值
雪崩电流
雪崩能量
散热通道
通道到外壳的热阻
通道温度
储存温度
注意事项： 1， PW
≤
10
s,
占空比
≤
1%
2.价值在Tc = 25℃
3. STCH = 25 ° C，总胆固醇
≤
150°C
符号
V
DSS
V
GSS
I
D
I
D（脉冲）注1
I
DR
I
DR （脉冲）注1
I
APNote3
E
ARNote3
PCH
Note2
θch -C
总胆固醇
TSTG
评级
150
±30
40
100
40
100
30
67.5
100
1.25
150
-55到+150
单位
V
V
A
A
A
A
A
mJ
W
° C / W
°C
°C
Rev.2.00 ， Jan.14.2005 ，页7 1
RJK1535DPJ ， RJK1535DPE ， RJK1535DPF
电气特性
（ TA = 25°C ）
项
漏源击穿电压
零栅极电压漏极电流
门源漏电流
门源截止电压
正向转移导纳
静态漏源导通状态
阻力
输入电容
输出电容
反向传输电容
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
总栅极电荷
门源费
栅漏电荷
体漏二极管的正向电压
体漏二极管的反向恢复时间
体漏二极管反向恢复
收费
注： 4.脉冲测试
符号
V
（ BR ） DSS
I
DSS
I
GSS
V
GS （ OFF ）
| YFS |
R
DS （ ON）
西塞
科斯
CRSS
TD （上）
tr
TD （关闭）
tf
Qg
QGS
QGD
V
DF
TRR
QRR
民
150
—
—
3.0
13
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
典型值
—
—
—
—
22
0.045
1420
300
42
30
170
70
80
35
9
16
1.0
110
0.5
最大
—
1
±0.1
4.5
—
0.052
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
1.5
—
—
单位
V
A
A
V
S
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
V
ns
C
测试条件
I
D
= 10 mA时， V
GS
= 0
V
DS
= 150 V, V
GS
= 0
V
GS
=
±30
V, V
DS
= 0
V
DS
= 10 V，I
D
= 1毫安
I
D
= 20 A，V
DS
= 10 V
Note4
I
D
= 20 A，V
GS
= 10 V
Note4
V
DS
= 25 V
V
GS
= 0
F = 1 MHz的
I
D
= 20 A
V
GS
= 10 V
R
L
= 3.75
RG = 10
V
DD
= 120 V
V
GS
= 10 V
I
D
= 40 A
I
F
= 40 A，V
GS
= 0
Note4
I
F
= 40 A，V
GS
= 0
DIF / DT = 100 A / μs的
Rev.2.00 ， Jan.14.2005 ， 7个2页
RJK1535DPJ ， RJK1535DPE ， RJK1535DPF
主要特点
功率与温度降额
160
P沟（W）的
最高安全工作区
1000
TA = 25°C
300
I
D
(A)
100
30
10
3
操作在此
1
R
DS （ ON）
0.3
0.1
0.03
0.01
120
1m
10
s
10
0
s
s
散热通道
80
漏电流
区域由限定
PW = 10毫秒
(1shot)
直流操作
（ TC = 25 ° C）
40
0
50
100
150
TC （ ℃）
200
1
外壳温度
100 300 1000
30
3
10
漏极至源极电压V
DS
(V)
典型的输出特性
50
10 V
8V
40
I
D
(A)
典型的传输特性
50
V
DS
= 10 V
脉冲测试
40
I
D
(A)
漏电流
7.5 V
脉冲测试
7V
30
6.5 V
30
漏电流
20
6V
20
10
V
GS
= 5.5 V
10
TC = 75℃
25°C
25°C
8
V
GS
(V)
10
0
4
8
12
漏源极电压
16
V
DS
(V)
20
0
2
4
6
栅极至源极电压
漏极至源极饱和电压与
栅极至源极电压
8
漏极至源极饱和电压
V
DS （ ON）
(V)
漏极至源极导通电阻
R
DS （ ON）
()
脉冲测试
静态漏极至源极通态电阻
与漏电流
1
V
GS
= 10 V
0.5
6
0.2
0.1
0.05
4
2
I
D
= 40 A
20 A
10 A
0.02
0.01
1
3
10
30
漏电流
脉冲测试
100 300
I
D
(A)
1000
0
4
8
12
16
V
GS
(V)
20
栅极至源极电压
Rev.2.00 ， Jan.14.2005 ， 7 3页
RJK1535DPJ ， RJK1535DPE ， RJK1535DPF
静态漏极至源极通态电阻
与温度的关系
0.2
V
GS
= 10 V
脉冲测试
0.16
正向转移导纳主场迎战
漏电流
静态漏极至源极通态电阻
R
DS （ ON）
()
正向转移导纳| YFS | （ S）
100
30
10
3
1
0.3
0.1
0.1
V
DS
= 10 V
脉冲测试
0.3
1
3
10
I
D
(A)
30
100
75°C
25°C
TC =
25°C
0.12
0.08
I
D
= 40 A
10 A
20 A
0.04
0
25
0
25
50
75
100 125
TC （ ℃）
150
外壳温度
漏电流
体漏二极管的反向
恢复时间
1000
100000
30000
典型的电容比。
漏源极电压
V
GS
= 0
F = 1 MHz的
反向恢复时间trr （ NS ）
500
100
50
20
10
5
2
1
1
3
10
30
100 300 1000
反向漏电流I
DR
(A)
动态输入特性
240
16
V
GS
180
V
DD
= 30 V
60 V
120 V
V
DS
12
的di / dt = 100 A /
s
V
GS
= 0 ， TA = 25℃
电容C （PF ）
200
10000
3000
1000
300
100
30
10
0
50
100
V
DS
(V)
150
漏源极电压
CRSS
科斯
西塞
10000
开关特性
V
GS
= 10 V, V
DD
= 75 V
PW = 5
s,
值班< 1 ％
R
G
= 10
V
DS
(V)
V
GS
(V)
I
D
= 40 A
开关时间t（ NS ）
漏源极电压
栅极至源极电压
1000
tf
TD （关闭）
TD （上）
tr
10
0.1
0.3
1
3
漏电流
10
30
I
D
(A)
tr
tf
120
8
100
60
V
DD
= 120 V
60 V
30 V
0
8
16
24
32
4
0
40
100
栅极电荷
QG （ NC ）
Rev.2.00 ， Jan.14.2005 ， 7第4页
RJK1535DPJ ， RJK1535DPE ， RJK1535DPF
反向漏电流 -
源极到漏极电压
50
I
DR
(A)
门源截止电压
V
GS （ OFF ）
(V)
门源截止电压
与外壳温度
5
V
DS
= 10 V
I
D
= 10毫安
4
1毫安
3
40
反向漏电流
30
20
10 V
5V
2
0.1毫安
V
GS
= 0 V
10
1
0
-25
脉冲测试
0
0.4
0.8
1.2
1.6
V
SD
(V)
2.0
0
25
50
75
100 125 150
TC （ ℃）
源极到漏极电压
外壳温度
归瞬态热阻抗与脉冲宽度
3
归瞬态热阻抗
γ
秒（ t）的
TC = 25°C
1
D=1
0.5
0.3
0.2
0.1
0.1
0.05
θch
- C （T ） =
γs
(t)
θch
– c
θch
- C = 1.25 ° C / W ，TC = 25°C
P
DM
PW
T
0.03
0.02
1
e
0.0
PULS
ot
sh
1
100
1m
10 m
脉冲宽度
D=
PW
T
0.01
10
100 m
PW （S ）
1
10
开关时间测试电路
输入电压监视器
D.U.T.
R
L
10
VIN
10 V
V
DD
= 75 V
VIN
VOUT
10%
10%
VOUT
MONITOR
波形
90%
10%
90%
TD （关闭）
tf
90%
TD （上）
tr
Rev.2.00 ， Jan.14.2005 ， 7 5页
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