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初步

数据表

RJK0406JPE

硅N沟道MOS FET

高速电源开关

特点

汽车应用

AEC- Q101标准

低导通电阻，R

DS （ ON）

= 1.65 m （典型值）。

大电流器件：我

= 160 A

低输入电容：西塞= 6300 pF的典型值

R07DS0335EJ0200

Rev.2.00

二〇一一年十二月一十九日

概要

瑞萨封装代码： PRSS0004AE -B

（包名称： LDPAK （ S） - （ 1 ））

门

漏

来源

漏

绝对最大额定值

（ TA = 25°C ）

项

漏源极电压

栅极至源极电压

漏电流

漏电流峰值

体漏二极管的反向漏电流

体漏二极管反向漏电流峰值

雪崩电流

雪崩能量

散热通道

通道温度

储存温度

注意事项： 1， PW

占空比

2.总胆固醇= 25C ， RG

3， TC = 25℃

4.符合AEC -Q101标准

符号

DSS

GSS

记

（脉冲）

记

（脉冲）

记

PCH

记

总胆固醇

记

TSTG

价值

+20 / –5

160

640

160

640

653

192

175

-55到+150

单位

热阻抗特性

通道到外壳的热阻

ch -C ：

0.781C/W

R07DS0335EJ0200 Rev.2.00

二〇一一年十二月一十九日

第1页6

RJK0406JPE

初步

电气特性

（ TA = 25°C ）

项

门源漏电流

零栅极电压漏极电流

门源截止电压

静态漏源导通状态

阻力

输入电容

输出电容

反向传输电容

总栅极电荷

门源费

栅漏电荷

导通延迟时间

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

体漏二极管的正向电压

体漏二极管反向恢复

时间

注意：

5.脉冲测试

符号

GSS

DSS

GS （ OFF ）

DS （ ON）

西塞

科斯

CRSS

QGS

QGD

D（上）

D（关闭）

民

—

2.0

—

典型值

—

1.65

6300

2200

1900

155

110

0.94

最大

3.5

2.0

—

1.22

—

单位

测试条件

= +20/–5 V, V

= 0

= 40 V, V

= 0

= 1毫安， V

= 10 V

= 80 A，V

= 10 V

记

= 10 V,

= 0

F = 1 MHz的

= 25 V,

= 10 V,

= 80 A

= 80 A,

= 0.375,

= 10 V,

= 4.7

= 160 A，V

= 0

记

= 80 A，V

= 0,

/ DT = 100 A / μs的

R07DS0335EJ0200 Rev.2.00

二〇一一年十二月一十九日

第2 6

RJK0406JPE

初步

主要特点

功率与温度降额

200

1000

最高安全工作区

通道耗散P沟（W）的

150

漏电流I

(A)

100

手术

在这个区域

有限

DS （ ON）

直流操作

0.1

0.01

0.1

TC = 25°C

1次脉冲

100

150

200

100

外壳温度

TC （ ℃）

漏源极电压

(V)

典型的输出特性

200

10 V

1000

100

典型的传输特性

= 10 V

脉冲测试

漏电流I

(A)

120

= 4.4 V

漏电流I

(A)

160

TC = 175℃

25°C

0.1

0.01

0.001

40°C

TC = 25°C

脉冲测试

漏极至源极电压V

(V)

栅极至源极电压V

(V)

静态漏极至源极通态电阻

与漏电流

TC = 25°C

脉冲测试

= 8 V

10 V

静态漏极至源极通态电阻

DS （ ON）

(mΩ)

= 80 A

脉冲测试

TC = 175℃

40°C

25°C

静态漏极至源极通态电阻

DS （ ON）

(mΩ)

静态漏极至源极通态电阻与

栅极至源极电压

0.1

100

1000

栅极至源极电压V

(V)

漏电流I

(A)

R07DS0335EJ0200 Rev.2.00

二〇一一年十二月一十九日

第3页6

RJK0406JPE

静态漏极至源极通态电阻

与温度的关系

脉冲测试

= 80 A

= 8 V

100000

TC = 25°C

= 0

F = 1 MHz的

10000

初步

典型的电容比。

漏源极电压

静态漏极至源极通态电阻

DS （ ON）

(mΩ)

电容C （PF ）

西塞

10 V

科斯

1000

CRSS

100

150

200

壳温度（ ° C）

漏极至源极电压V

(V)

动态输入特性

漏极至源极电压V

(V)

栅极至源极电压V

(V)

反向漏电流 -

源极到漏极电压

200

= 25 V

10 V

反向漏电流I

(A)

TC = 25°C

= 80 A

TC = 25°C

脉冲测试

160

10 V

120

= 0,

= 25 V

10 V

100

150

200

250

0.4

0.8

1.2

1.6

2.0

栅极电荷Qg （ NC ）

源极到漏极电压V

(V)

雪崩能量 -

通道温度降额

重复性雪崩能量ê

（兆焦耳）

1000

= 70 A

= 25 V

值班< 0.1 ％

≥

800

600

400

200

100

125

150

175

沟道温度Tch （ ° C）

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二〇一一年十二月一十九日

第4 6

RJK0406JPE

归瞬态热阻抗

秒（ t）的

初步

归瞬态热阻抗与脉冲宽度

D=1

0.5

0.2

0.1

0.05

ULS

θch

- C （T ） =

γs

(t)

θch

– c

θch

- C = 0.781 ° C / W ，TC = 25°C

0.01

0.02

0.01

100

10 m

100 m

脉冲宽度PW （S ）

雪崩测试电路

MONITOR

雪崩波形

DSS

– V

（ BR ） DSS

D. U.牛逼

VIN

15 V

开关时间测试电路

输入电压监视器

D.U.T.

= 30 V

VIN

VOUT

VIN

10 V

VOUT

MONITOR

开关时间波形

90%

10%

90%

TD （上）

90%

TD （关闭）

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二〇一一年十二月一十九日

分页： 5 6

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