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初步

数据表

RJK03P7DPA

MOS1 30 V ， 15 A ， 9.4 mΩ以下。

MOS2 30 V ， 30 A ， 5.3 mΩ以下。

内置SBD双N沟道功率MOS FET

高速电源开关

特点

低导通电阻

能够4.5 V门极驱动

高密度安装

无铅

无卤

R07DS0906EJ0110

Rev.1.10

2012年11月1日

概要

瑞萨封装代码： PWSN0008DD -B

（包名称： WPAK -D （ 3 ））

2 3 4

D1 D1 D1

9

S1/D2

5

6

7

8

5 6 7 8

1

G1

8

G2

9

4 3 2 1

4

S2 S2 S2

5 6 7

3

2

1

（底视图）

1, 8

门

2，第3 ，第4 ，第9漏

5，第6 ，第7 ，第9源

MOS1

MOS2和

肖特基二极管

绝对最大额定值

（ TA = 25°C ）

评级

项

漏源极电压

栅极至源极电压

漏电流

漏电流峰值

反向漏电流

雪崩电流

雪崩能量

散热通道

通道温度

储存温度

符号

V

DSS

V

GSS

I

D

I

D（脉冲）

I

DR

I

AP注2

E

AS注2

PCH

Note3

总胆固醇

TSTG

Note1

MOS1

30

±20

15

60

15

8.5

7.23

10

150

-55到+150

MOS2

30

±20

30

120

30

12

14.4

20

150

-55到+150

单位

V

V

A

A

A

A

mJ

W

°

C

°

C

注意事项： 1， PW

10

s,

占空比

1%

2.价值在总胆固醇= 25°C ， RG

50

3.锝= 25C

R07DS0906EJ0110 Rev.1.10

2012年11月1日

分页： 10 1

RJK03P7DPA

初步

电气特性

MOS1

（ TA = 25°C ）

项

漏源击穿电压

门源漏电流

零栅极电压漏极电流

门源截止电压

静态漏源导通状态

阻力

正向转移导纳

输入电容

输出电容

反向传输电容

栅极电阻

总栅极电荷

门源费

栅漏电荷

导通延迟时间

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

体漏二极管的正向电压

体漏二极管的反向

恢复时间

注： 4.脉冲测试

符号

V

（ BR ） DSS

I

GSS

I

DSS

V

GS （ OFF ）

R

DS （ ON）

R

DS （ ON）

|y

fs

|

西塞

科斯

CRSS

Rg

Qg

QGS

QGD

t

D（上）

t

r

t

D（关闭）

t

f

V

DF

t

rr

民

30

—

—

1.2

—

—

—

—

—

—

—

—

—

—

—

—

—

—

—

—

典型值

—

—

—

—

7.8

9.7

36

850

150

80

1.55

7.1

2.3

2.0

2.8

1.7

12.6

3.5

0.84

8.1

最大

—

±0.5

1

2.5

9.4

12.6

—

1190

—

—

3.1

—

—

—

—

—

—

—

1.09

—

单位

V

A

A

V

m

m

S

pF

pF

pF

nC

nC

nC

ns

ns

ns

ns

V

ns

测试条件

I

D

= 10 mA时， V

GS

= 0

V

GS

= ±20 V, V

DS

= 0

V

DS

= 24 V, V

GS

= 0

V

DS

= 10 V，I

D

= 1毫安

I

D

= 7.5 A，V

GS

= 10 V

Note4

I

D

= 7.5 A，V

GS

= 4.5 V

Note4

I

D

= 7.5 A，V

DS

= 5 V

Note4

V

DS

= 10 V

V

GS

= 0

F = 1MHz的

V

DD

= 10 V

V

GS

= 4.5 V

I

D

= 15 A

V

GS

= 10 V，I

D

= 7.5 A

V

DD

10 V

R

L

= 1.3

R

g

= 4.7

IF = 15 A，V

GS

= 0

Note4

IF = 15 A，V

GS

= 0

di

F

/ DT = 500 A / s

R07DS0906EJ0110 Rev.1.10

2012年11月1日

第10 2

RJK03P7DPA

MOS2

初步

（ TA = 25°C ）

项

漏源击穿电压

门源漏电流

零栅极电压漏极电流

门源截止电压

静态漏源导通状态

阻力

正向转移导纳

输入电容

输出电容

反向传输电容

栅极电阻

总栅极电荷

门源费

栅漏电荷

导通延迟时间

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

肖特基势垒二极管的正向电压

体漏二极管的反向

恢复时间

注： 4.脉冲

符号

V

（ BR ） DSS

I

GSS

I

DSS

V

GS （ OFF ）

R

DS （ ON）

R

DS （ ON）

|y

fs

|

西塞

科斯

CRSS

Rg

Qg

QGS

QGD

t

D（上）

t

r

t

D（关闭）

t

f

V

F

t

rr

民

30

—

—

1.2

—

—

—

—

—

—

—

—

—

—

—

—

—

—

—

—

典型值

—

—

—

—

4.4

5.4

65

2110

345

210

1.5

16.5

5.3

5.5

4.7

2.9

35.2

11.4

0.46

6.6

最大

—

±0.5

1

2.5

5.3

7.0

—

2950

—

—

3.0

—

—

—

—

—

—

—

—

—

单位

V

A

mA

V

m

m

S

pF

pF

pF

nC

nC

nC

ns

ns

ns

ns

V

ns

测试条件

I

D

= 10 mA时， V

GS

= 0

V

GS

= ±20 V, V

DS

= 0

V

DS

= 24 V, V

GS

= 0

V

DS

= 10 V，I

D

= 1毫安

I

D

= 15 A，V

GS

= 10 V

Note4

I

D

= 15 A，V

GS

= 4.5 V

Note4

I

D

= 15 A，V

DS

= 5 V

Note4

V

DS

= 10 V

V

GS

= 0

F = 1MHz的

V

DD

= 10 V

V

GS

= 4.5 V

I

D

= 30 A

V

GS

= 10 V，I

D

= 15 A

V

DD

10 V

R

L

= 0.7

R

g

= 4.7

IF = 2 A，V

GS

= 0

Note4

IF = 30 A，V

GS

= 0

di

F

/ DT = 500 A / s

R07DS0906EJ0110 Rev.1.10

2012年11月1日

第10 3

RJK03P7DPA

初步

主要特点

MOS1

功率与温度降额

20

1000

最高安全工作区

通道耗散P沟（W）的

漏电流I

D

(A)

15

100

1

10

10

m

s

s

10

5

1这个区域是

DS （ ON）

0

50

100

150

200

TC = 25℃

0.1 1次脉冲

0.1

1

10

100

壳温度（ ° C）

漏极至源极电压V

DS

(V)

典型的输出特性

20

4.5 V

10 V 3.0V

脉冲测试

20

典型的传输特性

V

DS

= 5 V

脉冲测试

漏电流I

D

(A)

2.8 V

12

2.6 V

漏电流I

D

(A)

16

16

12

8

8

25°C

TC = 75℃

–25°C

4

4

V

GS

= 2.4 V

0

2

4

6

8

10

0

1

2

3

4

5

漏极至源极电压V

DS

(V)

漏极至源极饱和电压与

栅极至源极电压

漏极至源极饱和电压

V

DS （ ON）

（毫伏）

200

脉冲测试

栅极至源极电压V

GS

(V)

静态漏极至源极通态电阻

与漏电流

100

脉冲测试

30

V

GS

= 4.5 V

10 V

3

150

静态漏极至源极通态电阻

R

DS （ ON）

(mΩ)

100

I

D

= 10 A

50

10

5A

2A

0

4

8

12

16

20

1

1

3

10

30

100

300 1000

栅极至源极电压V

GS

(V)

漏电流I

D

(A)

R07DS0906EJ0110 Rev.1.10

2012年11月1日

第10 4

RJK03P7DPA

静态漏极至源极通态电阻

与温度的关系

20

脉冲测试

I

D

= 2 A, 5 A, 10 A

10000

3000

初步

典型的电容比。

漏源极电压

静态漏极至源极通态电阻

R

DS （ ON）

(mΩ)

电容C （PF ）

16

1000

300

西塞

12

V

GS

= 4.5 V

8

10 V

4

0

–25

2 A, 5 A, 10 A

科斯

100

30

10

0

CRSS

V

GS

= 0

F = 1 MHz的

10

20

30

0

25

50

75

100 125 150

壳温度（ ° C）

漏极至源极电压V

DS

(V)

动态输入特性

反向漏电流 -

源极到漏极电压

20

50

漏极至源极电压V

DS

(V)

50

栅极至源极电压V

GS

(V)

反向漏电流I

DR

(A)

I

D

= 15 A

40

V

DD

= 25 V

10 V

V

GS

16

10 V

40

5V

脉冲测试

30

V

DS

12

30

20

8

20

V

GS

= 0, –5 V

10

V

DD

= 25 V

10 V

0

4

8

12

16

4

10

0

0

20

0

0.4

0.8

1.2

1.6

2.0

栅极电荷Qg （ NC ）

源极到漏极电压V

SD

(V)

最大雪崩能量 -

通道温度降额

10

雪崩能量E

AS

（兆焦耳）

8

I

AP

= 8.5 A

V

DD

= 15 V

值班< 0.1 ％

Rg

≥

50

Ω

6

4

2

0

25

50

75

100

125

150

沟道温度Tch （ ° C）

R07DS0906EJ0110 Rev.1.10

2012年11月1日

第10个5

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