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初步

数据表

RJK1056DPB

100V ，25A， 14m最大值。

硅N沟道功率MOS FET

电源开关

特点

高速开关

低驱动电流

低导通电阻

R

DS （ ON）

= 11 m

（典型值）。（在V

GS

= 10 V)

无铅

无卤

高密度安装

R07DS1059EJ0200

（上一篇： REJ03G1888-0100 ）

Rev.2.00

2013年4月11日

概要

瑞萨封装代码： PTZZ0005DA -A

（包名称： LFPAK ）

5

D

5

4

G

3

12

4

1, 2, 3

4

5

来源

门

漏

S S S

1 2 3

绝对最大额定值

（ TA = 25°C ）

项

漏源极电压

栅极至源极电压

漏电流

漏电流峰值

体漏二极管的反向漏电流

雪崩电流

雪崩能量

散热通道

通道到外壳热阻

通道温度

储存温度

注意事项： 1， PW

10

s,

占空比

1%

2.价值为L =器10uH ，总胆固醇= 25C ， RG

50

3， TC = 25℃

符号

V

DSS

V

GSS

I

D

I

D(pulse)Note1

I

DR

I

AP

E

AS注2

PCH

Note3

θch -C

总胆固醇

TSTG

注2

评级

100

20

25

100

25

25

6.3

65

1.92

150

-55到+150

单位

V

V

A

A

A

A

mJ

W

° C / W

C

C

R07DS1059EJ0200 Rev.2.00

2013年4月11日

第1页6

RJK1056DPB

初步

电气特性

（ TA = 25°C ）

项

漏源击穿电压

门源漏电流

零栅极电压漏极电流

门源截止电压

静态漏极至源极通态电阻

正向转移导纳

输入电容

输出电容

反向传输电容

栅极电阻

总栅极电荷

门源费

栅漏电荷

导通延迟时间

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

体漏二极管的正向电压

体漏二极管的反向恢复时间

注： 4.脉冲测试

符号

V

（ BR ） DSS

I

GSS

I

DSS

V

GS （ OFF ）

R

DS （ ON）

|y

fs

|

西塞

科斯

CRSS

Rg

Qg

QGS

QGD

t

D（上）

t

r

t

D（关闭）

t

f

V

DF

t

rr

民

100

—

—

2.0

—

—

—

—

—

—

—

—

—

—

—

—

—

—

—

典型值

—

—

—

—

11

42

3000

490

120

0.5

41

13

7.5

16

4.5

36

6.5

0.8

52

最大

—

0.1

1

4.0

14

—

—

—

—

—

—

—

—

—

—

—

—

1.1

—

单位

V

A

A

V

m

S

pF

pF

pF

nC

nC

nC

ns

ns

ns

ns

V

ns

测试条件

I

D

= 10 mA时， V

GS

= 0 V

V

GS

=

20

V, V

DS

= 0 V

V

DS

= 100 V, V

GS

= 0 V

V

DS

= 10 V，I

D

= 1毫安

I

D

= 12.5 A，V

GS

= 10 V

Note4

I

D

= 12.5 A，V

DS

= 10 V

Note4

V

DS

= 10 V, V

GS

= 0 V,

F = 1 MHz的

V

DD

= 50 V, V

GS

= 10 V,

I

D

= 25 A

V

GS

= 10 V，I

D

= 12.5 A,

V

DD

30 V ，R

L

= 2.4

,

RG = 4.7

I

F

= 25 A，V

GS

= 0 V

Note4

I

F

= 25 A，V

GS

= 0 V

di

F

/ DT = 100 A /

s

R07DS1059EJ0200 Rev.2.00

2013年4月11日

第2 6

RJK1056DPB

初步

主要特点

功率与温度降额

80

1000

最高安全工作区

TC = 25°C

1次脉冲

通道耗散P沟（W）的

60

漏电流I

D

(A)

100

10

1在操作

PW = 10毫秒

这个区域是

限于由R

DS （ ON）

0.1

0.01

0.1

1

40

m

s

20

直流操作

0

50

100

150

200

1

10

100

壳温度（ ° C）

漏极至源极电压V

DS

(V)

典型的输出特性

50

10 V

4.4 V

脉冲测试

4.2 V

50

典型的传输特性

V

DS

= 10 V

脉冲测试

漏电流I

D

(A)

30

漏电流I

D

(A)

40

40

4.0 V

30

20

20

TC = 75℃

25°C

–25°C

V

GS

= 3.8 V

10

10

0

2

4

6

8

10

0

1

2

3

4

5

漏极至源极电压V

DS

(V)

漏极至源极饱和电压与

栅极至源极电压

栅极至源极电压V

GS

(V)

静态漏极至源极通态电阻

与漏电流

100

脉冲测试

漏极至源极饱和电压

V

DS （ ON）

（毫伏）

500

脉冲测试

400

300

I

D

= 20 A

200

10 A

5A

0

4

8

12

16

20

1

0.1

10

V

GS

= 10 V

100

1

10

100

栅极至源极电压V

GS

(V)

漏电流I

D

(A)

R07DS1059EJ0200 Rev.2.00

2013年4月11日

第3页6

RJK1056DPB

静态漏极至源极通态电阻

与温度的关系

40

32

脉冲测试

I

D

= 12.5 A

10000

初步

典型的电容比。

漏源极电压

电容C （PF ）

西塞

1000

24

V

GS

= 10 V

16

科斯

100

V

GS

= 0 V

F = 1 MHz的

CRSS

8

0

–25

10

0

25

50

75

100 125 150

0

20

40

60

80

100

壳温度（

°

C)

漏极至源极电压V

DS

(V)

反向漏电流 -

源极到漏极电压

动态输入特性

漏极至源极电压V

DS

(V)

反向漏电流I

DR

(A)

I

D

= 25 A

栅极至源极电压V

GS

(V)

100

20

50

脉冲测试

10 V

40

80

V

DD

= 50 V

25 V

10 V

V

GS

16

60

V

DS

12

30

40

8

20

V

GS

= 0 V

20

V

DD

= 50 V

25 V

10 V

0

10

20

30

40

4

10

0

0

50

0

0.4

0.8

1.2

1.6

2.0

栅极电荷Qg （ NC ）

源极到漏极电压V

SD

(V)

最大雪崩能量 -

通道温度降额

10

雪崩能量E

AS

（兆焦耳）

8

6

4

2

0

25

50

75

100

125

150

沟道温度Tch （

°C)

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2013年4月11日

第4 6

RJK1056DPB

归瞬态热阻抗与脉冲宽度

3

TC = 25°C

1

初步

D=1

0.5

0.3

0.2

0.1

0.1

0.05

0.03

2

0.0

LSE

01

吨PU

0.

o

h

1s

P

DM

PW

T

1m

10 m

100 m

1

D=

PW

T

0.01

10

脉冲宽度PW （S ）

雪崩测试电路

雪崩波形

1

2

L

I

AP2

V

DSS

V

DSS

– V

DD

V

（ BR ） DSS

I

AP

V

DD

V

DS

V

DS

MONITOR

L

I

AP

MONITOR

E

AS

=

Rg

D. U.牛逼

I

D

VIN

15 V

0

V

DD

开关时间测试电路

输入电压监视器

D.U.T.

Rg

R

L

V

DS

= 30 V

VIN

VOUT

VIN

10 V

VOUT

MONITOR

开关时间波形

90%

10%

10%

10%

90%

TD （上）

tr

90%

TD （关闭）

tf

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2013年4月11日

分页： 5 6

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