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初步
数据表
RJK0628JPE
硅N沟道MOS FET
高速电源开关
特点
汽车应用
AEC- Q101标准
低导通电阻,R
DS ( ON)
= 2.6毫欧(典型值) 。
能够4.5 V门极驱动
低输入电容:西塞= 5400 pF的典型值
R07DS0336EJ0100
Rev.1.00
2011年4月18日
概要
瑞萨封装代码: PRSS0004AE -B
(包名称: LDPAK ( S) - ( 1 ) )
4
2, 4
D
1
2
1G
3
1.
2.
3.
4.
来源
S
3
绝对最大额定值
( TA = 25°C )
漏源极电压
栅极至源极电压
漏电流
漏电流峰值
体漏二极管的反向漏电流
体漏二极管反向漏电流峰值
雪崩电流
雪崩能量
散热通道
通道温度
储存温度
注意事项: 1, PW
10
μs,
占空比
1%
2.总胆固醇= 25C , RG
50
Ω
3, TC = 25℃
4.符合AEC -Q101标准
符号
V
DSS
V
GSS
I
D
I
D
(脉冲)
1
I
DR
3
I
DR
(脉冲)
1
I
AP
2
E
AR
2
PCH
3
总胆固醇
4
TSTG
价值
60
+20 / –5
160
640
160
640
65
362
192
175
-55到+150
单位
V
V
A
A
A
A
A
mJ
W
°C
°C
热阻抗特性
通道到外壳的热阻
ch -C :
0.781°C/W
R07DS0336EJ0100 Rev.1.00
2011年4月18日
第1页6
RJK0628JPE
初步
电气特性
( TA = 25°C )
门源漏电流
零栅极电压漏极电流
门源截止电压
静态漏源导通状态
阻力
输入电容
输出电容
反向传输电容
总栅极电荷
门源费
栅漏电荷
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
体漏二极管的正向电压
体漏二极管反向恢复
时间
注意:
5.脉冲测试
符号
I
GSS
I
DSS
V
GS ( OFF )
R
DS ( ON)
R
DS ( ON)
西塞
科斯
CRSS
Qg
QGS
QGD
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
t
f
V
DF
t
rr
1.0
典型值
2.6
3.6
5400
1400
1100
120
15
35
20
45
120
60
0.96
60
最大
±10
1
2.0
3.2
4.9
1.25
单位
μA
μA
V
pF
pF
pF
nC
nC
nC
ns
ns
ns
ns
V
ns
测试条件
V
GS
= +20/–5 V, V
DS
= 0
V
DS
= 60 V, V
GS
= 0
I
D
= 1毫安, V
DS
= 10 V
I
D
= 80 A,V
GS
= 10 V
5
I
D
= 80 A,V
GS
= 4.5 V
5
V
DS
= 10 V,
V
GS
= 0
F = 1 MHz的
V
DD
= 25 V, V
GS
= 10 V,
I
D
= 80 A
I
D
= 80 A,R
L
= 0.375
Ω
V
GS
= 10 V ,R
G
= 4.7
Ω
I
F
= 160 A,V
GS
= 0
5
I
F
= 80 A,V
GS
= 0,
di
F
/ DT = 100 A / μs的
R07DS0336EJ0100 Rev.1.00
2011年4月18日
第2 6
RJK0628JPE
初步
主要特点
功率与温度降额
200
1000
10
μ
s
最高安全工作区
P沟(W)的
10
漏电流I
D
(A)
150
100
1
0
μ
s
m
s
散热通道
10
手术
在这个区域
有限
DS ( ON)
PW
=
100
10
m
1
s
50
直流操作
0.1
0.01
0.1
TC = 25°C
1次脉冲
0
50
100
150
200
1
10
100
外壳温度
TC ( ℃)
漏源极电压
V
DS
(V)
典型的输出特性
200
10 V
5V
3V
1000
100
典型的传输特性
漏电流I
D
(A)
漏电流I
D
(A)
160
TC = 175℃
10
1
40°C
0.1
0.01
0.001
0
25°C
120
80
V
GS
= 2.6 V
40
TC = 25°C
脉冲测试
0
5
10
V
DS
= 10 V
脉冲测试
1
2
3
4
5
漏极至源极电压V
DS
(V)
静态漏极至源极通态电阻与
栅极至源极电压
20
I
D
= 80 A
脉冲测试
15
栅极至源极电压V
GS
(V)
静态漏极至源极通态电阻
与漏电流
100
TC = 25°C
脉冲测试
静态漏极至源极通态电阻
R
DS ( ON)
(mΩ)
静态漏极至源极通态电阻
R
DS ( ON)
(mΩ)
10
TC = 175℃
5
25°C
0
0
4
8
12
16
20
40°C
10
V
GS
= 4.5 V
10 V
1
1
10
100
1000
栅极至源极电压V
GS
(V)
漏电流I
D
(A)
R07DS0336EJ0100 Rev.1.00
2011年4月18日
第3页6
RJK0628JPE
静态漏极至源极通态电阻
温度
10
脉冲
TEST
I
D
=
80 A
10000
初步
典型
电容与
漏源极电压
静态漏极至源极通态电阻
R
DS ( ON)
(mΩ)
西塞
电容C (PF )
8
V
GS
= 4.5
V
6
3000
1000
科斯
CRSS
4
10 V
2
300
TC =
25°C
V
GS
=
0
f
=
1兆赫
0
5
10
15
20
25
30
0
50
100
0
50
100
150
200
温度Tc
(°C)
漏极至源极电压V
DS
(V)
反向漏电流 -
源极到漏极电压
栅极至源极电压V
GS
(V)
20
200
动态
输入
特征
漏极至源极电压V
DS
(V)
50
V
GS
V
DD
=
25 V
10 V
5V
V
DS
16
反向漏电流
I
DR
(A)
TC =
25°C
I
D
=
160 A
10 V
160
TC =
25°C
脉冲
TEST
40
30
12
120
20
V
DD
=
25 V
10 V
5V
40
80
120
160
8
80
V
GS
=
0,
5
V
10
4
0
200
40
0
0
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
栅极电荷
Qg
( NC )
源极到漏极电压V
SD
(V)
雪崩
能源
通道
温度
降额
重复性雪崩
能量E
AR
(兆焦耳)
500
I
AP
=
55 A
V
DD
=
25 V
& LT ;
0.1
%
Rg
50
Ω
400
300
200
100
0
25
50
75
100
125
150
175
通道
温总胆固醇
(°C)
R07DS0336EJ0100 Rev.1.00
2011年4月18日
第4 6
RJK0628JPE
归瞬态热阻抗
γ
秒( t)的
初步
归瞬态热阻抗
与脉冲宽度
10
1
D
=
1
0.5
0.2
0.1
0.1
0
.
05
0
.
01
sh
l
s
pu
ot
e
θch
C( T)
=
γs
(t)
θch
c
θch
c
=
0.781°C/W,
TC =
25°C
P
DM
PW
T
D
=
PW
T
0
.
02
1
0.01
10
μ
100
μ
1m
10 m
100 m
1
10
脉冲宽度PW (S )
雪崩
TEST
电路
V
DS
MONITOR
L
I
AP
MONITOR
雪崩波形
E
AR
=
1
2
L
I
AP
2
V
DSS
V
DSS
V
DD
V
( BR ) DSS
Rg
D.
牛逼U.
V
DD
I
AP
V
DS
VIN
15 V
50
Ω
I
D
0
V
DD
开关
测试时间
电路
输入电压监视器
D.U.T.
Rg
R
L
V
DS
=
30 V
VIN
VOUT
VIN
10 V
VOUT
MONITOR
开关
时间
波形
90%
10%
10%
10%
90%
TD (上)
tr
90%
TD (关闭)
tf
R07DS0336EJ0100 Rev.1.00
2011年4月18日
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    RJK0628JPE
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    -
    -
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电话:0755-88291559
联系人:陈泽强
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RJK0628JPE
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联系人:朱咸华
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RJK0628JPE
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RJK0628JPE
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