RJK1021DPN
N沟道功率MOSFET
高速开关使用
REJ03G1628-0100
Rev.1.00
2008年4月2日
特点
V
DSS
: 100 V
R
DS （ ON）
： 20毫欧（最大值）
I
D
: 70 A
概要
瑞萨封装代码： PRSS0004AC -A
（包名称： TO- 220AB ）
4
2, 4
D
1G
1.门
2.漏
3.源
4.漏
S
3
1
2
3
应用
电机控制，电磁阀控制， DC-DC变换器等。
绝对最大额定值
（ TA = 25°C ）
项
漏源极电压
栅极至源极电压
漏电流
漏电流峰值
体漏二极管的反向漏电流
体漏二极管反向漏电流峰值
雪崩电流
散热通道
通道到外壳的热阻
通道温度
储存温度
注：1。价值在Tc = 25C
2. STCH = 25C ，总胆固醇
≤
150℃， L = 100
H
符号
V
DSS
V
GSS
I
D
I
D（脉冲）
I
DR
I
DR （脉冲）
I
AP注2
Note1
PCH
θch -C
总胆固醇
TSTG
评级
100
±20
70
140
70
140
35
100
1.25
150
-55到+150
单位
V
V
A
A
A
A
A
W
° C / W
°C
°C
REJ03G1628-0100 Rev.1.00 2008年4月2日
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RJK1021DPN
电气特性
（ TA = 25°C ）
项
漏源击穿电压
零栅极电压漏极电流
门源漏电流
门源截止电压
静态漏源导通状态电压
静态漏源导通状态
阻力
输入电容
输出电容
反向传输电容
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
体漏二极管的正向电压
体漏二极管的反向恢复时间
注： 3.脉冲测试
符号
V
（ BR ） DSS
I
DSS
I
GSS
V
GS （ OFF ）
V
DS （ ON）
R
DS （ ON）
西塞
科斯
CRSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
V
DF
t
rr
民
100
—
—
2.0
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
典型值
—
—
—
3.0
0.56
16
2600
430
160
30
70
110
65
0.9
80
最大
—
100
±0.1
4.0
0.70
20
—
—
—
—
—
—
—
1.5
—
单位
V
A
A
V
V
m
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
V
ns
测试条件
I
D
= 1毫安， V
GS
= 0
V
DS
= 100 V, V
GS
= 0
V
GS
=
±20
V, V
DS
= 0
I
D
= 1毫安， V
DS
= 10 V
Note3
I
D
= 35 A，V
GS
= 10 V
Note3
I
D
= 35 A，V
GS
= 10 V
Note3
V
DS
= 10 V
V
GS
= 0
F = 1 MHz的
V
DD
= 50 V
I
D
= 35 A
V
GS
= 10 V
R
G
= 25
I
F
= 35 A，V
GS
= 0
I
F
= 70 A，V
GS
= 0
di
F
/ DT = 100 A / μs的
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RJK1021DPN
主要特点
功率与温度降额
120
1000
最高安全工作区
TA = 25°C
10
10
0
s
1m
s
通道耗散P沟（W）的
80
60
40
20
漏电流I
D
(A)
100
100
s
10
直流操作
（ TC = 25 ° C）
1
PW = 10毫秒
(1shot)
0.1
操作在此
0.01
0.1
区域由限定
R
DS （ ON）
0
50
100
150
200
1
10
100
1000
壳温度（ ° C）
漏极至源极电压V
DS
(V)
典型的输出特性
100
10 V
6V
8V
典型的传输特性
100
V
DS
= 10 V
脉冲测试
5V
漏电流I
D
(A)
漏电流I
D
(A)
80
80
60
4.6 V
60
40
40
TC = 75℃
20
V
GS
= 4 V
脉冲测试
20
25°C
25°C
0
2
4
6
8
10
0
2
4
6
8
10
漏极至源极电压V
DS
(V)
栅极至源极电压V
GS
(V)
漏极至源极导通电阻
与漏电流
漏极至源极导通电阻
R
DS （ ON）
(m)
100
V
GS
= 10 V
漏极至源极通态电阻与
栅极至源极电压
漏极至源极导通电阻
R
DS （ ON）
(m)
35
脉冲测试
30
25
10
20
I
D
= 70 A
15
10 A
35 A
10
1
1
10
脉冲测试
0
4
8
12
16
20
100
栅极至源极电压V
GS
(V)
漏电流I
D
(A)
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RJK1021DPN
漏极至源极导通电阻
与温度的关系
40
V
GS
= 10 V
脉冲测试
正向转移导纳主场迎战
漏电流
正向转移导纳| YFS | （ S）
漏极至源极导通电阻
R
DS （ ON）
(m)
1000
30
100
TC =
25°C
20
I
D
= 50 A
35 A
10 A
10
75°C
25°C
10
1
V
DS
= 10 V
脉冲测试
0
25
0
25
50
75
100 125 150
0.1
0.1
1
10
100
壳温度（ ° C）
漏电流
I
D
(A)
体漏二极管的反向
恢复时间
典型的电容比。
漏源极电压
10000
西塞
反向恢复时间trr （ NS ）
100
电容C （PF ）
1000
科斯
100
CRSS
V
GS
= 0
F = 1 MHz的
的di / dt =
100
A /
s
V
GS
= 0 ， TA = 25℃
10
0.1
10
1
10
100
1
10
100
反向漏电流I
DR
(A)
漏极至源极电压V
DS
(V)
动态输入特性
开关特性
漏极至源极电压V
DS
(V)
120
V
GS
V
DS
12
开关时间t（ NS ）
V
DD
= 25 V
50 V
80 V
I
D
= 70 A
栅极至源极电压V
GS
(V)
160
16
1000
V
GS
= 10 V, V
DD
= 50 V
PW = 5
s,
税
≤
1 %
R
G
= 25
TD （关闭）
80
8
100
tf
40
V
DD
= 80 V
50 V
25 V
4
TD （上）
tr
0
72
96
120
0
24
48
10
0.1
1
10
100
栅极电荷Qg （ NC ）
漏电流I
D
(A)
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反向漏电流 -
源极到漏极电压
100
雪崩电流vs.Case温度
40
L = 100
H
I
DR
(A)
80
10 V
5V
40
V
GS
= 0 V, -5 V
20
雪崩电流I
AP
(A)
脉冲测试
30
反向漏电流
60
20
10
0
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
0
25
50
75
100 125 150 175 200
源极到漏极电压V
SD
(V)
壳温度（ ° C）
归瞬态热阻抗与脉冲宽度
归瞬态热阻抗
γ
秒（ t）的
10.0
3
1
D=1
0.5
0.3
0.2
0.1
5
0.0
0.02
0.0
1
0.1
θch
- C （T ） =
γs
(t)
θch
– c
θch
- C = 1.25 ° C / W ，TC = 25°C
P
DM
PW
T
0.03
1s
LSE
pu
t
ho
D=
PW
T
0.01
100
1m
10 m
100 m
1
10
脉冲宽度
PW （S ）
开关时间测试电路
输入电压监视器
D.U.T.
R
L
25
VIN
10 V
V
DD
= 50 V
TD （上）
VOUT
MONITOR
VIN
VOUT
10%
10%
波形
90%
10%
90%
TD （关闭）
tf
90%
tr
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