初步
RJK0629DPE
N沟道功率MOS FET
高速开关使用
特点
V
DSS
: 60 V
R
DS （ ON）
： 4.5 m （最大）
I
D
: 85 A
REJ03G1874-0100
Rev.1.00
2009年12月15日
概要
瑞萨封装代码： PRSS0004AE -B
（包名称： LDPAK （ S） - （ 1 ） ）
2, 4
D
4
1
1G
2
3
1.
2.
3.
4.
门
漏
来源
漏
S
3
绝对最大额定值
（ TA = 25°C ）
项
漏源极电压
栅极至源极电压
漏电流
漏电流峰值
体漏二极管的反向漏电流
体漏二极管反向漏电流峰值
雪崩电流
散热通道
通道到外壳的热阻
通道温度
储存温度
注意事项： 1， PW
≤
10
μs,
占空比
≤
1%
2.锝= 25C ，总胆固醇
≤
150℃， L = 100
μH
3.价值在Tc = 25℃
符号
V
DSS
V
GSS
I
D
I
D
（脉冲）
记
1
I
DR
I
DR
（脉冲）
记
1
I
AP
记
2
PCH
记
3
θch -C
总胆固醇
TSTG
价值
60
±20
85
340
85
340
55
100
1.25
150
-55到+150
单位
V
V
A
A
A
A
A
W
° C / W
°C
°C
REJ03G1874-0100 Rev.1.00二零零九年十二月十五日
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RJK0629DPE
初步
电气特性
（ TA = 25°C ）
项
漏源击穿电压
栅源击穿电压
零栅极电压漏极电流
门源漏电流
门源截止电压
静态漏源导通状态电压
静态漏源导通状态
阻力
输入电容
输出电容
反向传输电容
总栅极电荷
门源费
栅漏电荷
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
体漏二极管的正向电压
体漏二极管的反向恢复时间
注意：
4.脉冲测试
符号
V
（ BR ） DSS
V
（ BR ） GSS
I
DSS
I
GSS
V
GS （ OFF ）
V
DS （ ON）
R
DS （ ON）
西塞
科斯
CRSS
Qg
QGS
QGD
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
V
DF
t
rr
民
60
±20
—
—
1.0
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
典型值
—
—
—
—
—
161
3.75
4.9
4100
1000
780
85
11
25
20
40
100
40
0.92
50
最大
—
—
1
±10
2.0
194
4.5
6.6
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
1.2
—
单位
V
V
μA
μA
V
mV
mΩ
mΩ
pF
pF
pF
nC
nC
nC
ns
ns
ns
ns
V
ns
测试条件
I
D
= 100
μA,
V
GS
= 0
I
G
=
±100 μA,
V
DS
= 0
V
DS
= 60 V, V
GS
= 0
V
GS
=
±20
V, V
DS
= 0
I
D
= 1毫安， V
DS
= 10 V
I
D
= 43A ，V
GS
= 10 V
记
4
I
D
= 43A ，V
GS
= 10 V
记
4
I
D
= 43 A，V
GS
= 4.5 V
记
4
V
DS
= 10 V, V
GS
= 0
F = 1 MHz的
V
DD
= 25 V, V
GS
= 10 V,
I
D
= 85 A
V
DD
= 30V ，我
D
= 43A,
V
GS
= 10 V ，R
G
= 4.7
Ω
I
F
= 85 A，V
GS
= 0
记
4
I
F
= 85 A，V
GS
= 0,
di
F
/ DT = 100 A / μs的
REJ03G1874-0100 Rev.1.00二零零九年十二月十五日
第2 6
RJK0629DPE
初步
主要特点
功率与温度降额
200
1000
10
μ
s
最高安全工作区
P沟（W）的
I
D
(A)
150
100
1
0
10
μ
s
s
m
散热通道
10
操作
1
这个区域是
限于由R
DS （ ON）
PW
100
漏电流
=
10
s
m
DC
Op
er
at
离子
50
0.1
0.01
0.1
TC = 25°C
1次脉冲
0
50
100
150
200
1
10
100
外壳温度
TC （ ℃）
漏源极电压
V
DS
(V)
典型的输出特性
100
10 V
5V
100
3V
典型的传输特性
TC = 175℃
漏电流I
D
(A)
漏电流I
D
(A)
80
10
25°C
40°C
60
V
GS
= 2.7 V
1
40
0.1
20
TC = 25°C
脉冲测试
0
5
10
0.01
0.001
0
V
DS
= 10 V
脉冲测试
1
2
3
4
5
漏源极电压
V
DS
(V)
栅极至源极电压
V
GS
(V)
静态漏极至源极通态电阻
与门源电压
漏极至源极导通电阻
R
DS （ ON）
(mΩ)
20
I
D
= 43 A
脉冲测试
15
静态漏极至源极通态电阻
与漏电流
漏极至源极导通电阻
R
DS （ ON）
(mΩ)
100
TC = 25°C
脉冲测试
10
TC = 175℃
10
V
GS
= 4.5 V
10 V
5
25°C
40°C
0
0
4
8
12
16
20
1
1
10
100
栅极至源极电压
V
GS
(V)
漏电流
I
D
(A)
REJ03G1874-0100 Rev.1.00二零零九年十二月十五日
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RJK0629DPE
静态漏极至源极通态电阻
与温度的关系
20
脉冲测试
I
D
= 43 A
10000
初步
典型的电容比。
漏源极电压
静态漏极至源极通态电阻
R
DS （ ON）
(mΩ)
电容C （PF ）
16
西塞
3000
12
V
GS
= 4.5 V
8
1000
科斯
CRSS
TC = 25°C
V
GS
= 0
F = 1 MHz的
0
5
10
15
20
25
30
4
10 V
300
0
50
100
0
50
100
150
200
壳温度（ ° C）
漏极至源极电压V
DS
(V)
动态输入特性
漏极至源极电压V
DS
(V)
栅极至源极电压V
GS
(V)
50
V
GS
16
反向漏电流 -
源极到漏极电压
20
100
反向漏电流I
DR
(A)
TC = 25°C
I
D
= 85 A
V
DD
= 25 V
10 V
5V
V
DS
10 V
80
TC = 25°C
脉冲测试
40
30
12
60
20
V
DD
= 25 V
10 V
5V
40
80
120
160
8
40
V
GS
= 0,
5
V
10
4
0
200
20
0
0
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
栅极电荷Qg （ NC ）
最大雪崩能量 -
通道温度降额
重复性雪崩能量ê
AR
（兆焦耳）
500
I
AP
= 55 A
V
DD
= 25 V
值班< 0.1 ％
Rg
≥
50
Ω
源极到漏极电压V
SD
(V)
400
300
200
100
0
25
50
75
100
125
150
175
沟道温度Tch （ ° C）
REJ03G1874-0100 Rev.1.00二零零九年十二月十五日
第4 6
RJK0629DPE
归瞬态热阻抗
γ
秒（ t）的
归瞬态热阻抗与脉冲宽度
10
初步
1
D=1
0.5
0.2
0.1
0.1
0.05
θch
- C （T ） =
γs
(t)
θch
– c
θch
- C = 1.25 ° C / W ，TC = 25°C
0.01
ho
u
tp
LSE
P
DM
PW
T
D=
PW
T
0.02
1s
0.01
10
μ
100
μ
1m
10 m
100 m
1
10
脉冲宽度PW （S ）
雪崩测试电路
V
DS
MONITOR
L
I
AP
MONITOR
E
AR
=
雪崩波形
1
2
L
I
AP
2
V
DSS
V
DSS
– V
DD
V
（ BR ） DSS
Rg
D. U.牛逼
V
DD
I
AP
V
DS
VIN
15 V
50
Ω
I
D
0
V
DD
开关时间测试电路
输入电压监视器
D.U.T.
Rg
R
L
V
DS
= 30 V
VIN
VOUT
VIN
10 V
VOUT
MONITOR
开关时间波形
90%
10%
10%
10%
90%
TD （上）
tr
90%
TD （关闭）
tf
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