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初步
数据表
RJK0701DPN-E0
N沟道MOS FET
75 V ， 100 A ， 3.8 m
特点
高速开关
低驱动电流
低导通电阻R
DS （ ON）
= 3.0 m （典型值） 。 （在V
GS
= 10 V)
封装TO - 220AB
R07DS0622EJ0200
Rev.2.00
2012年8月24日
概要
瑞萨封装代码： PRSS0004AG -A
（包名称： TO- 220AB ）
4
2, 4
D
1G
1
1.门
2.漏
3.源
4.漏
S
3
2
3
绝对最大额定值
（ TA = 25°C ）
项
漏源极电压
栅极至源极电压
漏电流
漏电流峰值
体漏二极管的反向漏电流
雪崩电流
雪崩能量
散热通道
通道到外壳的热阻
通道温度
储存温度
符号
V
DSS
V
GSS
I
D
I
D（脉冲）
I
DR
Note2
I
AP
Note2
E
AS
PCH
Note3
θch -C
总胆固醇
TSTG
Note1
评级
75
±20
100
300
100
50
375
200
0.63
150
-55到+150
单位
V
V
A
A
A
A
mJ
W
° C / W
C
C
注意事项： 1， PW
10
s,
占空比
1%
2.价值为L = 100
H,
TCH = 25C ， RG
50,
3， TC = 25℃
R07DS0622EJ0200 Rev.2.00
2012年8月24日
第1页6
RJK0701DPN-E0
初步
电气特性
（ TA = 25°C ）
项
漏源击穿电压
门源漏电流
零栅极电压漏极电流
门源截止电压
静态漏源导通状态
阻力
正向转移导纳
输入电容
输出电容
反向传输电容
栅极电阻
总栅极电荷
门源费
栅漏电荷
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
体漏二极管的正向电压
体漏二极管的反向恢复时间
注： 4.脉冲测试
符号
V
（ BR ） DSS
I
GSS
I
DSS
V
GS （ OFF ）
R
DS （ ON）
|y
fs
|
西塞
科斯
CRSS
Rg
Qg
QGS
QGD
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
V
DF
t
rr
民
75
—
—
2.0
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
典型值
—
—
—
—
3.0
130
10000
1900
480
1.6
140
50
21
53
25
100
24
0.85
65
最大
—
±0.1
1
4.0
3.8
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
1.5
—
单位
V
A
A
V
m
S
pF
pF
pF
nC
nC
nC
ns
ns
ns
ns
V
ns
测试条件
I
D
= 10毫安，V
GS
= 0
V
GS
=
20
V, V
DS
= 0
V
DS
= 75 V, V
GS
= 0
V
DS
= 10 V，I
D
= 1毫安
I
D
= 50 A，V
GS
= 10 V
Note4
I
D
= 50 A，V
D
= 10 V
Note4
V
DS
= 10 V
V
GS
= 0
F = 1 MHz的
V
DD
= 25 V
V
GS
= 10 V,
I
D
= 50 A
V
GS
= 10 V
I
D
= 50 A
V
DD
30 V
RG = 4.7
I
F
= 100 A，V
GS
= 0
Note4
I
F
= 100 A，V
GS
= 0
di
F
/ DT = 100 A / μs的
R07DS0622EJ0200 Rev.2.00
2012年8月24日
第2 6
RJK0701DPN-E0
初步
主要特点
功率与温度降额
250
1000
10
最高安全工作区
10
μs
0
μ
s
1
s
m
通道耗散P沟（W）的
漏电流I
D
(A)
200
100
直流操作
PW = 10毫秒
150
10
100
1
操作在此
区域由限定
R
DS （ ON）
50
0.1
0.01
0.1
TC = 25°C
1次脉冲
0
50
100
150
200
1
10
100
壳温度（ ° C）
漏极至源极电压V
DS
(V)
典型的输出特性
100
6V
5.4 V
7V
10 V
100
典型的传输特性
V
DS
= 10 V
脉冲测试
漏电流I
D
(A)
漏电流I
D
(A)
80
80
60
5V
40
60
TC = 75℃
40
20
V
GS
= 4.6 V
脉冲测试
20
25°C
25°C
2
4
6
8
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
0
漏极至源极电压V
DS
(V)
栅极至源极电压V
GS
(V)
漏极至源极导通电阻
与漏电流
漏极至源极导通电阻
R
DS （ ON）
(mΩ)
100
V
GS
= 10 V
脉冲测试
漏极至源极饱和电压与
栅极至源极电压
漏极至源极饱和电压
V
DS （ ON）
（毫伏）
400
脉冲测试
300
10
200
50 A
100
30 A
I
D
= 10 A
0
4
8
12
16
20
1
0.1
1
10
100
1000
栅极至源极电压V
GS
(V)
漏电流I
D
(A)
R07DS0622EJ0200 Rev.2.00
2012年8月24日
第3页6
RJK0701DPN-E0
漏极至源极导通电阻
与温度的关系
漏极至源极导通电阻
R
DS （ ON）
(mΩ)
10
脉冲测试
V
DS
= 10 V
I
D
= 50 A
8
100000
初步
典型的电容比。
漏源极电压
V
GS
= 0
F = 1 MHz的
西塞
电容C （PF ）
10000
6
4
科斯
1000
CRSS
2
0
25
0
25
50
75
100 125 150
100
0.1
1
10
100
壳温度（ ° C）
漏极至源极电压V
DS
(V)
反向漏电流 -
源极到漏极电压
100
动态输入特性
栅极至源极电压V
GS
(V)
20
16
I
DR
(A)
I
D
= 50 A
V
DD
= 10 V
25 V
50 V
脉冲测试
80
10 V
60
V
GS
= 0 V
40
12
8
4
反向漏电流
200
20
0
40
80
120
160
0
0.5
1.0
1.5
2.0
栅极电荷Qg （ NC ）
最大雪崩能量 -
通道温度降额
400
I
AP
= 50 A
V
DD
= 50 V
值班< 0.1 ％
Rg
≥
50
Ω
源极到漏极电压V
SD
(V)
雪崩能量E
AS
（兆焦耳）
300
200
100
0
25
50
75
100
125
150
沟道温度Tch （ ° C）
R07DS0622EJ0200 Rev.2.00
2012年8月24日
第4 6
RJK0701DPN-E0
归瞬态热阻抗与脉冲宽度
归瞬态热阻抗
γ
秒（ t）的
10.0
初步
3
1
D=1
0.5
0.3
0.2
0.1
0.1
0.05
θch
- C （T ） =
γs
(t)
θch
– c
θch
- C = 0.63 ° C / W ，TC = 25°C
0.02
0.01
P
DM
PW
T
D=
PW
T
0.03
1SHOT脉冲
0.01
100
μ
1m
10 m
100 m
1
10
脉冲宽度
PW （S ）
开关时间测试电路
输入电压监视器
D.U.T.
R
L
25
Ω
VIN
10 V
V
DD
= 30 V
TD （上）
VOUT
MONITOR
VIN
VOUT
10%
10%
波形
90%
10%
90%
TD （关闭）
tf
90%
tr
R07DS0622EJ0200 Rev.2.00
2012年8月24日
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