【初步数据表RJK0853DPB硅N沟道功率MOS FET电源开关特点高速开关能够4.5 V门极驱动低】,IC型号RJK0853DPB,RJK0853DPB PDF资料,RJK0853DPB经销商,ic,电子元器件-51电子网

初步

数据表

RJK0853DPB

硅N沟道功率MOS FET

电源开关

特点

高速开关

能够4.5 V门极驱动

低驱动电流

高密度安装

R07DS0081EJ0202

（上一篇： REJ03G1772-0201 ）

Rev.2.02

2010年7月30日

低导通电阻

DS （ ON）

= 6.2 m

（典型值）。（在V

= 10 V)

无铅

无卤

概要

瑞萨封装代码： PTZZ0005DA -A

（包名称： LFPAK ）

1, 2, 3

来源

门

漏

S S S

1 2 3

应用

开关电源

绝对最大额定值

（ TA = 25°C ）

项

漏源极电压

栅极至源极电压

漏电流

漏电流峰值

体漏二极管的反向漏电流

雪崩电流

雪崩能量

散热通道

通道到外壳热阻

通道温度

储存温度

注意事项： 1， PW

占空比

2.价值在总胆固醇= 25°C ， RG

3， TC = 25℃

符号

DSS

GSS

D(pulse)Note1

AP注2

AR注2

PCH

Note3

θch -C

总胆固醇

TSTG

评级

160

53.3

1.92

150

-55到+150

单位

° C / W

本产品为低电压驱动（ 10V ）。

如果驱动电压高于10 V正常情况下，请使用本产品的高栅源截止电压

GS （ OFF ）

），其特性得到了改善。

R07DS0081EJ0202 Rev.2.02

2010年7月30日

第1页6

RJK0853DPB

初步

电气特性

（ TA = 25°C ）

项

漏源击穿电压

门源漏电流

零栅极电压漏极电流

门源截止电压

静态漏源导通状态

阻力

正向转移导纳

输入电容

输出电容

反向传输电容

栅极电阻

总栅极电荷

门源费

栅漏电荷

导通延迟时间

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

体漏二极管的正向电压

体漏二极管反向恢复

时间

注： 4.脉冲测试

符号

（ BR ） DSS

GSS

DSS

GS （ OFF ）

DS （ ON）

西塞

科斯

CRSS

QGS

QGD

D（上）

D（关闭）

民

—

1.2

—

典型值

—

6.2

6.7

100

6170

600

235

0.5

7.2

0.82

最大

—

0.1

2.5

8.0

9.2

—

1.1

—

单位

测试条件

= 10 mA时， V

= 0 V

V, V

= 0 V

= 80 V, V

= 0 V

= 10 V，I

= 1毫安

= 20 A，V

= 10 V

Note4

= 20 A，V

= 4.5 V

Note4

= 20 A，V

= 10 V

Note4

= 10 V, V

= 0 V,

F = 1 MHz的

= 25 V, V

= 4.5 V,

= 40 A

= 10 V，I

= 20 A,

30 V ，R

= 1.5

RG = 4.7

= 40 A，V

= 0 V

Note4

= 40 A，V

= 0 V,

/ DT = 100 A /

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2010年7月30日

第2 6

RJK0853DPB

初步

主要特点

功率与温度降额

1000

最高安全工作区

TC = 25°C

1次脉冲

P沟（W）的

漏电流I

(A)

100

散热通道

PW = 10毫秒

1在操作

这个区域是

直流操作

限于由R

DS （ ON）

0.1

0.01

0.1

100

150

200

100

壳温度（ ° C）

漏极至源极电压V

(V)

典型的输出特性

脉冲测试

5 V, 10 V

2.8V

典型的传输特性

= 10 V

脉冲测试

漏电流I

(A)

漏电流I

(A)

2.6 V

25°C

TC = 75℃

–25°C

= 2.4 V

漏极至源极电压V

(V)

漏极至源极饱和电压与

栅极至源极电压

脉冲测试

320

栅极至源极电压V

(V)

静态漏极至源极通态电阻

与漏电流

漏极至源极导通电阻

DS （ ON）

(mΩ)

漏极至源极饱和电压

DS （ ON）

（毫伏）

400

100

脉冲测试

240

= 4.5 V

10 V

160

= 20 A

10 A

100

1000

栅极至源极电压V

(V)

漏电流I

(A)

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2010年7月30日

第3页6

RJK0853DPB

静态漏极至源极通态电阻

与温度的关系

脉冲测试

= 20 A

10000

初步

典型的电容比。

漏源极电压

西塞

静态漏极至源极通态电阻

DS （ ON）

(mΩ)

电容C （PF ）

1000

科斯

CRSS

100

= 4.5 V

10 V

–25

100 125 150

= 0 V

F = 1 MHz的

壳温度（

漏极至源极电压V

(V)

反向漏电流 -

源极到漏极电压

栅极至源极电压V

(V)

动态输入特性

漏极至源极电压V

(V)

200

反向漏电流I

(A)

= 40 A

脉冲测试

10 V

160

120

= 50 V

25 V

10 V

= 0 V

= 50 V

25 V

10 V

100

0.4

0.8

1.2

1.6

2.0

栅极电荷Qg （ NC ）

源极到漏极电压V

(V)

最大雪崩能量 -

通道温度降额

重复性雪崩能量ê

（兆焦耳）

100

= 20 A

= 50 V

值班< 0.1 ％

≥

100

125

150

沟道温度Tch （ ° C）

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2010年7月30日

第4 6

RJK0853DPB

归瞬态热阻抗与脉冲宽度

初步

归瞬态热阻抗

秒（ t）的

TC = 25°C

D=1

0.3

0.5

0.2

0.1

θch

- C （T ） =

S（ T）

θch

– c

θch

- C = 1.92 ° C / W ，TC = 25°C

10 m

100 m

0.03

0.05

0.0

LSE

吨PU

100

0.01

脉冲宽度PW （S ）

雪崩测试电路

雪崩波形

AP2

DSS

– V

（ BR ） DSS

MONITOR

D. U.牛逼

VIN

15 V

开关时间测试电路

输入电压监视器

D.U.T.

= 30 V

VIN

VOUT

VIN

10 V

VOUT

MONITOR

开关时间波形

90%

10%

90%

TD （上）

90%

TD （关闭）

R07DS0081EJ0202 Rev.2.02

2010年7月30日

分页： 5 6

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