RJK1526DPJ ， RJK1526DPE ， RJK1526DPF
硅N沟道MOS FET
高速电源开关
REJ03G1859-0100
Rev.1.00
2009年11月6日
特点
低导通电阻
R
DS （ ON）
= 0.036
Ω
（典型值） 。 （在我
D
= 25 A，V
GS
= 10 V ，TA = 25C ）
低漏电流
高速开关
概要
瑞萨封装代码： PRSS0004AE -A
（包名称： LDPAK （ L）
4
： PRSS0004AE -B
LDPAK(S)-(1)
4
： PRSS0004AE -C
LDPAK （ S） - （ 2））的
4
D
G
1
1
2
3
1
1.门
2.漏
3.源
4.漏
S
2
3
2
3
RJK1526DPJ
RJK1526DPE
RJK1526DPF
绝对最大额定值
（ TA = 25°C ）
项
漏源极电压
栅极至源极电压
漏电流
漏电流峰值
体漏二极管的反向漏电流
体漏二极管反向漏电流峰值
雪崩电流
雪崩能量
散热通道
通道到外壳的热阻
通道温度
储存温度
注意事项： 1， PW
≤
10
μs,
占空比
≤
1%
2.价值在Tc = 25℃
3. STCH = 25 ° C，总胆固醇
≤
150°C
符号
V
DSS
V
GSS
I
D
I
D（脉冲）注1
I
DR
I
DR （脉冲）注1
I
APNote3
E
ARNote3
PCH
Note2
θch -C
总胆固醇
TSTG
评级
150
±30
50
120
50
120
25
46.8
100
1.25
150
-55到+150
单位
V
V
A
A
A
A
A
mJ
W
° C / W
°C
°C
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第1页7
RJK1526DPJ ， RJK1526DPE ， RJK1526DPF
电气特性
（ TA = 25°C ）
项
漏源击穿电压
零栅极电压漏极电流
门源漏电流
门源截止电压
静态漏源导通状态
阻力
输入电容
输出电容
反向传输电容
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
总栅极电荷
门源费
栅漏电荷
体漏二极管的正向电压
体漏二极管的反向恢复时间
注： 4.脉冲测试
符号
V
（ BR ） DSS
I
DSS
I
GSS
V
GS （ OFF ）
R
DS （ ON）
西塞
科斯
CRSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
Qg
QGS
QGD
V
DF
t
rr
民
150
—
—
3.0
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
典型值
—
—
—
—
0.036
1800
380
56
35
141
86
15
46
12
21
1.0
120
最大
—
1
±0.1
4.5
0.042
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
1.5
—
单位
V
μA
μA
V
Ω
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
V
ns
测试条件
I
D
= 10 mA时， V
GS
= 0
V
DS
= 150 V, V
GS
= 0
V
GS
=
±30
V, V
DS
= 0
V
DS
= 10 V，I
D
= 1毫安
I
D
= 25 A，V
GS
= 10 V
Note4
V
DS
= 25 V
V
GS
= 0
F = 1 MHz的
I
D
= 25 A
V
GS
= 10 V
R
L
= 3
Ω
RG = 10
Ω
V
DD
= 120 V
V
GS
= 10 V
I
D
= 50 A
I
F
= 50 A，V
GS
= 0
Note4
I
F
= 50 A，V
GS
= 0
di
F
/ DT = 100 A / μs的
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第2 7
RJK1526DPJ ， RJK1526DPE ， RJK1526DPF
主要特点
最高安全工作区
1000
100
典型的输出特性
8.5 V
9V
80 10 V
60
脉冲测试
TA = 25°C
8V
漏电流I
D
(A)
漏电流I
D
(A)
100
PW
10
=
10
0
7.5V
7V
μ
s
10
操作在此
区域由限定
R
DS （ ON）
μ
s
6.5 V
6V
1
40
0.1
TC = 25°C
1次射门
0.01
0.1
1
20
5.5 V
V
GS
= 5 V
0
10
100
1000
0
4
8
12
16
20
漏极至源极电压V
DS
(V)
漏极至源极电压V
DS
(V)
静态漏极至源极通态电阻
与漏电流（典型值）
典型的传输特性
漏极至源极导通电阻
R
DS （ ON）
(mΩ)
100
TC =
25°C
25°C
1000
V
GS
= 10 V
TA = 25°C
脉冲测试
漏电流I
D
(A)
80
75°C
60
100
40
20
V
DS
= 10 V
脉冲测试
0
2
4
6
8
10
10
10
100
1000
栅极至源极电压V
GS
(V)
静态漏极至源极通态电阻
- 温度曲线（典型）
V
GS
= 10 V
脉冲测试
0.08
I
D
= 50 A
0.06
10 A
25 A
漏电流I
D
(A)
静态漏极至源极通态电阻
R
DS （ ON）
(Ω)
体漏二极管的反向
恢复时间（典型）
反向恢复时间trr （ NS ）
0.10
1000
100
0.04
0.02
的di / dt = 100 A /
μs
V
GS
= 0 ， TA = 25℃
10
1
10
100
1000
0
-25
0
25
50
75
100 125 150
壳温度（ ° C）
反向漏电流I
DR
(A)
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RJK1526DPJ ， RJK1526DPE ， RJK1526DPF
典型的电容比。
漏源极电压
漏极至源极电压V
DS
(V)
10000
TA = 25°C
动态输入特性（典型）
I
D
= 50 A
TA = 25
°C
V
GS
电容C （PF ）
西塞
1000
180
V
DS
V
DD
= 120 V
60 V
30 V
12
科斯
100
CRSS
V
GS
= 0
F = 1 MHz的
0
20
40
60
80
100
120
8
60
V
DD
= 120 V
60 V
30 V
0
20
40
60
80
4
10
0
0
100
漏极至源极电压V
DS
(V)
栅极电荷Qg （ NC ）
100
门源截止电压V
GS （ OFF ）
(V)
反向漏电流 -
源极到漏极电压（典型值）
反向漏电流I
DR
(A)
V
GS
= 0 V
TA = 25
°C
脉冲测试
门源截止电压
与外壳温度（典型）
5
V
DS
= 10 V
80
4
60
3
I
D
= 10毫安
1毫安
0.1毫安
40
20
0
0
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
2
1
0
-25
0
25
50
75
100 125 150
源极到漏极电压V
SD
(V)
外壳温度
TC （ ℃）
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第4 7
栅极至源极电压V
GS
(V)
240
16
RJK1526DPJ ， RJK1526DPE ， RJK1526DPF
归瞬态热阻抗与脉冲宽度
3
归瞬态热阻抗
γ
秒（ t）的
TC = 25°C
1
D=1
0.5
0.3
0.2
0.1
0.1
0.05
θch
- C （T ） =
γs
(t)
θch
– c
θch
- C = 1.25 ° C / W ，TC = 25°C
P
DM
PW
T
0.03
0.02
1
e
0.0
PULS
ot
sh
1
100
μ
1m
10 m
脉冲宽度
D=
PW
T
0.01
10
μ
100 m
PW （S ）
1
10
开关时间测试电路
输入电压监视器
D.U.T.
R
L
10
Ω
VIN
10 V
V
DD
= 75 V
VIN
VOUT
10%
10%
VOUT
MONITOR
波形
90%
10%
90%
TD （关闭）
tf
90%
TD （上）
tr
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