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RJK1525DPS
硅N沟道MOS FET
高速电源开关
REJ03G1314-0200
Rev.2.00
2007年2月8日
特点
低导通电阻
低漏电流
高速开关
概要
瑞萨封装代码： PRSS0003AE -A
（包名称： TO- 220CFM ）
D
G
1.门
2.漏
3.源
1 2
3
S
绝对最大额定值
（ TA = 25°C ）
项
漏源极电压
栅极至源极电压
漏电流
漏电流峰值
体漏二极管的反向漏电流
体漏二极管反向漏电流峰值
雪崩电流
雪崩能量
散热通道
通道到外壳的热阻
通道温度
储存温度
注意事项： 1， PW
≤
10
s,
占空比
≤
1%
2.价值在Tc = 25℃
3. STCH = 25 ° C，总胆固醇
≤
150°C
符号
V
DSS
V
GSS
I
D
I
D（脉冲）
I
DR
Note1
I
DR （脉冲）
I
APNote3
E
ARNote3
PCH
Note2
θch -C
总胆固醇
TSTG
Note1
评级
150
±30
17
50
17
50
17
21.6
30
4.17
150
-55到+150
单位
V
V
A
A
A
A
A
mJ
W
° C / W
°C
°C
Rev.2.00 2007年2月8日第1页6
RJK1525DPS
电气特性
（ TA = 25°C ）
项
漏源击穿电压
零栅极电压漏极电流
门源漏电流
门源截止电压
正向转移导纳
静态漏源导通状态
阻力
输入电容
输出电容
反向传输电容
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
总栅极电荷
门源费
栅漏电荷
体漏二极管的正向电压
体漏二极管的反向恢复时间
体漏二极管反向恢复
收费
注： 4.脉冲测试
符号
V
（ BR ） DSS
I
DSS
I
GSS
V
GS （ OFF ）
|y
fs
|
R
DS （ ON）
西塞
科斯
CRSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
Qg
QGS
QGD
V
DF
t
rr
Q
rr
民
150
—
—
3.0
6
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
典型值
—
—
—
—
11
0.089
680
150
22
22
70
47
11
18
4.2
8.3
0.88
95
0.3
最大
—
1
±0.1
4.5
—
0.110
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
1.40
—
—
单位
V
A
A
V
S
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
V
ns
C
测试条件
I
D
= 10 mA时， V
GS
= 0
V
DS
= 150 V, V
GS
= 0
V
GS
=
±30
V, V
DS
= 0
V
DS
= 10 V，I
D
= 1毫安
I
D
= 8.5 A，V
DS
= 10 V
Note4
I
D
= 8.5 A，V
GS
= 10 V
Note4
V
DS
= 25 V
V
GS
= 0
F = 1 MHz的
I
D
= 8.5 A
V
GS
= 10 V
R
L
= 8.8
RG = 10
V
DD
= 120 V
V
GS
= 10 V
I
D
= 17 A
I
F
= 17 A，V
GS
= 0
Note4
I
F
= 17 A，V
GS
= 0
di
F
/ DT = 100 A / μs的
Rev.2.00 2007年2月8日第2 6
RJK1525DPS
主要特点
功率与温度降额
40
1000
300
30
最高安全工作区
通道耗散P沟（W）的
漏电流I
D
(A)
100
30
10
3
1
0.3
10
10
PW
1 m
0
s
s
(1s = 1
s
0m
DC
热）
s
（ TC Ope宇宙
= 2慧慧
5
°
C对
)
20
10
操作在此
R
DS （ ON）
TA = 25°C
0.1
区域由限定
0.03
0
0.01
50
100
150
200
1
3
10
30
100
300
1000
壳温度（ ° C）
漏极至源极电压V
DS
(V)
典型的输出特性
20
6.5 V
7V
脉冲测试
6V
12
20
典型的传输特性
V
DS
= 10 V
脉冲测试
漏电流I
D
(A)
10 V
漏电流I
D
(A)
16
16
12
8
5.5 V
8
TC = 75℃
25°C
25°C
4
V
GS
= 5 V
4
0
4
8
12
16
20
0
2
4
6
8
10
漏极至源极电压V
DS
(V)
栅极至源极电压V
GS
(V)
漏极至源极饱和电压与
栅极至源极电压
漏极至源极饱和电压
V
DS （ ON）
(V)
漏极至源极导通电阻
R
DS （ ON）
()
8
脉冲测试
6
静态漏极至源极通态电阻
与漏电流
1
V
GS
= 10 V
0.5
0.2
0.1
0.05
4
I
D
= 25 A
2
12.5 A
8.5 A
0
4
8
12
16
20
0.02
0.01
1
3
10
30
脉冲测试
100
300
1000
栅极至源极电压V
GS
(V)
漏电流I
D
(A)
Rev.2.00 2007年2月8日第3页6
RJK1525DPS
静态漏极至源极通态电阻
与温度的关系
正向转移导纳主场迎战
漏电流
静态漏极至源极通态电阻
R
DS （ ON）
()
正向转移导纳| YFS | （ S）
0.5
V
GS
= 10 V
100
30
10
3
1
0.3
0.1
0.1
V
DS
= 10 V
脉冲测试
0.3
1
3
10
30
100
75°C
脉冲测试
0.4
TC =
25°C
0.3
25°C
0.2
I
D
= 25 A
12.5 A
8.5 A
0.1
0
25
0
25
50
75
100 125
150
壳温度（ ° C）
漏电流I
D
(A)
典型的电容比。
漏源极电压
100000
30000
V
GS
= 0
F = 1 MHz的
体漏二极管的反向
恢复时间
反向恢复时间trr （ NS ）
1000
500
200
100
50
20
10
5
2
1
1
3
10
的di / dt = 100 A /
s
V
GS
= 0 ， TA = 25℃
30
100
300
1000
电容C （PF ）
10000
3000
1000
300
100
30
10
0
50
CRSS
100
150
科斯
西塞
反向漏电流I
DR
(A)
漏极至源极电压V
DS
(V)
动态输入特性
开关特性
漏极至源极电压V
DS
(V)
I
D
= 17 A
180
V
DD
= 30 V
60 V
120 V
V
DS
V
GS
12
栅极至源极电压V
GS
(V)
240
16
1000
开关时间t（ NS ）
V
GS
= 10 V, V
DD
= 75 V
PW = 5
s,
税
≤
1 %
R
G
= 10
100
tf
TD （关闭）
TD （上）
10
tr
tf
tr
120
8
60
V
DD
= 120 V
60 V
30 V
4
8
12
16
4
0
0
20
1
0.1
0.3
1
3
10
30
100
栅极电荷Qg （ NC ）
漏电流I
D
(A)
Rev.2.00 2007年2月8日第4 6
RJK1525DPS
反向漏电流 -
源极到漏极电压
50
5
门源截止电压
与外壳温度
V
DS
= 10 V
I
D
= 10毫安
4
1毫安
3
反向漏电流I
DR
(A)
40
30
20
V
GS
= 0 V
10
10 V
5V
脉冲测试
0
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
门源截止电压
V
GS （ OFF ）
(V)
2
0.1毫安
1
0
-25
0
25
50
75
100 125 150
源极到漏极电压V
SD
(V)
壳温度（ ° C）
归瞬态热阻抗
γ
秒（ t）的
归瞬态热阻抗与脉冲宽度
3
1
0.3
0.1
0.03
0.01
0.003
TC = 25°C
D=1
0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
θch
- C （T ） =
γ
S（ T）
θch
– c
θch
- C = 4.17 ° C / W ，TC = 25°C
LSE
pu
P
DM
PW
T
D=
h
1s
ot
PW
T
0.001
10
100
1m
10 m
100 m
1
10
脉冲宽度
开关时间测试电路
输入电压监视器
D.U.T.
R
L
10
VIN
10 V
V
DD
= 75 V
VOUT
MONITOR
PW （S ）
波形
90%
VIN
VOUT
10%
10%
90%
TD （上）
tr
90%
TD （关闭）
tf
10%
Rev.2.00 2007年2月8日第5 6
初步
数据表
RJK1525DPS
硅N沟道MOS FET
高速电源开关
特点
低导通电阻
低漏电流
高速开关
REJ03G1314-0300
Rev.3.00
2010年6月30日
概要
瑞萨封装代码： PRSS0003AE -A
（包名称： TO- 220CFM ）
D
G
1.门
2.漏
3.源
1 2
3
S
绝对最大额定值
（ TA = 25°C ）
项
漏源极电压
栅极至源极电压
漏电流
漏电流峰值
体漏二极管的反向漏电流
体漏二极管反向漏电流峰值
雪崩电流
雪崩能量
散热通道
通道到外壳的热阻
通道温度
储存温度
注意事项： 1， PW
10
s,
占空比
1%
2.价值在Tc = 25℃
3. STCH = 25 ° C，总胆固醇
150C
符号
V
DSS
V
GSS
I
D
I
D（脉冲）注1
I
DR
I
DR （脉冲）注1
I
APNote3
E
ARNote3
PCH
Note2
θch -C
总胆固醇
TSTG
评级
150
±30
17
50
17
50
17
21.6
30
4.17
150
-55到+150
单位
V
V
A
A
A
A
A
mJ
W
° C / W
C
C
REJ03G1314-0300 Rev.3.00
2010年6月30日
第1页6
RJK1525DPS
初步
电气特性
（ TA = 25°C ）
项
漏源击穿电压
零栅极电压漏极电流
门源漏电流
门源截止电压
正向转移导纳
静态漏源导通状态
阻力
输入电容
输出电容
反向传输电容
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
总栅极电荷
门源费
栅漏电荷
体漏二极管的正向电压
体漏二极管的反向恢复时间
体漏二极管反向恢复
收费
注： 4.脉冲测试
符号
V
（ BR ） DSS
I
DSS
I
GSS
V
GS （ OFF ）
|y
fs
|
R
DS （ ON）
西塞
科斯
CRSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
Qg
QGS
QGD
V
DF
t
rr
Q
rr
民
150
—
—
3.0
6
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
典型值
—
—
—
—
11
0.089
680
150
22
22
70
47
11
18
4.2
8.3
0.88
95
0.3
最大
—
1
±0.1
4.5
—
0.110
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
1.40
—
—
单位
V
A
A
V
S
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
V
ns
C
测试条件
I
D
= 10 mA时， V
GS
= 0
V
DS
= 150 V, V
GS
= 0
V
GS
=
30
V, V
DS
= 0
V
DS
= 10 V，I
D
= 1毫安
I
D
= 8.5 A，V
DS
= 10 V
Note4
I
D
= 8.5 A，V
GS
= 10 V
Note4
V
DS
= 25 V
V
GS
= 0
F = 1 MHz的
I
D
= 8.5 A
V
GS
= 10 V
R
L
= 8.8
RG = 10
V
DD
= 120 V
V
GS
= 10 V
I
D
= 17 A
I
F
= 17 A，V
GS
= 0
Note4
I
F
= 17 A，V
GS
= 0
di
F
/ DT = 100 A / μs的
REJ03G1314-0300 Rev.3.00
2010年6月30日
第2 6
RJK1525DPS
初步
主要特点
功率与温度降额
40
1000
300
30
最高安全工作区
通道耗散P沟（W）的
漏电流I
D
(A)
100
30
10
3
1
0.3
操作在此
R
DS （ ON）
TA = 25°C
10
μ
10
PW
0
μ
s
s
(1s = 1
ho
ms
t)
20
10
0.1
区域由限定
0.03
0
0.01
50
100
150
200
1
3
10
30
100
300
1000
壳温度（ ° C）
漏极至源极电压V
DS
(V)
典型的输出特性
20
6.5 V
7V
脉冲测试
6V
12
20
典型的传输特性
V
DS
= 10 V
脉冲测试
漏电流I
D
(A)
10 V
漏电流I
D
(A)
16
16
12
8
5.5 V
8
TC = 75℃
25°C
25°C
4
V
GS
= 5 V
4
0
4
8
12
16
20
0
2
4
6
8
10
漏极至源极电压V
DS
(V)
栅极至源极电压V
GS
(V)
漏极至源极饱和电压与
栅极至源极电压
漏极至源极饱和电压
V
DS （ ON）
(V)
漏极至源极导通电阻
R
DS （ ON）
(Ω)
8
脉冲测试
6
静态漏极至源极通态电阻
与漏电流
1
V
GS
= 10 V
0.5
0.2
0.1
0.05
4
I
D
= 25 A
2
12.5 A
8.5 A
0
4
8
12
16
20
0.02
0.01
1
3
10
30
脉冲测试
100
300
1000
栅极至源极电压V
GS
(V)
漏电流I
D
(A)
REJ03G1314-0300 Rev.3.00
2010年6月30日
第3页6
RJK1525DPS
静态漏极至源极通态电阻
与温度的关系
正向转移导纳| YFS | （ S）
0.5
V
GS
= 10 V
100
30
10
3
1
0.3
0.1
0.1
75°C
脉冲测试
初步
正向转移导纳主场迎战
漏电流
静态漏极至源极通态电阻
R
DS （ ON）
(Ω)
0.4
TC =
25°C
0.3
25°C
0.2
I
D
= 25 A
12.5 A
8.5 A
0.1
0
25
V
DS
= 10 V
脉冲测试
0.3
1
3
10
30
100
0
25
50
75
100 125
150
壳温度（ ° C）
漏电流I
D
(A)
典型的电容比。
漏源极电压
100000
30000
V
GS
= 0
F = 1 MHz的
体漏二极管的反向
恢复时间
反向恢复时间trr （ NS ）
1000
500
200
100
50
20
10
5
2
1
1
3
10
的di / dt = 100 A /
μs
V
GS
= 0 ， TA = 25℃
30
100
300
1000
电容C （PF ）
10000
3000
1000
300
100
30
10
0
50
CRSS
100
150
科斯
西塞
反向漏电流I
DR
(A)
漏极至源极电压V
DS
(V)
动态输入特性
漏极至源极电压V
DS
(V)
I
D
= 17 A
180
V
DD
= 30 V
60 V
120 V
V
DS
V
GS
12
开关特性
栅极至源极电压V
GS
(V)
16
1000
V
GS
= 10 V, V
DD
= 75 V
PW = 5
μs,
税
≤
1 %
R
G
= 10
Ω
100
tf
TD （关闭）
TD （上）
10
tr
tf
tr
240
120
8
60
V
DD
= 120 V
60 V
30 V
4
8
12
16
4
0
0
20
开关时间t（ NS ）
1
0.1
0.3
1
3
10
30
100
栅极电荷Qg （ NC ）
漏电流I
D
(A)
REJ03G1314-0300 Rev.3.00
2010年6月30日
第4 6
RJK1525DPS
反向漏电流 -
源极到漏极电压
50
5
初步
门源截止电压
与外壳温度
V
DS
= 10 V
I
D
= 10毫安
4
1毫安
3
反向漏电流I
DR
(A)
40
30
20
V
GS
= 0 V
10
10 V
5V
脉冲测试
0
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
门源截止电压
V
GS （ OFF ）
(V)
2
0.1毫安
1
0
-25
0
25
50
75
100 125 150
源极到漏极电压V
SD
(V)
壳温度（ ° C）
归瞬态热阻抗
γ
秒（ t）的
归瞬态热阻抗与脉冲宽度
3
1
0.3
0.1
0.03
0.01
0.003
TC = 25°C
D=1
0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
ho
1s
tp
e
ULS
θch
- C （T ） =
γ
S（ T）
θch
– c
θch
- C = 4.17 ° C / W ，TC = 25°C
P
DM
PW
T
100
μ
1m
10 m
100 m
1
10
D=
PW
T
0.001
10
μ
脉冲宽度
开关时间测试电路
输入电压监视器
D.U.T.
R
L
10Ω
VIN
10 V
V
DD
= 75 V
VOUT
MONITOR
PW （S ）
波形
90%
VIN
VOUT
10%
10%
90%
TD （上）
tr
90%
TD （关闭）
tf
10%
REJ03G1314-0300 Rev.3.00
2010年6月30日
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