初步
数据表
RJK0630JPE
硅N沟道MOS FET
高速电源开关
特点
汽车应用
AEC- Q101标准
低导通电阻,R
DS ( ON)
= 6.2毫欧(典型值) 。
能够4.5 V门极驱动
低输入电容:西塞= 2100 pF的典型值。
R07DS0340EJ0100
Rev.1.00
2011年4月18日
概要
瑞萨封装代码: PRSS0004AE -B
(包名称: LDPAK ( S) - ( 1 ) )
2, 4
D
4
1G
1
2
3
1.
2.
3.
4.
门
漏
来源
漏
S
3
绝对最大额定值
( TA = 25°C )
项
漏源极电压
栅极至源极电压
漏电流
漏电流峰值
体漏二极管的反向漏电流
体漏二极管反向漏电流峰值
雪崩电流
雪崩能量
散热通道
通道温度
储存温度
注意事项: 1, PW
≤
10
μs,
占空比
≤
1%
2.总胆固醇= 25C , RG
≥
50
Ω
3, TC = 25℃
4.符合AEC -Q101标准
符号
V
DSS
V
GSS
I
D
I
D
(脉冲)
记
1
I
DR
I
DR
(脉冲)
记
1
I
AP
记
2
2
E
AR
记
PCH
记
3
总胆固醇
记
4
TSTG
价值
60
±20
75
300
75
300
35
105
85
175
-55到+150
单位
V
V
A
A
A
A
A
mJ
W
°C
°C
热阻抗特性
通道到外壳的热阻
ch -C :
1.76°C/W
R07DS0340EJ0100 Rev.1.00
2011年4月18日
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