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初步
数据表
RJK0631JPE
硅N沟道功率MOS FET
高速电源开关
特点
汽车应用
AEC- Q101标准
低导通电阻,R
DS ( ON)
= 12毫欧(典型值) 。
能够4.5 V门极驱动
低输入电容:西塞= 1350 pF的典型值
R07DS0341EJ0100
Rev.1.00
2011年5月11日
概要
瑞萨封装代码: PRSS0004AE -B
(包名称: LDPAK ( S) - ( 1 ) )
2, 4
D
4
1.门
2.漏
3.源
4.漏
1
1G
2
3
S
3
绝对最大额定值
( TA = 25°C )
漏源极电压
栅极至源极电压
漏电流
漏电流峰值
体漏二极管的反向漏电流
体漏二极管反向漏电流峰值
雪崩电流
雪崩能量
散热通道
通道温度
储存温度
注意事项: 1, PW
10s占空比
1%
2.总胆固醇= 25C , RG
50
Ω
3, TC = 25℃
4.符合AEC -Q101标准
符号
V
DSS
V
GSS
I
D
I
D(脉冲)注1
I
DR
I
DR (脉冲)注1
I
AP
E
AR注2
PCH
Note3
总胆固醇
Note4
TSTG
Note2
价值
60
±20
30
120
30
120
18
27.8
60
175
-55到+150
单位
V
V
A
A
A
A
A
mJ
W
°C
°C
热阻抗特性
通道到外壳的热阻
ch -C :
2.5°C/W
R07DS0341EJ0100 Rev.1.00
2011年5月11日
第1页6
RJK0631JPE
初步
电气特性
( TA = 25°C )
门源漏电流
零栅极电压漏极电流
门源截止电压
静态漏源导通状态
阻力
输入电容
输出电容
反向传输电容
总栅极电荷
门源费
栅漏电荷
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
体漏二极管的正向电压
体漏二极管反向恢复
时间
注意:
5.脉冲测试
符号
I
GSS
I
DSS
V
GS ( OFF )
R
DS ( ON)
西塞
科斯
CRSS
Qg
QGS
QGD
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
t
f
V
DF
t
rr
1.0
典型值
12
15
1350
360
270
32
3.6
10
13
15
60
15
0.94
40
最大
±10
1
2.0
15
20
1.22
单位
μA
μA
V
pF
pF
pF
nC
nC
nC
ns
ns
ns
ns
V
ns
测试条件
V
GS
=
±20V,
V
DS
= 0
V
DS
= 60 V, V
GS
= 0
I
D
= 1毫安, V
DS
= 10 V
I
D
= 15 A,V
GS
= 10 V
Note5
I
D
= 15 A,V
GS
= 4.5 V
Note5
V
DS
= 10V, V
GS
= 0,
F = 1 MHz的
V
DD
= 25 V, V
GS
= 10 V,
I
D
= 30 A
I
D
= 15 A,R
L
= 2
Ω,
V
GS
= 10 V ,R
G
= 4.7
Ω
I
F
= 30 A,V
GS
= 0
Note5
I
F
= 30 A,V
GS
= 0
di
F
/ DT = 100 A / μs的
R07DS0341EJ0100 Rev.1.00
2011年5月11日
第2 6
RJK0631JPE
初步
主要特点
动力
与温度的关系
降额
100
1000
最大
安全
手术
区域
P沟(W)的
电流I
D
(A)
80
100
10
μ
s
10
0
μ
s
通道
耗散
60
10
1
s
m
P
W
D
C
=
p
e
O
40
1
手术
in
此区域
被限制
R
DS ( ON)
TC =
25°C
1
镜头
脉冲
10
m
s
t
i
o
ra
n
20
0.1
0.01
0.1
0
50
100
150
200
1
10
100
壳温度
(°C)
漏极至源极
电压
V
DS
(V)
典型的输出特性
50
10
V
4.5 V
3.1
V
100
典型的传输特性
TC =
175°C
电流I
D
(A)
电流I
D
(A)
40
10
25°C
40°C
30
V
GS
=
2.6
V
1
20
0.1
10
TC =
25°C
脉冲
TEST
0
5
10
0.01
0.001
0
V
DS
=
10
V
脉冲
TEST
1
2
3
4
5
漏极至源极
电压V
DS
(V)
漏源饱和
电压 -
门源
电压
50
I
D
=
15 A
脉冲
TEST
40
30
TC =
175°C
门源
电压V
GS
(V)
静态漏极至源极通电阻
当前
100
TC =
25°C
脉冲
TEST
静态漏源
On
态电阻
R
DS ( ON)
(mΩ)
静态漏源
On
态电阻
R
DS ( ON)
(mΩ)
V
GS
= 4.5 V
10
10
V
20
10
0
0
4
8
25°C
40°C
12
16
20
1
1
10
100
门源
电压V
GS
(V)
电流I
D
(A)
R07DS0341EJ0100 Rev.1.00
2011年5月11日
第3页6
RJK0631JPE
静态漏极至源极通态电阻
温度
50
脉冲测试
I
D
= 15 A
10000
TC = 25°C
V
GS
= 0
f
= 1
兆赫
3000
初步
典型
电容与
漏极至源极
电压
静态漏源
On
态电阻
R
DS ( ON)
(mΩ)
30
V
GS
= 4.5
V
20
10
V
10
电容C
(PF )
40
西塞
1000
300
科斯
CRSS
0
5
10
15
20
25
30
0
50
100
0
50
100
150
200
温度Tc (℃)
漏极至源极
电压V
DS
(V)
反向漏
电流 -
源极到漏极
电压
门源
电压V
GS
(V)
20
50
动态输入
特征
漏极至源极
电压V
DS
(V)
50
TC = 25°C
I
D
= 30 A
40
V
GS
V
DD
= 25
V
10
V
5V
16
反向漏
当前
I
DR
(A)
10
V
40
TC = 25°C
脉冲测试
30
V
DS
20
V
DD
= 25
V
10
V
5V
10
20
30
40
12
30
8
20
V
GS
= 0,
5
V
10
4
0
10
0
50
0
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
收费
QG ( NC )
源极到漏极
电压V
SD
(V)
雪崩能量
通道
温度降额
重复性雪崩能量ê
AR
(兆焦耳)
100
I
AP
= 27 A
V
DD
= 25
V
值班< 0.1 %
Rg
50
Ω
80
60
40
20
0
25
50
75
100
125
150
175
通道
温总胆固醇( ° C)
R07DS0341EJ0100 Rev.1.00
2011年5月11日
第4 6
RJK0631JPE
归瞬态热阻抗
γ
s
(t)
初步
归瞬态热阻抗对比
脉冲
宽度
10
1
D
=
1
0.5
0.2
0.1
0
.1
0
.
0
5
0
.
01
h
1
s
p
ot
u
ls
e
θch
C( T)
=
γs
(t)
θch
c
θch
c
=
2.5°C/W,
TC =
25°C
P
DM
PW
T
D
=
PW
T
0
.
02
0.01
10
μ
100
μ
1m
10 m
100 m
1
10
脉冲
宽度
PW (S )
雪崩
测试电路
V
DS
MONITOR
L
I
AP
MONITOR
雪崩
波形
E
AR
=
1
2
L
I
AP2
V
DSS
V
DSS
– V
DD
V
( BR ) DSS
Rg
D.
牛逼U.
V
DD
I
AP
V
DS
VIN
15
V
50
Ω
I
D
0
V
DD
开关
时间测试电路
输入电压监视器
D.U.T.
Rg
R
L
V
DS
=
30
V
VIN
VOUT
VIN
10
V
VOUT
MONITOR
开关
时间波形
90%
10%
10%
10%
90%
TD (上)
tr
90%
TD (关闭)
t
f
R07DS0341EJ0100 Rev.1.00
2011年5月11日
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    联系人:杨小姐
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    RJK0631JPE
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RJK0631JPE
VB
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